公开(公告)号：KR101963506B1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：KR1020170094933

申请日：2017-07-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  가정원 ,  쉬자오 ,  전수민

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L21/38 ,  H01L29/861 ,  H01L21/027 ,  C08L33/12 ,  C08K5/43

公开(公告)号：KR1020170056386A

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020150160000

申请日：2015-11-13

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  장성규 ,  전수민 ,  전재호

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

Abstract: 층수제어가가능한이황화몰리브덴박막제조방법이개시된다. 상기이황화몰리브덴박막제조방법은절연기판을산소플라즈마에노출시키는단계; 및몰리브데늄및 황을반응시켜상기기판상에이황화몰리브덴박막을형성하는단계;를포함하고, 상기절연기판의상기산소플라즈마노출시간을조절하여상기이황화몰리브덴박막의두께를조절할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种能够控制层数的二硫化钼薄膜的制造方法。 用于制造二硫化钼薄膜的方法包括：将绝缘基板暴露于氧等离子体; 通过钼和硫反应在衬底上形成二硫化钼薄膜，通过控制绝缘衬底的氧等离子体暴露时间可以控制二硫化钼薄膜的厚度。

公开(公告)号：KR1020170056388A

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020150160003

申请日：2015-11-13

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  장성규 ,  전수민 ,  윤지윤

IPC: H01L29/205 ,  H01L21/205 ,  H01L29/16 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/786 ,  H01L29/20 ,  H01L21/324

Abstract: 육방정계질화붕소및 그래핀의이종접합구조가개시된다. 본발명에따른이종접합구조는기판상에육방정계질화붕소시트를배치시키는단계; 및화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : CVD) 공정으로상기기판과상기육방정계질화붕소시트사이에그래핀을성장시키는단계를포함할수 있다.

Abstract translation: 公开了六方氮化硼和石墨烯的异质结结构。 根据本发明的异质结结构包括以下步骤：在衬底上布置六方氮化硼片; 并通过化学气相沉积（CVD）工艺在衬底和六方氮化硼薄片之间生长石墨烯。