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1.发明公开실리콘 건식 식각을 이용한 나노 구조의 실리콘 표면형성방법 및 이 나노 구조를 이용한 비휘발성 메모리의제조방법. 失效使用硅干蚀刻方法制造硅晶体上的纳米结构的方法和使用结构制造非易失性存储器的方法
公开(公告)号：KR1020070115206A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：KR1020060049286
申请日：2006-06-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , B82Y40/00
Abstract: A silicon surface forming method of a nano structure using a silicon dry etching and a manufacturing method of a non volatile memory using the nano structure thereof, are provided to form a silicon substrate surface having a nano structure, wherein a polystyrene(PS)-b-polymethylmetacrylate(PMMA) is deposited as a nano mask. A source(37) and a drain(38) are formed. A channel is formed by adding a power to a gate(36). Transferring electrons are stored at a quantum dot(33) which is formed along a contact area widen by a nano structure of a silicon substrate(31) surface, penetrating a tunnel oxide layer(32) through a channel. A silicon nitride layer(34) is formed on the tunnel oxide layer. A control insulation layer(35) on the silicon nitride layer. A control gate(36) is formed on the control insulation layer.
Abstract translation: 提供使用硅干蚀刻的纳米结构的硅表面形成方法和使用其纳米结构的非易失性存储器的制造方法，以形成具有纳米结构的硅衬底表面，其中聚苯乙烯（PS）-b - 聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为纳米掩模沉积。 形成源极（37）和漏极（38）。 通过向门（36）添加电力形成通道。 转移电子存储在沿着通过硅衬底（31）表面的纳米结构加宽的接触区域形成的量子点（33），穿过通道的隧道氧化物层（32）。 在隧道氧化物层上形成氮化硅层（34）。 在氮化硅层上的控制绝缘层（35）。 控制栅极（36）形成在控制绝缘层上。
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公开(公告)号：KR100943179B1
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020080065596
申请日：2008-07-07
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 IOTA 함수 고유의 간섭을 제거할 수 있는 효과적인 채널 추정을 위한 파일럿 신호 구조와 그 구성 방법 및 데이터 송수신 방법에 관한 것이다.
본 발명은 주파수 및 시간 영역에서 파일럿 부반송파 주변의 인접 부반송파를 서로 상대적으로 배치하여 파일럿 부반송파에 주는 간섭의 양을 상쇄시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020100005521A
公开(公告)日：2010-01-15
申请号：KR1020080065596
申请日：2008-07-07
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H04L27/2695 , H04L27/262 , H04L27/36 , H04L27/3836
Abstract: PURPOSE: A method for transmitting and receiving data for OFDM/OQAM communication and a method for comprising a pilot are provided to transmit the data without the reducing a data transmission rate by arranging an adjacent subcarrier according to the data information bit. CONSTITUTION: A real number and an imaginary number of complex bit data separated with half-symbol interval are allocated to a data subcarrier. Binary phase shift modulated additional information data is allocated to the data subcarrier. The additional data subcarrier is outputted. A pilot subcarrier, an additional data subcarrier, and an interference cancellation subcarrier are inserted between the outputted data subcarriers. The additional data subcarrier is inserted adjacently to the pilot subcarrier. The interference cancellation subcarrier has the polarity opposite to the additional data subcarrier.
Abstract translation: 目的：提供用于OFDM / OQAM通信的发送和接收数据的方法以及包括导频的方法，用于通过根据数据信息比特布置相邻子载波来传输数据而不降低数据传输速率。 构成：分配有半符号间隔的实数和虚数的复数位数据被分配给数据副载波。 二进制相移调制附加信息数据被分配给数据子载波。 输出附加数据副载波。 在输出的数据子载波之间插入导频副载波，附加数据副载波和干扰消除子载波。 附加数据副载波相邻于导频子载波插入。 干扰消除子载波的极性与附加数据副载波相反。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090001277A
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：KR1020070065529
申请日：2007-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H04L27/2628 , H04L27/2614 , H04L27/265 , H04L27/2675 , H04L27/2692
Abstract: The data sink and method data transfer equipment and method, and data sink and method are provided to reduce the peak to average power ratio(Peak-to-Average Power Ratio, PAPR) and to reduces the complexity of data transfer equipment. The digital modulator(301) receives data consisting of a plurality of bits. The digital modulator outputs a plurality of digital modulation symbols by performing the digital modulation. The pilot insertion(303) receives a plurality of digital modulation symbols from the digital modulator. The pilot insertion outputs a plurality of pilot inserted symbols by inserting a plurality of pilots into a plurality of digital modulation symbols. The sub carrier assignment part(305) receives a plurality of pilot inserted symbols from the pilot insertion. The sub carrier assignment part outputs the sub carrier assignment signal by assigning a plurality of pilot inserted symbols to a plurality of subcarriers.
Abstract translation: 提供了数据宿和方法数据传输设备和方法以及数据宿和方法，以降低峰均功率比（Peak-to-Average Power Ratio，PAPR），降低数据传输设备的复杂度。 数字调制器（301）接收由多个比特组成的数据。 数字调制器通过执行数字调制输出多个数字调制符号。 导频插入（303）从数字调制器接收多个数字调制符号。 导频插入通过将多个导频插入到多个数字调制符号中来输出多个导频插入符号。 副载波分配部（305）从导频插入接收多个导频插入符号。 子载波分配部分通过将多个导频插入符号分配给多个子载波来输出子载波分配信号。
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公开(公告)号：KR100917708B1
公开(公告)日：2009-09-21
申请号：KR1020070065529
申请日：2007-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 데이터 전송 장치는 복수의 디지털 변조 심볼을 복수의 부반송파에 할당하여 복수의 부반송파 신호를 생성하고, 복수의 시퀀스 중 어느 하나의 시퀀스를 복수의 부반송파 신호에 적용하여 복수의 시퀀스 적용 신호를 생성한다. 이후 복수의 시퀀스 적용 신호를 푸리에 역변환 하여 복수의 푸리에 역변환 심볼을 생성하고, 복수의 푸리에 역변환 심볼에 대한 첨두 대 평균 전력 비를 계산하여, 첨두 대 평균 전력 비가 임계값보다 큰 경우 복수의 시퀀스 중 다른 하나의 시퀀스를 복수의 부반송파 신호에 적용하여 복수의 시퀀스 적용 신호를 생성한다. 이를 통해 전송되는 데이터의 첨두 대 평균 전력 비를 감소 시킬 수 있다.
OFDM, SLM, PAPR, 위상-
公开(公告)号：KR1020090066170A
公开(公告)日：2009-06-23
申请号：KR1020070133811
申请日：2007-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H04L27/26
CPC classification number: H04L5/0051 , H04L25/0224 , H04L25/03292 , H04L27/2613 , H04L27/2647
Abstract: An apparatus and a method for transmitting/receiving data are provided to reduce interference about a proximity data signal by generating a power of a pilot signal smaller than a power of a data signal. An adding part(110) adds a pilot signal to a data signal of a frequency domain. An IFFT(Inverse Fast Fourier Transform) part(120) transforms a data signal of the frequency domain including the pilot signal outputted from the adding part into a signal of a time domain. A protecting section insertion part(130) additionally inserts a protecting section to the signal of the time domain outputted from the IFFT part. A digital to analog converting part(140) converts a digital signal outputted from the protecting section insertion part into an analog signal. A RF processing part(150) includes a filter and components like preprocessing. The RF processing part performs a RF process about a signal outputted from the digital to analog converting part.
Abstract translation: 提供了一种用于发送/接收数据的装置和方法，用于通过产生小于数据信号的功率的导频信号的功率来减少对接近数据信号的干扰。 加法部分（110）将导频信号添加到频域的数据信号。 IFFT（逆快速傅里叶变换）部分（120）将包括从加法部分输出的导频信号的频域的数据信号变换成时域的信号。 保护部分插入部分（130）另外将保护部分插入到从IFFT部分输出的时域的信号上。 数模转换部（140）将从保护部插入部输出的数字信号变换为模拟信号。 RF处理部分（150）包括滤波器和诸如预处理的部件。 RF处理部分对从数模转换部分输出的信号执行RF处理。
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公开(公告)号：KR100806846B1
公开(公告)日：2008-02-22
申请号：KR1020070005608
申请日：2007-01-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/02532 , H01L21/02628 , H01L21/02667
Abstract: A method for crystallizing an amorphous silicon thin film is provided to coat the silicon thin film with metal particles by immersing a substrate with the amorphous silicon thin film into a metal solution. A metal solution containing a catalytic metal is prepared, and then a substrate(101) deposited with an amorphous silicon thin film(103) is coated with the metal solution. Heat treatment is performed on the coated substrate to crystallize the amorphous silicon thin film. The metal solution further contains a solvent material for melting the catalytic material, and an adhesive material for bonding the catalytic material to the substrate. The metal solution comprises (NiCl2)4H2, (Na8C6H5O7)2H2O, NH4Cl, (NaH2PO2)2H2O, ammonia water and deionized water.
Abstract translation: 提供了一种使非晶硅薄膜结晶的方法，通过将具有非晶硅薄膜的衬底浸入金属溶液中，用金属颗粒涂覆硅薄膜。 制备含有催化金属的金属溶液，然后用金属溶液涂覆沉积有非晶硅薄膜（103）的基板（101）。 在涂覆的基材上进行热处理以使非晶硅薄膜结晶。 金属溶液还含有用于熔化催化材料的溶剂材料和用于将催化材料粘合到基材上的粘合剂材料。 金属溶液包含（NiCl2）4H2，（Na8C6H5O7）2H2O，NH4Cl，（NaH2PO2）2H2O，氨水和去离子水。
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8.发明授权실리콘 건식 식각을 이용한 나노 구조의 실리콘 표면형성방법 및 이 나노 구조를 이용한 비휘발성 메모리의제조방법. 失效使用硅干蚀刻在硅晶片上制造纳米结构的方法和使用该结构制造非易失性存储器的方法
公开(公告)号：KR100789988B1
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020060049286
申请日：2006-06-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , B82Y40/00
Abstract: RF 플라즈마 반응관 내에 식각가스를 혼합하고 RF 입력파워의 조절을 통하여 플라즈마를 발생시켜 반응성 이온 식각 방법으로 실리콘 기판 표면을 건식 식각하여 10 ~ 30nm의 나노 구조를 형성하고, 형성된 나노 구조를 통하여 플로팅 게이트 메모리의 양자점과의 접촉면을 증가시기 위한 방법이다. 본 발명은, 폴리스타일렌(PS)-
b -폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)가 나노 마스트로써 증착된 실리콘 기판의 식각을 위하여 불화유황(SF6) 가스를 주입하고, RF 플라즈마 반응관 내부에 인가되는 RF 전력을 7~10W로 조정함으로서 조정된 플라즈마를 통하여 상기 실리콘 기판을 나노 구조 형태로 건식 식각하는 것이다. 본 발명은 건식 식각 기술을 통하여 폴리스타일렌(PS)-
b -폴리메틸메탈크릴레이트(PMMA)가 나노 마스크로써 증착된 실리콘 기판 표면을 나노 구조의 형태로 만들 수 있으며, 이를 이용하여 기존 차세대 플래시 메모리 중 하나인 부유 게이트 메모리에서 양자점의 밀도를 증가시켜 효율적인 데이터 읽기와 쓰기가 가능하다.
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