公开(公告)号：KR1020170058576A

公开(公告)日：2017-05-29

申请号：KR1020150162322

申请日：2015-11-19

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 이원준 ,  한별 ,  김유진

IPC: H01L21/02 ,  H01L45/00 ,  C01B19/00

Abstract: 칼코겐-함유막, 이의제조방법, 및상기칼코겐-함유막을포함하는메모리소자에관한것이다.

Abstract translation: 0001]本发明涉及一种含硫族元素的膜，其制造方法以及包含该含硫族元素膜的存储器件。

公开(公告)号：KR101851722B1

公开(公告)日：2018-06-11

申请号：KR1020150162322

申请日：2015-11-19

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 이원준 ,  한별 ,  김유진

IPC: H01L21/02 ,  H01L45/00 ,  C01B19/00

Abstract: 칼코겐-함유막, 이의제조방법, 및상기칼코겐-함유막을포함하는메모리소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020170123825A

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：KR1020160052914

申请日：2016-04-29

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 이원준 ,  김유진

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  H01L45/00 ,  H01L21/205

Abstract: 상변화물질인칼코겐-함유막 증착에서있어서종래원자층증착공정보다단순하고조성조절이용이한칼코겐-함유막의제조방법에관한것으로서, Ge 전구체및 제 1 Te 전구체를이용하여 Ge-Te을증착하는단계; 및 Sb 전구체및 제 2 Te 전구체를이용하여 Sb-Te을증착하는단계를포함하며, 여기서, 상기 Ge 전구체는 Cl 원소를포함하지않는것인, Ge-Sb-Te 막의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 在使用hankal高原相变材料膜沉积比常规原子层沉积工艺和组合物控制简单含有-是硫属涉及一种含有薄膜生产过程中，采用的Ge前体和1个碲前体沉积的Ge-TE 该方法包括： 并且使用Sb前体和第二Te前体沉积Sb-Te，其中Ge前体不包含Cl元素。

公开(公告)号：KR101952729B1

公开(公告)日：2019-02-27

申请号：KR1020160052914

申请日：2016-04-29

Applicant: 세종대학교산학협력단

Inventor： 이원준 ,  김유진

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  H01L45/00 ,  H01L21/205