公开(公告)号：KR1020110003522A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：KR1020107024928

申请日：2009-06-12

Applicant: 소이텍

Inventor： 다발니콜라스 ,  코논슉올레그 ,  기오에릭 ,  울네뜨세실 ,  랄르망파브리스 ,  피그크리스토프 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76256

Abstract: 본 발명은 지지 기판 (1) 상에 게르마늄 층 (3)을 포함하는 구조를 제조하기 위한 프로세스로서, (a) 상기 지지 기판 (1), 실리콘 옥사이드층 (silicon oxide)(20) 및 상기 게르마늄 층 (3)을 포함하는 중간 구조 (10를 형성하는 단계로서, 상기 실리콘 옥사이드층 (20)은 상기 게르마늄 층 (3)과 직접 접촉하는 단계, 및 (b) 상기 중간 구조 (10)에 중성 분위기 또는 감소 분위기 (a neutral or reducing atmosphere)에서, 정의된 온도에서 정의된 시간 동안 열 처리를 하여, 상기 실리콘 옥사이드층 (20)으로부터 상기 게르마늄 층 (3)을 통해 적어도 일부의 산소를 확산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스와 관련된다.