公开(公告)号：KR1020110099939A

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：KR1020100018962

申请日：2010-03-03

Applicant: 숭실대학교산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 강대승 ,  이정민 ,  박진설 ,  이종찬 ,  강효

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133788 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/137

Abstract: 본 발명은 광 조사를 통한 액정과 광경화성 단분자 혼합물의 수직 배향을 이용한 액정 표시 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 액정 속에 소량의 광경화성 단분자를 혼합하고 광을 조사하여 상분리된 고분자 박막의 형성을 통하여 액정 분자들을 수직으로 배향하는 광 조사를 통한 액정과 광경화성 단분자 혼합물의 수직 배향을 이용한 액정 표시 장치 및 그 방법에 관한 것이다. 일면에 투명 전극이 각각 형성되는 제1기판과 제2기판의 상기 투명 전극 형성부가 서로 마주보도록 구비되며, 상기 제1,2기판은 내부에 공간이 형성되도록 봉합제로 일정한 간격으로 합착되고, 상기 공간에는 액정 물질과 중합체가 섞여 있는 계를 포함한다. 따라서, 본 발명의 수직 배향 방식은 균일한 수직 배향 능력, 뛰어난 안정성을 지니고 있어 액정 표시 장치의 성능을 향상시킬 수 있으며, 기존에 사용되어오던 폴리이미드계 배향막을 형성하는데 필요한 여러 공정과 러빙 공정을 수행하지 않고서도 안정성이 뛰어나며 우수한 수직 배향 특성을 유도하는 효과가 있다.

公开(公告)号：WO2021256647A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：PCT/KR2020/019327

申请日：2020-12-29

Applicant: 숙명여자대학교산학협력단 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김용환 ,  김명진 ,  조태준 ,  이정민

IPC: C07K14/51 ,  C07K14/71 ,  A61K38/00 ,  A61P19/00 ,  C12N5/074 ,  C12N5/0775 ,  A61K35/28

Abstract: 본 발명은 FOP의 원인으로 알려진 기존 ACVR1-R206H 돌연변이 외에 FOP 유사 표현형의 신규 사례로서 특정 유전자의 돌연변이를 발굴하고 이를 골 형성 분화를 통한 골 질환 치료에 활용 가능한 기술과, 기존 ACVR1-R206H 돌연변이와의 결합 발현 시 효과를 확인하여 이를 골 형성 분화를 통한 골 질환 치료에 활용 가능한 기술이 개시된다. 본 발명은 BMPR2(bone morphogenetic protein type 2 receptor)를 코딩하는 BMPR2 유전자의 376번째 자리의 아미노산이 글루탐산(E)으로부터 라이신(K)으로 돌연변이된 BMPR2-E376K 돌연변이체와, ACVR1(activin A type I receptor)을 코딩하는 ACVR1 유전자의 206번째 자리의 아미노산이 아르기닌(R)으로부터 히스티딘(H)으로 돌연변이된 ACVR1-R206H 돌연변이체를 포함하는 돌연변이 복합체를 제공한다. 또한 BMPR2(bone morphogenetic protein type 2 receptor)를 코딩하는 BMPR2 유전자의 376번째 자리의 아미노산이 글루탐산(E)으로부터 라이신(K)으로 돌연변이된 BMPR2-E376K 돌연변이체를 포함하는 세포로부터 역분화된 유도만능줄기세포를 제공한다.

公开(公告)号：KR100683436B1

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020040066950

申请日：2004-08-25

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 장훈 ,  심은성 ,  이정민 ,  이찬영

IPC: G11C29/00

Abstract: 본 발명은 메모리 자체 테스트 회로 생성기에 관한 것으로, 보다 자세하게는 사용자에게 메모리 구조와 메모리 테스트 알고리즘의 정보를 입력받아 자동으로 BIST IP를 생성해 주는 CAD 툴에 관한 것이다.
본 발명의 메모리 자체 테스트 회로 생성기는 메모리 자체 테스트를 위한 메모리 모델 설정 정보를 입력 받아 메모리 모델을 기술하는 단계; 상기 메모리 모델 기술 단계에서 테스트하기 위해 생성된 메모리 모델을 등록하는 메모리 구성 단계; 메모리 테스트에 적용할 알고리즘을 고장별로 선택하거나 종래의 알고리즘 중에서 선택하는 알고리즘 구성 단계 및 상기의 선택된 메모리 모델 및 테스트 알고리즘을 적용하여 시스템 온 칩에 내장 가능한 BIST Verilog 파일을 생성 및 출력하는 BIST IP 생성 단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 메모리 자체 테스트 회로 생성기는 사용자에게 메모리 구조와 메모리 테스트 알고리즘의 정보를 입력받아 자동으로 BIST IP를 생성함으로써 반도체 집적 메모리의 모델 및 개수에 상관없이 효율적으로 테스트할 수 있는 효과가 있다.
메모리 테스트, BIST, 회로 생성기

公开(公告)号：KR100671435B1

公开(公告)日：2007-01-19

申请号：KR1020040022502

申请日：2004-04-01

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 장훈 ,  박재흥 ,  김문준 ,  이정민

IPC: G01R31/3183

Abstract: 본 발명은 종래의 테스트패턴 재정렬 방법의 문제점인 연결선 테스트 및 GB 문제를 해결하고, 또한 연결선의 지연고장 테스트를 어떤 경우라도 완벽하게 수행할 수 있는 테스트패턴 재정렬 방법을 제안한다. GB 영향에 따른 경계주사 오동작 문제 및 연결선의 지연고장 검출을 동시에 고려하기 위해서, 종래의 방법에서 제공하는 기능을 모두 만족하면서 연결선의 지연고장을 검출할 수 있는 테스트패턴을 생성해야 한다. 이를 위해서 본 발명에서는 기존의 GB 문제만을 고려한 기법 중 1단계인 코드워드 선택 과정은 그대로 적용하고, 2단계인 테스트패턴 재정렬 과정이 변경되는 알고리즘을 제안한다.
접지바운스, 그라운드바운스, GB, 경계주사, 테스트패턴

公开(公告)号：KR1020060018542A

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：KR1020040066950

申请日：2004-08-25

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 장훈 ,  심은성 ,  이정민 ,  이찬영

IPC: G11C29/00

Abstract: 본 발명은 메모리 자체 테스트 회로 생성기에 관한 것으로, 보다 자세하게는 사용자에게 메모리 구조와 메모리 테스트 알고리즘의 정보를 입력받아 자동으로 BIST IP를 생성해 주는 CAD 툴에 관한 것이다.
본 발명의 메모리 자체 테스트 회로 생성기는 메모리 자체 테스트를 위한 메모리 모델 설정 정보를 입력 받아 메모리 모델을 기술하는 단계; 상기 메모리 모델 기술 단계에서 테스트하기 위해 생성된 메모리 모델을 등록하는 메모리 구성 단계; 메모리 테스트에 적용할 알고리즘을 고장별로 선택하거나 종래의 알고리즘 중에서 선택하는 알고리즘 구성 단계 및 상기의 선택된 메모리 모델 및 테스트 알고리즘을 적용하여 시스템 온 칩에 내장 가능한 BIST Verilog 파일을 생성 및 출력하는 BIST IP 생성 단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 메모리 자체 테스트 회로 생성기는 사용자에게 메모리 구조와 메모리 테스트 알고리즘의 정보를 입력받아 자동으로 BIST IP를 생성함으로써 반도체 집적 메모리의 모델 및 개수에 상관없이 효율적으로 테스트할 수 있는 효과가 있다.
메모리 테스트, BIST, 회로 생성기

公开(公告)号：KR1020050097255A

公开(公告)日：2005-10-07

申请号：KR1020040022502

申请日：2004-04-01

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 장훈 ,  박재흥 ,  김문준 ,  이정민

IPC: G01R31/3183

CPC classification number: G01R31/3183 ,  G01R31/318328 ,  G01R31/318371

Abstract: 본 발명은 종래의 방법이 제공하는 연결선 테스트 및 GB 문제를 해결하고, 또한 연결선의 지연고장 테스트를 어떤 경우라도 완벽하게 수행할 수 있는 테스트패턴 생성 기법을 제안한다. GB 영향에 따른 경계주사 오동작 문제 및 연결선의 지연고장 검출을 동시에 고려하기 위해서, 종래의 방법에서 제공하는 기능을 모두 만족하면서 연결선의 지연고장을 검출할 수 있는 테스트패턴을 생성해야 한다. 이를 위해서 본 발명에서는 기존의 GB 문제만을 고려한 기법 중 1단계인 코드워드 선택 과정은 그대로 적용하고, 2단계인 테스트패턴 재정렬 과정만을 교체하는 알고리즘을 제안한다.

公开(公告)号：KR1020130051602A

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：KR1020110116838

申请日：2011-11-10

Applicant: 한림대학교 산학협력단 ,  대한민국(농촌진흥청장) ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 박찬흠 ,  이옥주 ,  이정민 ,  권해용 ,  조유영 ,  류강선 ,  이광길 ,  강석우 ,  박영환 ,  김종욱

IPC: A61L27/60 ,  A61L27/22 ,  D01D5/00

CPC classification number: A61L27/60 ,  A61L27/22 ,  A61L2430/34 ,  D01D5/0007

Abstract: PURPOSE: A 3 dimensional silk nano fiber film and a manufacturing method thereof are provided to control biodegradation speed by having similar structure with human skin in size and thickness. CONSTITUTION: A manufacturing method of 3 dimensional silk nano filber film for skin substitute comprises a process for preparing nano fiber undiluted solution, salt adding process and applying voltage and diffusing prepared nano fiber undiluted solution at the same time, and salt removing process from the diffused nano fiber film. On the salt adding process with the electro-spinning, the supply quantity and particle size controlled salt is sprayed on the nano fiber film to form an air gap. The size of the air gap is 10-100 micrometer and the thickness is 1-5 millimeters.

Abstract translation: 目的：提供一种三维丝纳米纤维膜及其制造方法，以通过与人体皮肤的尺寸和厚度相似的结构来控制生物降解速度。 构成：用于皮肤代用品的三维丝纳米薄膜的制造方法包括同时制备纳米纤维未稀释溶液，加盐过程和施加电压并扩散制备的纳米纤维未稀释溶液的方法，以及从扩散的脱盐过程 纳米纤维膜。 在电纺丝的加盐过程中，将供给量和粒度控制盐喷洒在纳米纤维膜上形成气隙。 气隙的大小为10-100微米，厚度为1-5毫米。

公开(公告)号：KR1020120121234A

公开(公告)日：2012-11-05

申请号：KR1020110039089

申请日：2011-04-26

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김상건 ,  이우형 ,  이정민 ,  계희연

IPC: A61K31/555 ,  A61K31/41 ,  A61K31/195 ,  A61P9/04

CPC classification number: A61K31/555 ,  A23L33/10 ,  A61K9/0012 ,  A61K31/409 ,  A61M2025/0007 ,  Y10S514/826 ,  Y10S514/885 ,  Y10S514/886 ,  Y10S514/912

Abstract: PURPOSE: A composition containing protoporphyrin chemicals is provided to prevent and treat diseses caused by excessive activation of HIF-1alpha or VEGF(vascular endothelial growth factor). CONSTITUTION: A pharmaceutical composition for preventing or treating diseases caused by overexpression or excessive activation of HIF-1alpha contains protoporphyrin IX, ferriprotoporphyrin IX, zinc protoporphyrin IX, cobalt protoporphyrin IX, copper protoporphyrin IX, magnesium protoporphyrin IX, tin protoporphyrin IX, pharmaceutically acceptable salt thereof, solvate thereof, or hydrate as an active ingredient. A sustained release device of implant Cul-De-Sac and a catheter contains the pharmaceutical composition.

Abstract translation: 目的：提供含有原卟啉化学物质的组合物，以预防和治疗由HIF-1α或VEGF（血管内皮生长因子）的过度激活引起的疾病。 构成：用于预防或治疗由HIF-1α的过度表达或过度激活引起的疾病的药物组合物含有原卟啉IX，卟啉卟啉IX，原卟啉Ⅸ锌，原卟啉Ⅸ，原铜卟啉IX，原卟啉Ⅸ，原卟啉Ⅸ，药学上可接受的盐 其溶剂合物或水合物作为活性成分。 植入物Cul-De-Sac和导管的持续释放装置包含药物组合物。

公开(公告)号：KR101303920B1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：KR1020110039089

申请日：2011-04-26

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김상건 ,  이우형 ,  이정민 ,  계희연

IPC: A61K31/555 ,  A61K31/41 ,  A61K31/195 ,  A61P9/04

Abstract: 본 발명은 HIF-1α(Hypoxia Inducible Factor-1α) 또는 VEGF(Vascular Endothelial Growth Factor) 과다 활성으로 기인하는 질병의 예방 및 치료에 유용한 조성물에 관한 것으로, 프로토포르피린 IX (protoporphyrin IX), 헤민(ferriprotoporphyrin IX), 아연 프로토포르피린 (zinc protoporphyrin IX), 코발트 프로토포르피린 IX (cobalt protoporphyrin IX), 구리 프로토포르피린 IX (copper protoporphyrin IX), 마그네슘 프로토포르피린 IX (magnesium protoporphyrin IX), 주석 프로토포르피린 (tin protoporphyrin IX), 이들의 염, 이들의 용매화물 및 수화물로 구성된 군에서 하나 이상 선택된 것을 유효성분으로 포함하는 조성물을 제공한다.