이온성 고분자-무기입자 복합체를 기반으로 하는 촉각 액츄에이터 및 이의 그 제조 방법

    公开(公告)号:WO2022039568A1

    公开(公告)日:2022-02-24

    申请号:PCT/KR2021/011153

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 본 발명은 촉각 액츄에이터를 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 촉각 액츄에이터는 하부 전극과 상부 전극 및 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 활성층은, 표면 이온층을 가지는 무기입자 및 상기 무기입자가 분산되어 있는 이온성 고분자 복합체를 포함하고, 상기 표면 이온층은 제1 이온과 제2 이온을 구비하며, 상기 제1 이온은 상기 무기입자 표면상에 수소결합으로 연결되고, 상기 제2이온은 상기 제1 이온 상에 정전기적 인력으로 결합되어 상기 표면 이온층을 형성하는 것을 특징으로 한다.

    이온성 탄성중합체를 이용한 정전 발전장치

    公开(公告)号:WO2020027510A1

    公开(公告)日:2020-02-06

    申请号:PCT/KR2019/009366

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 본 발명은 많은 양의 전기 에너지를 생성하기 위해서 내부의 전기 용량을 증가시키고, 표면에 많은 전하가 위치할 수 있도록 하는 이온성 탄성중합체를 이용한 정전 발전장치에 관한 것으로, 제1전극과 상기 제1전극층의 상부에 구비되고, 탄성중합체와 이온성 액체를 포함하는 이온성 탄성중합체와 상기 제1전극과 이격 배치되고, 상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 제2전극 및 상기 제2전극의 하부에 구비되고, 상기 이온성 탄성중합체와 선택적으로 접촉하며, 상기 이온성 탄성중합체에 비하여 상대적으로 음전하 대전물질로 형성되는 절연체를 포함하고, 상기 이온성 탄성중합체 및 상기 절연체는 외력에 의하여 접촉 또는 분리되고, 상기 이온성 탄성중합체 및 상기 절연체가 접촉 및 분리되는 경우 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 전기적 에너지가 발생한다.

    유기 반도체 소자 및 그 제조 방법
    8.
    发明申请
    유기 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
    有机半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:WO2018004084A1

    公开(公告)日:2018-01-04

    申请号:PCT/KR2016/014290

    申请日:2016-12-07

    CPC classification number: H01L21/02 H01L51/05

    Abstract: 본 발명의 일측면에 따른 유기 반도체 소자의 제조방법은 유전체가 형성된 기판상에 실라놀기를 포함하는 유기 반도체 용액을 적층하는 단계를 포함한다. 이때, 유기 반도체 용액의 적층에 의하여, 유기 반도체와 겔 전구체의 혼합 용액의 실라놀기와 실리콘 기판 표면의 실라놀기가 축합 반응을 하게 된다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个方面的制造有机半导体器件的方法包括在形成有电介质的基板上层压包含硅烷醇基团的有机半导体溶液的步骤。 此时,有机半导体与凝胶前体的混合溶液的硅烷醇基与硅基板表面的硅烷醇基通过有机半导体溶液的层叠发生缩合反应。

    발광 소자 및 그 제조방법
    9.
    发明申请
    발광 소자 및 그 제조방법 审中-公开
    发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:WO2017131366A1

    公开(公告)日:2017-08-03

    申请号:PCT/KR2017/000379

    申请日:2017-01-11

    CPC classification number: H01L51/50 H01L51/52 H01L51/56

    Abstract: 발광 소자 및 그 제조 방법이 제공되며, 발광 소자는 발광성 물질, 이온성 물질, 및 고분자 매트릭스를 포함하는 활성층을 포함하되, 활성층은 압축 및 신장이 가능하며, 활성층에 대한 압력 및 상기 활성층의 신장률 중 적어도 하나에 따라 발광 세기가 변화하도록 형성된 것이다.

    Abstract translation:

    发光和设备,还提供一种制造其的方法,但是该发光器件包括有源层,包括发光物质,离子性物质,以及聚合物基质中,活性层和可能的压缩和膨胀,活性层 发光强度根据有源层的压力和拉伸比中的至少一个而改变。

    유기 반도체 소자 및 그 제조 방법
    10.
    发明申请
    유기 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
    有机半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:WO2018004093A1

    公开(公告)日:2018-01-04

    申请号:PCT/KR2017/000461

    申请日:2017-01-13

    CPC classification number: C08K5/56 H01L51/00 H01L51/05

    Abstract: 본 발명의 일측면에 따른 유기 반도체 소자의 제조방법은 유전체가 형성된 기판상에 실라놀기(silanol group, Si-OH)와 같은 하이드록시 그룹(M-OH, M(금속))을 포함하는 유기 반도체 용액을 적층하는 단계를 포함한다. 유기 반도체층 표면 및 벌크에 존재하는 실라놀기(silanol group, Si-OH)와 같은 하이드록시 그룹(M-OH, M(금속))을 포함하는 반응기로서 활용하여 다양한 성질을 보이는 자기조립단분자층을 형성시켜 새로운 개념의 유기 반도체 소자를 제작하는 것을 포함한다.

    Abstract translation:

    制造根据本发明的一个方面的有机半导体装置的方法,所述衬底上的介质形成的硅烷醇基团(硅烷醇基下,Si-OH)(M-OH羟基基团,如,M( 金属))。 形成自组装单分子层通过使用含有羟基的反应器表现出不同的特性(M-OH,M(金属)),如硅烷醇基(硅醇基下,Si-OH)存在于有机半导体层表面和整体 为了产生新概念的有机半导体器件。< / p>

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