公开(公告)号：KR102038124B1

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：KR1020170079382

申请日：2017-06-22

Applicant: 숭실대학교산학협력단 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 김도환 ,  강문성 ,  황해중 ,  박한울 ,  신지혜

IPC: H01L51/05 ,  H01L21/02 ,  H01L51/00

公开(公告)号：WO2018004084A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：PCT/KR2016/014290

申请日：2016-12-07

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 김도환 ,  강문성 ,  신지혜 ,  황해중 ,  박한울

IPC: H01L51/05 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L51/05

Abstract: 본 발명의 일측면에 따른 유기 반도체 소자의 제조방법은 유전체가 형성된 기판상에 실라놀기를 포함하는 유기 반도체 용액을 적층하는 단계를 포함한다. 이때, 유기 반도체 용액의 적층에 의하여, 유기 반도체와 겔 전구체의 혼합 용액의 실라놀기와 실리콘 기판 표면의 실라놀기가 축합 반응을 하게 된다.

Abstract translation: 根据本发明的一个方面的制造有机半导体器件的方法包括在形成有电介质的基板上层压包含硅烷醇基团的有机半导体溶液的步骤。 此时，有机半导体与凝胶前体的混合溶液的硅烷醇基与硅基板表面的硅烷醇基通过有机半导体溶液的层叠发生缩合反应。

公开(公告)号：WO2018004093A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：PCT/KR2017/000461

申请日：2017-01-13

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 김도환 ,  강문성 ,  황해중 ,  박한울 ,  신지혜

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/00 ,  C08K5/56

CPC classification number: C08K5/56 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: 본 발명의 일측면에 따른 유기 반도체 소자의 제조방법은 유전체가 형성된 기판상에 실라놀기(silanol group, Si-OH)와 같은 하이드록시 그룹(M-OH, M(금속))을 포함하는 유기 반도체 용액을 적층하는 단계를 포함한다. 유기 반도체층 표면 및 벌크에 존재하는 실라놀기(silanol group, Si-OH)와 같은 하이드록시 그룹(M-OH, M(금속))을 포함하는 반응기로서 활용하여 다양한 성질을 보이는 자기조립단분자층을 형성시켜 새로운 개념의 유기 반도체 소자를 제작하는 것을 포함한다.

Abstract translation:

制造根据本发明的一个方面的有机半导体装置的方法，所述衬底上的介质形成的硅烷醇基团（硅烷醇基下，Si-OH）（M-OH羟基基团，如，M（ 金属））。 形成自组装单分子层通过使用含有羟基的反应器表现出不同的特性（M-OH，M（金属）），如硅烷醇基（硅醇基下，Si-OH）存在于有机半导体层表面和整体 为了产生新概念的有机半导体器件。＆lt; / p＆gt;

公开(公告)号：KR101685071B1

公开(公告)日：2016-12-09

申请号：KR1020150098309

申请日：2015-07-10

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 김도환 ,  이호진 ,  박한울 ,  최근영

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/00

Abstract: 본발명은유기반도체화합물및 제조방법에관한것으로, 본발명의일 측면에따른유기반도체화합물의제조방법은졸화(solation)된유기반도체및 졸화된전구체를교반하여유기반도체화합물을제조하는단계를포함한다. 이때, 유기반도체화합물을제조하는단계는겔화된전구체의격자구조의사이로졸화된유기반도체가직교로관통하여, 3차원의유기반도체화합물을형성하는것이다.

Abstract translation: 有机半导体化合物及其制造方法技术领域本发明涉及有机半导体化合物及其制造方法。 根据本发明的一个方面的制造有机半导体化合物的方法包括通过搅拌溶剂化的有机半导体和溶剂化前体来制造有机半导体化合物的步骤。 此时，制造有机半导体化合物的工艺包括通过将溶剂化的有机半导体垂直穿透成为溶胶化前体的晶格结构来形成3D有机半导体化合物。 因此，可以进行连续的解决过程。

公开(公告)号：KR1020160112903A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：KR1020150098309

申请日：2015-07-10

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 김도환 ,  이호진 ,  박한울 ,  최근영

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/00

Abstract: 본발명은유기반도체화합물및 제조방법에관한것으로, 본발명의일 측면에따른유기반도체화합물의제조방법은졸화(solation)된유기반도체및 졸화된전구체를교반하여유기반도체화합물을제조하는단계를포함한다. 이때, 유기반도체화합물을제조하는단계는겔화된전구체의격자구조의사이로졸화된유기반도체가직교로관통하여, 3차원의유기반도체화합물을형성하는것이다.

Abstract translation: 本发明包括将有机半导体化合物制备到的步骤中，在根据本发明的一个方面，有机半导体化合物的制造方法涉及一种有机半导体化合物及制备方法在搅拌的jolhwa（溶胶化）有机半导体和jolhwa前体 的。 在这种情况下，制备有机半导体化合物的步骤是，在通过垂直胶凝前体的晶格结构之间的有机半导体jolhwa，形成在第三维的有机半导体化合物。