公开(公告)号：KR1019970017991A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019960038575

申请日：1996-09-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  시마쯔미쓰루 ,  모토키겐사쿠 ,  오카히사다쿠지 ,  마쓰시마마사토 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

Abstract: 고온에서 에피택셜 성장할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 및 이의 제조방법을 제공한다. 에피택셜 웨이퍼는 As 또는 P를 함유하는 화합물 반도체 기판(1)과 기판(1)의 표면(1a)과 이면(1b)을 피복하도록 형성된 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 구비한다.
에피택셜 웨이퍼의 제조방법은 As 또는 P를 함유하는 기판의 적어도 표리 양면을 피복하도록 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 300℃ 내지 800℃의 성장 온도에서 성장시키는 단계와 피복층이 성장된 기판을 700℃ 내지 1200℃의 온도에서 어닐하는 단계를 구비한다.

公开(公告)号：KR100297532B1

公开(公告)日：2001-10-25

申请号：KR1019980008432

申请日：1998-03-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키겐사쿠 ,  마쓰시마마사토 ,  아키타가쓰시 ,  시마즈미쓰루 ,  다케모토기쿠로 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

Abstract: 입방정 반도체(111) 기판 위에 형성된 GaN층을 갖는 에피택셜 웨이퍼를 제공한다.
입방정 반도체(111) 기판, 기판 위에 형성된 두께 60nm 이상의 제1 GaN층 및 제1 GaN층 위에 형성된 두께 0.1㎛ 이상의 제2 GaN층을 포함한다.

公开(公告)号：KR100243623B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019960038575

申请日：1996-09-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  시마쯔미쓰루 ,  모토키겐사쿠 ,  오카히사다쿠지 ,  마쓰시마마사토 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 고온에서 에피택셜 성정할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 및 이의 제조방법을 제공한다. 에티팩셜 웨이퍼는 As 또는 P를 함유하는 화합물 반도체 기판(1)과 기판(1)의 표면(1a)과 이면(1b)을 피복하도록 형성된 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 구비한다.
에피택셜 웨이퍼의 제조방법은 As 또는 P를 함유하는 기판의 적어도 표리 양면을 피복하도록 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 300℃ 내지 800℃의 성장 온도에서 성장시키는 단계와 피복층이 성장된 기판을 700℃ 내지 1200℃의 온도에서 어닐하는 단계를 구비한다.

公开(公告)号：KR1019980080216A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019980008432

申请日：1998-03-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키겐사쿠 ,  마쓰시마마사토 ,  아키타가쓰시 ,  시마즈미쓰루 ,  다케모토기쿠로 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

Abstract: 입방정 반도체(111) 기판 위에 형성된 GaN층을 갖는 에피택셜 웨이퍼를 제공한다.
입방정 반도체(111) 기판, 기판 위에 형성된 두께 60nm 이상의 제1 GaN층 및 제1 GaN층 위에 형성된 두께 0.1㎛ 이상의 제2 GaN층을 포함한다.