公开(公告)号：KR1019970017991A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019960038575

申请日：1996-09-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  시마쯔미쓰루 ,  모토키겐사쿠 ,  오카히사다쿠지 ,  마쓰시마마사토 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

Abstract: 고온에서 에피택셜 성장할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 및 이의 제조방법을 제공한다. 에피택셜 웨이퍼는 As 또는 P를 함유하는 화합물 반도체 기판(1)과 기판(1)의 표면(1a)과 이면(1b)을 피복하도록 형성된 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 구비한다.
에피택셜 웨이퍼의 제조방법은 As 또는 P를 함유하는 기판의 적어도 표리 양면을 피복하도록 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 300℃ 내지 800℃의 성장 온도에서 성장시키는 단계와 피복층이 성장된 기판을 700℃ 내지 1200℃의 온도에서 어닐하는 단계를 구비한다.

公开(公告)号：KR1019960039300A

公开(公告)日：1996-11-25

申请号：KR1019960014090

申请日：1996-04-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  마추바라히데키 ,  세키히사시 ,  코우키투아키노리

IPC: H01L33/00

Abstract: 긴 수명으로 고성능의 화합물 반도체 발광소자 및 그것을 공업적으로 제조할 수 있는 방법이 제공된다.
화합물 반도체 발광소자는 GaP 기판(1)과 기판(1)위에 형성된 InN로 되는 버퍼층(2)과 버퍼층(2)위에 형성된 In
x Ga
1-x N로 되는 완화층(3)과 완화층(3)위에 형성된 In
x Ga
1-x N으로 되는 발광층(4)을 구비한다. 여기에서 k는 0＜k＜1의 범위의 일정한 값으로서 x 버퍼층(2)쪽에서 발광층(4)쪽으로 두께 방향으로 1에서 k까지(단, x는 1 및 k를 제외함)감소한다.
또한, 이와 같이 구성되는 화합물 반도체 발광소자의 제조에 있어서는 버퍼층 및 에피텍셜층이 동일한 유기금속 크로라이드 기상 에피텍셜 성장법에 의해 형성된다.

公开(公告)号：KR100497262B1

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：KR1019970010253

申请日：1997-03-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  시마즈미쯔루 ,  마쯔시마마사토 ,  미우라요시키 ,  모토키겐사쿠 ,  세키히사시 ,  고우키투아키노리

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 기판(1)상에 인듐 갈륨 질소(In
x Ga
1-x N; 단, 0〈x〈1)의 고품질 에피택셜 화합물 반도체 층을 형성하는 방법을 제공한다.
삼염화 인듐(InCl
3 )을 함유하는 제 1 가스 및 암모니아(NH
3 )를 함유하는 제 2 가스는 제 1 온도로 가열된 반응 챔버(56)로 도입되고 인듐 질소(InN)가 질소(N
2 ) 캐리어 가스에 의해 기판(1)상에서 에피택셜 성장되어 InN 버퍼 층을 형성한다.
그후, 염화수소(HCl) 및 갈륨(Ga)을 함유하는 제 3 가스가 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 가열된 반응 챔버(56)로 제 1 및 2 가스와 함께 도입되고 에피택셜 In
x Ga
1-x N 층이 N
2 가스에 의해 상기 버퍼 층에서 성장된다.
캐리어 가스로서 N
2 대신에 헬륨(He)을 사용함으로써, 더욱 고품질의 In
x Ga
1-x N 층이 얻어진다. 또한, InN 버퍼 층이 GaN 버퍼 층으로 변형될 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019970068061A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019970010253

申请日：1997-03-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  시마즈미쯔루 ,  마쯔시마마사토 ,  미우라요시키 ,  모토키겐사쿠 ,  세키히사시 ,  고우키투아키노리

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 기판(1)상에 인듐 갈륨 질소(In
x Ga
1 -
x N: 여기에서, 0＜X＜1)의 양호한 품질 에피텍셜 화합물 반도체층 형성 방법을 제공한다.
인듐 삼염화물(InCl
3 )을 함유하는 제1가스 및 암모니아(NH
3 )를 함유하는 제2가스는 제1온도에서 가열된 반응실(56)로 도입되고 인듐 질소(InN)는 InN 버퍼층을 형성하기 위해 질소(N
2 ) 캐리어 가스에 의해 기판(1)상에 에피텍셜적으로 성장된다.
그후 염화수소(HCl) 및 갈륨(Ca)을 함유하는 제3가스는 제1온도보다 높은 제2온도에서 가열된 반응실(56)로 제1 및 제2가스와 함께 도입되고 에피텍셜 In
x Ga
1 -
x N층은 N
2 가스에 의해 버퍼 층에 성장된다. 캐리어 가스로써 N
2 대신에 헬륨(He)을 사용함으로써, 더욱 동질적인 품질을 가진 In
x Ga
1 -
x N 층이 얻어진다. 부가로 InN 버퍼 층이 GaN 버퍼 층안에 변형될 수 있다.

公开(公告)号：KR100297532B1

公开(公告)日：2001-10-25

申请号：KR1019980008432

申请日：1998-03-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키겐사쿠 ,  마쓰시마마사토 ,  아키타가쓰시 ,  시마즈미쓰루 ,  다케모토기쿠로 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

Abstract: 입방정 반도체(111) 기판 위에 형성된 GaN층을 갖는 에피택셜 웨이퍼를 제공한다.
입방정 반도체(111) 기판, 기판 위에 형성된 두께 60nm 이상의 제1 GaN층 및 제1 GaN층 위에 형성된 두께 0.1㎛ 이상의 제2 GaN층을 포함한다.

公开(公告)号：KR100243623B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019960038575

申请日：1996-09-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  시마쯔미쓰루 ,  모토키겐사쿠 ,  오카히사다쿠지 ,  마쓰시마마사토 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 고온에서 에피택셜 성정할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 및 이의 제조방법을 제공한다. 에티팩셜 웨이퍼는 As 또는 P를 함유하는 화합물 반도체 기판(1)과 기판(1)의 표면(1a)과 이면(1b)을 피복하도록 형성된 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 구비한다.
에피택셜 웨이퍼의 제조방법은 As 또는 P를 함유하는 기판의 적어도 표리 양면을 피복하도록 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 300℃ 내지 800℃의 성장 온도에서 성장시키는 단계와 피복층이 성장된 기판을 700℃ 내지 1200℃의 온도에서 어닐하는 단계를 구비한다.

公开(公告)号：KR1019980080216A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019980008432

申请日：1998-03-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키겐사쿠 ,  마쓰시마마사토 ,  아키타가쓰시 ,  시마즈미쓰루 ,  다케모토기쿠로 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

Abstract: 입방정 반도체(111) 기판 위에 형성된 GaN층을 갖는 에피택셜 웨이퍼를 제공한다.
입방정 반도체(111) 기판, 기판 위에 형성된 두께 60nm 이상의 제1 GaN층 및 제1 GaN층 위에 형성된 두께 0.1㎛ 이상의 제2 GaN층을 포함한다.

公开(公告)号：KR1019960036160A

公开(公告)日：1996-10-28

申请号：KR1019960006429

申请日：1996-03-12

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  마츠바라히데키 ,  마츠시마마사토 ,  세키히사시 ,  고우키투아키노리

IPC: H01L33/00

Abstract: 고성능 화합물 반도체 발광 소자 및 그것을 공업적으로 제조할 수 있는 방법이 제공된다.
화합물 반도체 발광소자는 GaAs 기판(1)과 기판(1)상에 형성된 두께가 10㎜~80㎜으 GaN로 이루어지는 버퍼층(2)고 버퍼층(2)상에 형성된 Al
X Ga
1 -
X N(다만, 0≤X＜1)로 이루어지는 에피탁시층(3)과 버퍼층(2)과 에피탁시층(3)과의 계면에 위치하는 부정합면(8)과 에피탁시층(3)상에 형성된 발광층(4)상에 형성된 클래드층(5)을 포함한다. 버퍼층(2)은 유기 금속 클로라이드 기상 에피탁시 성장법에 의해 제 1의 온도에서 형성되고 에피탁시층(3)은 유기 금속 클로라이드 기상 에피탁시 성장법에 의해서 제 1의 온도보다 높은 제 2의 온도에서 형성된다.
발광층은 Mg 도프된 In
y Ga
1 -
y N(다만, 0＜y＜1)로 이루면 양호하다.

公开(公告)号：KR1019960026994A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019950056323

申请日：1995-12-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  후지타케이이치로 ,  타케모토키쿠로 ,  마쯔시마마사토 ,  마쯔바라히데키 ,  타카기시시게노리 ,  세키히사시 ,  코키쯔아키노리

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은, 발광소자 등에 사용가느한 고성능의 에피텍셜웨이퍼, 및 그것을 공업적으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하며, 그 구성에 있어서, GaAs, GaP, InAs 및 InP로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물반도체기판(1)과, 기판(1)위에 형성된 두께가 10~80nm의 GaN으로 이루어진 버퍼층(2)과, 버퍼층(2)위에 형성된 GaN을 함유한 에피텍셜층(3)을 구비한 것을 특징으로 한 에피텍셜웨이퍼와, 버퍼층(2)은, 유기금속클로라이드기상에피텍시성장법에 의해, 제1의 온도로 형성되고, 에피텍셜층(3)은, 유기금속클로라이드기상에피텍시성장법에 의해, 제1의 온도보다 높은 제2의 온도로 형성하는 상기 웨이퍼의 제조방법을 특징으로 한 것이다.