公开(公告)号：KR1019970017991A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019960038575

申请日：1996-09-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  시마쯔미쓰루 ,  모토키겐사쿠 ,  오카히사다쿠지 ,  마쓰시마마사토 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

Abstract: 고온에서 에피택셜 성장할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 및 이의 제조방법을 제공한다. 에피택셜 웨이퍼는 As 또는 P를 함유하는 화합물 반도체 기판(1)과 기판(1)의 표면(1a)과 이면(1b)을 피복하도록 형성된 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 구비한다.
에피택셜 웨이퍼의 제조방법은 As 또는 P를 함유하는 기판의 적어도 표리 양면을 피복하도록 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 300℃ 내지 800℃의 성장 온도에서 성장시키는 단계와 피복층이 성장된 기판을 700℃ 내지 1200℃의 온도에서 어닐하는 단계를 구비한다.

公开(公告)号：KR101753936B1

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020127031474

申请日：2011-05-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  우에마츠고지 ,  가사이히토시 ,  오카히사다쿠지

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/16

CPC classification number: H01L33/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02664

Abstract: 전표면에서옐로우발광이적고, 도전성을갖는 GaN 결정자립기판및 그제조방법을제공한다. 본 GaN 결정자립기판은, HVPE법에의해, 결정측면을제외한결정성장면으로서, (0001)면과 {10-11}면및 {11-22}면중 적어도어느면이혼재하는상태로성장시킨것이며, (0001)면성장결정영역에있어서, 탄소농도가 5×10개/㎤이하이고규소농도가 5×10개/㎤이상 2×10개/㎤이하이고산소농도가 1×10개/㎤이하이며, {10-11}면및 {11-22}면중 적어도어느면을결정성장면으로서성장시킨패싯결정영역에있어서, 탄소농도가 3×10개/㎤이하이고규소농도가 5×10개/㎤이하이고산소농도가 5×10개/㎤이상 5×10개/㎤이하이다.

Abstract translation: 提供一种在所有表面具有较少黄色发射并具有导电性的GaN晶体自支撑衬底及其制造方法。 GaN晶体自由站立衬底是，作为晶体生长面，除了，通过HVPE法确定的一侧，该（0001）面以及{10-11}面及{11-22} myeonjung这将至少长到其中混合的表面的状态 （0001）面生长晶体区域中的硅浓度为5×10 6 / cm 3以上且2×10 4 / cm 3以下，氧浓度为1×10 6 / cm 3以下， {10-11}平面和在刻面生长晶体区域{11-22} myeonjung在其中至少一个表面作为晶体生长面，3×10个/㎤或更少的碳浓度为5×10号的硅浓度/ cm 3以下，氧浓度为5×10 4 / cm 3以上且5×10 4 / cm 3以下。

公开(公告)号：KR1020070117490A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：KR1020070055527

申请日：2007-06-07

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  모토키겐사쿠 ,  우에마츠고지 ,  나카하타세이지 ,  히로타류 ,  이지리히데유키 ,  가사이히토시 ,  후지타슌스케 ,  사토후미타카 ,  마츠오카도루

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/16

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: A method of growing a gallium nitride crystal is provided to reduce a density of dislocations effectively by forming a stable grain boundary at an interface of two different crystal regions, in an epitaxial growth method. A mask(M) inhibiting epitaxial growth of a gallium nitride crystal is formed partially on a ground substrate(U). The gallium nitride crystal is grown epitaxially on the ground substrate in which the mask is formed, while doping carbon. A first crystal region is grown from a periphery region of the mask toward inside, and an c-axis direction is reversed in the first crystal region relative to a second crystal region grown on a region where the mask is not formed in the ground substrate.

Abstract translation: 提供一种生长氮化镓晶体的方法，通过在外延生长法中在两个不同晶体区域的界面处形成稳定的晶界，有效地降低位错密度。 抑制氮化镓晶体的外延生长的掩模（M）部分地形成在接地基板（U）上。 在形成掩模的接地衬底上外延生长氮化镓晶体，同时掺杂碳。 第一晶体区域从掩模的周边区域向内部生长，并且在第一晶体区域中相对于在未在掩模衬底中形成掩模的区域上生长的第二晶体区域的c轴方向反转。

公开(公告)号：KR1020050076625A

公开(公告)日：2005-07-26

申请号：KR1020050004028

申请日：2005-01-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지

IPC: H01L21/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02

Abstract: 본 발명은 GaN 결정 성장에 있어서의 피트 직경의 증대를 억제하고, 기판 취득률이 높은 GaN 결정 기판을 얻을 수 있는 GaN 결정 기판의 제조 방법을 제공하는 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기초 기판(1) 위에 기상 성장법에 의해 GaN 결정(4)을 성장시키는 공정을 포함하는 GaN 결정 기판의 제조 방법으로서, 상기 GaN 결정(4)을 성장시키는 공정에 있어서, 패싯면(5F)을 갖는 피트(6)를 결정 성장면에 형성하고, 피트(6)의 피트 직경 증가율을 20% 이하로 하는 것을 특징으로 하는 GaN 결정 기판의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019970068061A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019970010253

申请日：1997-03-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  시마즈미쯔루 ,  마쯔시마마사토 ,  미우라요시키 ,  모토키겐사쿠 ,  세키히사시 ,  고우키투아키노리

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 기판(1)상에 인듐 갈륨 질소(In
x Ga
1 -
x N: 여기에서, 0＜X＜1)의 양호한 품질 에피텍셜 화합물 반도체층 형성 방법을 제공한다.
인듐 삼염화물(InCl
3 )을 함유하는 제1가스 및 암모니아(NH
3 )를 함유하는 제2가스는 제1온도에서 가열된 반응실(56)로 도입되고 인듐 질소(InN)는 InN 버퍼층을 형성하기 위해 질소(N
2 ) 캐리어 가스에 의해 기판(1)상에 에피텍셜적으로 성장된다.
그후 염화수소(HCl) 및 갈륨(Ca)을 함유하는 제3가스는 제1온도보다 높은 제2온도에서 가열된 반응실(56)로 제1 및 제2가스와 함께 도입되고 에피텍셜 In
x Ga
1 -
x N층은 N
2 가스에 의해 버퍼 층에 성장된다. 캐리어 가스로써 N
2 대신에 헬륨(He)을 사용함으로써, 더욱 동질적인 품질을 가진 In
x Ga
1 -
x N 층이 얻어진다. 부가로 InN 버퍼 층이 GaN 버퍼 층안에 변형될 수 있다.

公开(公告)号：KR101467579B1

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020080114598

申请日：2008-11-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/02 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본발명에따른 III족질화물반도체결정의성장방법은이하의공정을갖고있다. 우선, 하지(下地) 기판이준비된다(단계 S1). 그리고, 기상성장법에의해하지기판상에사(4)불화규소가스를도핑가스로서이용함으로써실리콘을도핑한 III족질화물반도체결정이성장된다(단계 S2).

公开(公告)号：KR101444954B1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020080115148

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정 기판은 25 ㎜ 이상 160 ㎜ 이하의 직경을 갖는 III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 저항률이 1×10
-4 Ω cm 이상 0.1 Ω cm 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 직경 방향의 저항률의 분포가 -30% 이상 30% 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 두께 방향의 저항률의 분포가 -16% 이상 16% 이하이다.

公开(公告)号：KR1020090052292A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080115335

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 실시한다. 우선, 하지(下地) 기판이 준비된다(단계 S1). 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판 상에 사염화규소(SiCl
4 ) 가스를 도핑 가스로서 이용함으로써 실리콘을 도핑한 제1의 III족 질화물 반도체 결정이 성장된다(단계 S2). 이 제1의 III족 질화물 반도체 결정의 성장 속도가 200(㎛/h) 이상 2000(㎛/h) 이하이다.

公开(公告)号：KR1020090052288A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080115148

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정 기판은 25 ㎜ 이상 160 ㎜ 이하의 직경을 갖는 III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 저항률이 1×10
-4 Ω cm 이상 0.1 Ω cm 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 직경 방향의 저항률의 분포가 -30% 이상 30% 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 두께 방향의 저항률의 분포가 -16% 이상 16% 이하이다.

公开(公告)号：KR1020070070070A

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020060131038

申请日：2006-12-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가사이히토시 ,  오카히사다쿠지 ,  후지타슌스케 ,  마츠모토나오키 ,  이지리히데유키 ,  사토후미타카 ,  모토키겐사쿠 ,  나카하타세이지 ,  우에마츠고지 ,  히로타류

IPC: C30B29/38

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: A method and apparatus for preparing a group III nitride crystal substance is provided to effectively clean deposits adhered on a reaction chamber during growth of the group III nitride crystal substance. An interior of a reaction chamber is cleaned by introducing HCl gas into the reaction chamber, and a group III nitride crystal substance is vapor-deposited in the cleaned reaction chamber. The step of cleaning the interior of the reaction chamber is carried out under conditions of at least 1.013 hPa and not more than 1013 hPa for HCl gas partial pressure and at least 650 deg.C to 1200 deg.C for temperature in the reaction chamber.

Abstract translation: 提供了用于制备III族氮化物晶体物质的方法和装置，以有效地清除在III族氮化物晶体物质生长过程中附着在反应室上的沉积物。 通过将HCl气体引入反应室来清洁反应室的内部，并且在清洁的反应室中气相沉积III族氮化物晶体物质。 清洗反应室内部的步骤在HCl气体分压至少为1.013hPa和不高于1013hPa，反应室内的温度为至少650℃至1200℃的条件下进行。