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    용융염 전지
    1.
    发明公开
    용융염 전지 审中-实审
    熔盐电池

    公开(公告)号：KR1020160100928A

    公开(公告)日：2016-08-24

    申请号：KR1020167013573

    申请日：2014-11-06

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 세누기쿠오 ,  이와사키미즈오 ,  모치다야스시

    IPC: H01M10/39 ,  H01M2/30 ,  H01M2/34

    CPC classification number: H01M2/348 ,  H01M2/30 ,  H01M10/399 ,  H01M2200/103 ,  Y02E60/12

    Abstract: 제1 전극과, 제2 전극과, 제1 전극과제2 전극을전기적으로절연하는세퍼레이터를갖는전극군과, 용융염전해질과, 전극군과용융염전해질을수용하며, 개구부를갖는바닥이있는케이스와, 케이스의개구부를밀봉하는밀봉판과, 밀봉판에마련된, 제1 전극의제1 외부단자및 제2 전극의제2 외부단자와, 제1 외부단자에고정된버스바 부품과, 버스바 부품과제1 외부단자를전기적으로절연하도록, 제1 외부단자와버스바 부품사이에개재되는제1 절연부와, 버스바 부품과제1 외부단자과전기적으로접속되며, 주위온도가기준온도(T1) 미만일때 버스바 부품과제1 외부단자를도통시키는온도퓨즈부품과, 온도퓨즈부품을, 밀봉판의표면에접촉또는근접한상태로, 밀봉판에고정하는고정부를구비하고, 충전전류가, 버스바 부품으로부터온도퓨즈부품을경유하여, 제1 외부단자에입력되도록구성되어있는, 용융염전지.

    Abstract translation: 和接收第一电极和第二电极，所述第一电极项目电极组，并且在熔融盐成为电极组和熔融盐成为具有用于电绝缘的第二电极的情况下具有底部具有开口的隔板 固定到第一外部端子的母线部分，固定到第一外部端子的母线部分和固定到第一外部端子的母线部分， 部分任务1，以便从外部终端，第一和第一绝缘部分位于所述外部端子和所述汇流条部件之间电绝缘，所述汇流条部分配第一外danjagwa电连接到基于温度（T1）在环境温度低于 以及固定部分，用于将热熔断器部分和热熔断器部分固定到密封板上，与密封板的表面接触或靠近， 通过热熔断器部分，到达第一个外部端子 如果熔融盐它被配置成输出。

    질화물 반도체 기판 및 질화물 반도체 기판의 제조 방법
    3.
    发明公开
    질화물 반도체 기판 및 질화물 반도체 기판의 제조 방법 无效
    氮化物半导体衬底及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020050033422A

    公开(公告)日：2005-04-12

    申请号：KR1020040067462

    申请日：2004-08-26

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 이리쿠라마사토 ,  모치다야스시 ,  나카야마마사히로

    IPC: H01L33/22

    CPC classification number: H01L21/02013 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: A nitride semiconductor substrate and a method for manufacturing the same are provided to obtain a nitride base semiconductor thin film having the low potential density and the low cost using an epitaxial growth. A surface roughness of a nitride semiconductor substrate is Rms 5nm to 200nm. The surface roughness of a nitride semiconductor substrate is Rms 50nm to 200nm. The nitride semiconductor substrate having a surface roughness of Rms 5nm to 200nm is obtained by lapping using separated or fixed abrasive grains. The nitride semiconductor substrate having a surface roughness of Rms 5nm to 200nm and a potential density of 10.sup.5cm.sup.-2 to 10.sup.9cm.sup.-2, is obtained by lapping using separated or fixed abrasive grains.

    Abstract translation: 提供一种氮化物半导体衬底及其制造方法，以使用外延生长获得具有低电位密度和低成本的氮化物基底半导体薄膜。 氮化物半导体衬底的表面粗糙度为5nm至200nm的Rms。 氮化物半导体衬底的表面粗糙度为50nm至200nm的Rms。 具有5nm至200nm的Rms表面粗糙度的氮化物半导体衬底通过使用分离或固定的磨料研磨而获得。 通过使用分离的或固定的磨粒研磨获得表面粗糙度为5nm至200nm，电位密度为10.sup.5cm.sup.2至10.sup.9cm.sup.2的氮化物半导体衬底 。

    축전 디바이스
    4.
    发明公开
    축전 디바이스 审中-实审
    电力存储设备

    公开(公告)号：KR1020170067777A

    公开(公告)日：2017-06-16

    申请号：KR1020177010073

    申请日：2015-05-22

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 이와사키미즈오 ,  모치다야스시 ,  아라야다케시

    IPC: H01M2/04 ,  H01M2/06 ,  H01M2/30 ,  H01M2/08 ,  H01G11/80 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/054 ,  H01G11/06

    CPC classification number: Y02E60/13 ,  H01M2/04 ,  H01G11/06 ,  H01G11/80 ,  H01M2/06 ,  H01M2/08 ,  H01M2/30 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/054 ,  Y02E60/122

    Abstract: 축전디바이스는, 케이스의밀봉판에설치된 2개의전극단자부를구비하고, 각각의전극단자부는, (a) 헤드부와나사부를가지며, 또한밀봉판의단자구멍에케이스의내측으로부터삽입된볼트형의전극단자, (b) 전극단자와단자구멍의주연부사이의링형의제1 개스킷, (c) 전극단자를밀봉판에대하여고정하는너트, (d) 너트와밀봉판사이의와셔, (e) 와셔와밀봉판사이의제2 개스킷, 및 (f) 전극단자의헤드부와밀봉판사이의제3 개스킷을포함하고, 제1∼제3 개스킷은불소수지를포함하고, 제2 개스킷과와셔사이, 제2 개스킷과밀봉판사이, 제3 개스킷과전극단자의헤드부사이, 및제3 개스킷과밀봉판사이에는, 각각아크릴계시일제가배치되어있다.

    Abstract translation: 蓄电装置设置有设置在外壳的封口板两个电极端子，并且每个电极端子部的是，（a）的头部和一螺纹部分，并且从壳体的内侧插入螺栓的密封板的端子孔 （C）用于将电极端子固定到密封板的螺母;（d）用于密封螺母和密封构件的垫圈;（e）垫圈 其密封判断第二垫圈，和（f）包括一个头部部分和判断其第三电极端子的密封垫圈，所述第一通过垫圈3之间的是氟树脂，和所述第二垫圈和所述垫圈和所述第二垫圈 丙烯酸密封材料分别布置在第三垫圈和电极端子的头部之间，以及第三垫圈和密封板之间。

    비수 전해질 전지 및, 그 제조 방법
    7.
    发明公开
    비수 전해질 전지 및, 그 제조 방법 无效
    非电解电解质电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020130108244A

    公开(公告)日：2013-10-02

    申请号：KR1020137001747

    申请日：2011-08-24

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 모치다야스시 ,  우에다미츠야스 ,  요시다켄타로 ,  다케야마토모하루 ,  고토카즈히로

    IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  H01M10/058

    CPC classification number: H01M10/0561 ,  H01M4/131 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585 ,  H01M2300/0068 ,  H01M2300/0094 ,  Y10T29/49115

    Abstract: 확실하게 정·부극층 간의 단락(short circuit)을 방지할 수 있는 비수 전해질 전지 및, 그 제조 방법을 제공한다. Li 함유 산화물을 포함하는 정극 활물질층(12), Li 금속의 석출이 발생할 수 있는 부극 활물질층(22) 및, 이들 활물질층(12, 22)의 사이에 배치되는 황화물 고체 전해질층(SE층)(3)을 구비하는 비수 전해질 전지(100)이다. 이 비수 전해질 전지(100)의 SE층(3)은, 분말 성형층(31)과, 그 분말 성형층(31)의 표면에 기상법에 의해 형성되는 치밀막층(32)을 갖는다. 이 비수 전해질 전지(100)는, 정극 활물질층(12)을 갖는 정극체 위에, 가압 성형법에 의해 분말 성형층(31)을 형성하고, 이어서 분말 성형층(31)을 갖는 정극체를 기반으로 하여 기상법에 의해 치밀막층(32)을 형성한다.

    Abstract translation: 提供一种可以确定地抑制正电极层和负电极层之间的短路的非水电解质电池及其制造方法。 非水电解质电池100包括：含有Li的氧化物的正极活性物质层12; 可以发生Li金属沉积的负极活性物质层22; 以及设置在这些活性物质层12和22之间的硫化物 - 固体电解质层（SE层）3。非水电解质电池100的SE层3包括粉末形成层31和形成的致密膜层32 通过气相法在粉末形成层31的表面上。 在非水电解质电池100中，粉末形成层31通过在包含正极活性物质层12的正极体上的压缩成型工艺形成，然后通过以下方式形成致密膜层32： 在设置有粉末形成层31并作为基板的正极体上进行气相处理。

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