公开(公告)号：KR1020120114403A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：KR1020127023480

申请日：2012-01-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 교노다카시 ,  이시하라구니아키 ,  하치고아키히로 ,  요시다다카히사 ,  우에노마사키 ,  기야마마코토

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025

Abstract: 본 반도체 디바이스(5)는 지지 기판(60)과, 지지 기판(60) 상에 배치된 도전층(50)과, 도전층(50) 상에 배치된 적어도 1층의 III족 질화물 반도체층(200)을 포함하고, III족 질화물 반도체층(200) 중 도전층(50)에 인접하는 도전층 인접 III족 질화물 반도체층(200c)은 n형 도전성을 가지며, 전위 밀도가 1×10
7 ㎝
-2 이하이고, 산소 농도가 5×10
18 ㎝
-3 이하이다. 이에 따라, 결정성이 높은 반도체층을 갖는 n-down형의 반도체 디바이스가 제공된다.