-
公开(公告)号：KR1020120022779A
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020117024480
申请日：2010-03-31
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C04B35/443 , C04B35/645
CPC classification number: C04B35/443 , C04B35/62635 , C04B35/63416 , C04B35/63448 , C04B35/63488 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9653
Abstract: 스피넬 소결체로 이루어지는 광투과용 창재로서, 상기 광투과용 창재 내에 함유되는 기공의 최대 직경이 100 ㎛ 이하이며, 최대 직경 10 ㎛ 이상의 기공수가 상기 광투과용 창재의 1 ㎤당 2.0개 이하인 것을 특징으로 하고, 광의 산란 인자가 더 저감된 스피넬제 광투과용 창재, 및 스피넬 성형체를 제작하는 공정, 상기 스피넬 성형체를 상압 이하 또는 진공 속에서 1500℃?1900℃로 소결하는 1차 소결 공정, 및 가압 하, 온도 범위 1500℃?2000℃에서 소결하는 2차 소결 공정을 포함하며, 1차 소결 공정 후의 스피넬 성형체의 상대 밀도가 95%?96%이고, 2차 소결 공정 후의 스피넬 성형체의 상대 밀도가 99.8% 이상인 것을 특징으로 하는 스피넬제 광투과용 창재의 제조 방법을 제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020070022275A
公开(公告)日：2007-02-26
申请号：KR1020067024150
申请日：2005-04-15
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 , 모리 유스케
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , C30B11/00 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 종결정(10)을 준비하는 공정과, 액상법에 의해 종결정(10)에 제1 Ⅲ족 질화물 결정(21)을 성장시키는 공정을 포함하고, 종결정(10)에 제1 Ⅲ족 질화물 결정(21)을 성장시키는 공정은 종결정(10)의 주면(10h)에 평행한 방향의 결정 성장 속도(V
H )가 종결정(10)의 주면(10h)에 수직인 방향의 결정 성장 속도(V
v )보다 큰 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법에 의해, 종결정(10)의 주면(10h)에 평행한 면의 전위 밀도가 5×10
6 개/㎠ 이하로 낮은 Ⅲ족 질화물 결정을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR100167427B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019960702898
申请日：1995-10-04
Applicant: 코교기주 쯔인 , 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C04B35/587 , B28B1/00 , C04B35/599
CPC classification number: C04B35/593 , C04B35/597
Abstract: 질화규소 및 사이알론계 소결체에 대해서, 복합재료로 하는 일없이 단일 그대로, 초소성을 이용해서 성형하는 방법 및 그 방법에 의해 성형된 소결체를 제공한다.
소결체의 2차원 단면에 있어서의 50㎛ 길이에 대한 결정입자의 선밀도가 120∼250, 상대밀도가 95∼100%인 질화규소 및 사이알론계 소결체를, 1300∼1700℃의 온도에서 인장 또는 압축압력하에 10
-6 /초∼10
-1 /초이하의 변형속도로 소성변형시켜서 성형한다. 성형 후의 소결체는, 배향도가 Saltykov이 정의한 수법에 의해 5∼80% 및 선밀도가 80∼200이며, 특히 상온에 있어서 뛰어난 기계적 특성을 가진다.-
公开(公告)号：KR1019960013529A
公开(公告)日：1996-05-22
申请号：KR1019950035453
申请日：1995-10-14
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C04B35/587
Abstract: 질화규소계소결체의 제조방법은, 해당소결체의 가공소재를 그 내부마찰이 특이피크의 최대치를 보이는 -150℃∼+150℃의 온도범위내에서 열처리하는 방법으로 이루어진다. 본 발명에 이용되는 대표예는, 회토류원소와 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택한 적어도 1종의 5∼15중량%(산화물 환산), Mg, Ti, Ca로 이루어진 군에서 선택한 적어도 1종의 0.5∼5중량%(산화물 환산), 및 잔부 Si
3 N
4 로 구성된 혼합분말을 얻기 위해 질화규소분말을 소결조제분말과 혼합하고, 성형하여 얻은 성형체를 질소함유분위기중에서 1500∼1700℃에서 연결하는 것에 의해 제조하는 방법이다.-
公开(公告)号：KR1019940021470A
公开(公告)日：1994-10-19
申请号：KR1019930026821
申请日：1993-12-08
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C04B35/58 , C04B35/584
Abstract: Si
3 N
4 및/또는 사이아론의 주상결정입자, Si
3 N
4 및/또는 사이아론의 등축상결정입자, 주상 및 등축상결정입자사이에 존재하는 입자경계상 및 입자경계상에 분산된 입자로 이루어지며, 주상결정입자는 단축이 0.3㎛ 이하인 평균입자 크기와 장축이 5㎛ 이하인 평균입자크기를 지니고, 등축상결정입자는 평균입자 크기가 0.1㎛ 이하이며, 나머지 소결체의 총체적에 대한 분산입자의 체적이 0.05vol% 이상인 질화규소소결체로서, 기계부품, 부재의 구조재료의 사용에 충분한 강도를, 지니고, 강도스캐래칭이 최소이고, 신뢰성이 우수하며, 생산성이 월등한 의에 제조비용면에서 유익하다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102003077B1
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：KR1020137029873
申请日：2012-06-12
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01B1/08 , C04B35/00 , C23C14/08 , H01L21/336
-
公开(公告)号：KR101222299B1
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020067024150
申请日：2005-04-15
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 , 모리 유스케
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , C30B11/00 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 종결정(10)을 준비하는 공정과, 액상법에 의해 종결정(10)에 제1 Ⅲ족 질화물 결정(21)을 성장시키는 공정을 포함하고, 종결정(10)에 제1 Ⅲ족 질화물 결정(21)을 성장시키는 공정은 종결정(10)의 주면(10h)에 평행한 방향의 결정 성장 속도(V
H )가 종결정(10)의 주면(10h)에 수직인 방향의 결정 성장 속도(V
v )보다 큰 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법에 의해, 종결정(10)의 주면(10h)에 평행한 면의 전위 밀도가 5×10
6 개/㎠ 이하로 낮은 Ⅲ족 질화물 결정을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR101116550B1
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020050000528
申请日：2005-01-04
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 , 모리 유스케
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B29/403 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B29/406
Abstract: 본 발명은 Ⅲ족 원소와 알칼리 금속을 함유하는 융액(7)에 질소 플라즈마(8a)를 접촉시킴으로써, Ⅲ족 질화물 결정을 성장시키는 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법이다. 또한, Ⅲ족 원소와 알칼리 금속을 함유하는 융액(7) 표면과 융액(7) 속에 설치된 기판(10) 표면 사이의 최단 거리를 50 ㎜ 이하로 한 상태에서 기판(10)상에 Ⅲ족 질화물 결정을 성장시키는 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
-
公开(公告)号：KR1020050073546A
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：KR1020050000528
申请日：2005-01-04
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 , 모리 유스케
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B29/403 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B29/406
Abstract: 본 발명은 Ⅲ족 원소와 알칼리 금속을 함유하는 융액(7)에 질소 플라즈마(8a)를 접촉시킴으로써, Ⅲ족 질화물 결정을 성장시키는 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법이다. 또한, Ⅲ족 원소와 알칼리 금속을 함유하는 융액(7) 표면과 융액(7) 속에 설치된 기판(10) 표면 사이의 최단 거리를 50 ㎜ 이하로 한 상태에서 기판(10)상에 Ⅲ족 질화물 결정을 성장시키는 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
-
公开(公告)号：KR1020140036176A
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020137029873
申请日：2012-06-12
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01B1/08 , C04B35/00 , C23C14/08 , H01L21/336
CPC classification number: C01G9/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C04B35/443 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 도전성 산화물은, In과, Al과, Zn 및 Mg으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소인 M과, O를 포함하고, 또한 결정질 Al
2 MO
4 를 포함한다. 도전성 산화물의 제조 방법은, Zn 및 Mg으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소를 M으로 할 때, Al
2 O
3 분말과 MO 분말을 포함하는 제1 혼합물을 조제하는 공정(S10)과, 제1 혼합물을 가소함으로써 결정질 Al
2 MO
4 분말을 제작하는 공정(S20)과, 결정질 Al
2 MO
4 분말과 In
2 O
3 분말을 포함하는 제2 혼합물을 조제하는 공정(S30)과, 제2 혼합물을 성형함으로써 성형체를 얻는 공정(S40)과, 성형체를 소결하는 공정(S50)을 포함한다. 이것에 의해, 저렴하고 스퍼터링의 타겟에 적합하게 이용되어 고물성의 산화물 반도체막을 얻을 수 있는 도전성 산화물 및 그 제조 방법과 산화물 반도체막을 제공할 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.017 seconds)
