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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130044241A
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：KR1020127033836
申请日：2011-06-27
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: B01J23/755 , B01J23/85 , B01J37/16 , H01M4/88
CPC classification number: B01J23/888 , B01J23/755 , B01J23/866 , H01M4/8853 , H01M4/90 , H01M8/10
Abstract: 가스 분해 등을 수반하는 전기 화학 반응 일반에 있어서, 당해 전기 화학 반응을 촉진할 수 있는, 촉매, 전극, 연료 전지, 가스 제해(除害) 장치 등을 제공한다. 본 발명의 촉매는, 전기 화학 반응을 촉진하기 위해 이용되며, 니켈(Ni)과, {철(Fe), 코발트(Co), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu)} 중 1종 이상을 포함하는 합금 입자의 연쇄체(3)인 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101459406B1
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020127033836
申请日：2011-06-27
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: B01J23/755 , B01J23/85 , B01J37/16 , H01M4/88
CPC classification number: B01J23/888 , B01J23/755 , B01J23/866 , H01M4/8853 , H01M4/90 , H01M8/10
Abstract: 가스 분해 등을 수반하는 전기 화학 반응 일반에 있어서, 당해 전기 화학 반응을 촉진할 수 있는, 촉매, 전극, 연료 전지, 가스 제해(除害) 장치 등을 제공한다. 본 발명의 촉매는, 전기 화학 반응을 촉진하기 위해 이용되며, 니켈(Ni)과, {철(Fe), 코발트(Co), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu)} 중 1종 이상을 포함하는 합금 입자의 연쇄체(3)인 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020110055670A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020117006302
申请日：2009-09-17
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: B01D53/326 , B01D53/56 , B01D53/58 , B01D53/72 , B01D2251/102 , B01D2257/7027 , B01D2257/708 , H01M4/8652 , H01M4/8657 , H01M4/9066 , H01M8/008 , H01M8/2404 , H01M8/243 , H01M8/2432 , H01M2008/1293 , Y02P70/56 , Y02W30/86
Abstract: (과제) 소형의 장치로, 큰 처리 능력을 갖고, NOx, 이산화탄소의 발생의 우려 없이, 낮은 러닝 비용으로 가동할 수 있으며, 나아가서는, 조립시의 취급이 용이하고 구조가 간단하며, 또한 내구성이 우수한 전기 화학 반응 장치, 그의 제조 방법, 가스 분해 소자, 암모니아 분해 소자 및, 발전 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 이 전기 화학 반응 장치(10)는, 다공질의 애노드(2)와, 애노드와 쌍을 이루는, 다공질의 캐소드(5)와, 애노드와 캐소드와의 사이에 위치하고, 이온 도전성을 갖는 이온 도전재(1)를 구비하고, 애노드(2)가 표면 산화된 금속 입자 연쇄체(21)를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR101048459B1
公开(公告)日：2011-07-12
申请号：KR1020080089888
申请日：2008-09-11
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/6875 , H01L21/68764
Abstract: 기판(1)의 온도 분포를 균일화할 수 있는 반도체 장치의 제조 장치 및 제조 방법을 제공한다. 이 반도체 장치의 제조 장치는, 기판(1)을 유지하는 서셉터(2)와, 서셉터(2)의 이면측에 설치된 히터와, 기판(1)과 서셉터(2) 사이에 위치하며 지지부(12)를 갖는 지지 부재(11)와, 서셉터(2)와 지지 부재(11) 사이에 위치하는 스페이서(14)를 구비한다. 스페이서(14)에는, 지지 부재(11)의 지지부(12)가 형성되어 있는 위치의 반대면측에 있어서, 개구부(15)가 형성되어 있다.
에피택셜막, 반도체, 기판 가열Abstract translation: 提供了一种能够使衬底（1）的温度分布均匀化的半导体器件的制造装置和制造方法。 该半导体装置的制造装置具有：保持基板1的基座2;设置在基座2的背面侧的加热器;以及配置在基板1与基座2之间的加热器， 支撑构件11具有位于基座2和支撑构件11之间的支撑构件12和间隔件14。 间隔件14在与形成支撑构件11的支撑部分12的位置相反的一侧设置有开口15。
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公开(公告)号：KR1020090028448A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：KR1020080089888
申请日：2008-09-11
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/6875 , H01L21/68764
Abstract: A manufacturing device of a semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to uniformize temperature distribution of a substrate by forming a supporting part into a protrusion shape in order to reduce a contact area of the substrate and a supporting member. A susceptor(2) maintains a substrate(1). A heating member heats the substrate, and is installed in a rear side of an opposite side of a surface maintaining the substrate of the susceptor. A supporting member(11) having a supporting part(12) of a protrusion shape is positioned between the substrate and the susceptor. A spacer(14) is positioned between the susceptor and the supporting member, and has an opening(15). The opening is positioned in an opposite side of a position on which the supporting part is formed, and is filled with material having a low thermal conductivity about the spacer.
Abstract translation: 提供半导体器件的制造装置及其制造方法，以通过将支撑部形成为突起形状来均匀化基板的温度分布，以减小基板和支撑部件的接触面积。 感受器（2）保持基板（1）。 加热构件加热基板，并且安装在保持基座的基板的表面的相反侧的后侧。 具有突起形状的支撑部分（12）的支撑构件（11）位于基板和基座之间。 间隔件（14）位于基座和支撑构件之间，并且具有开口（15）。 开口位于其上形成有支撑部的位置的相对侧，并且填充有围绕间隔件的具有低导热性的材料。
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