公开(公告)号：KR1020110055670A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117006302

申请日：2009-09-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 마지마마사토시 ,  후쿠나가아츠시 ,  이나자와신지 ,  우에다토시오 ,  나카타모토미 ,  모리히로키 ,  야마카와마사히로

IPC: B01J19/08 ,  B01D53/86 ,  B01J23/50 ,  B01J35/08

CPC classification number: B01D53/326 ,  B01D53/56 ,  B01D53/58 ,  B01D53/72 ,  B01D2251/102 ,  B01D2257/7027 ,  B01D2257/708 ,  H01M4/8652 ,  H01M4/8657 ,  H01M4/9066 ,  H01M8/008 ,  H01M8/2404 ,  H01M8/243 ,  H01M8/2432 ,  H01M2008/1293 ,  Y02P70/56 ,  Y02W30/86

Abstract: (과제) 소형의 장치로, 큰 처리 능력을 갖고, NOx, 이산화탄소의 발생의 우려 없이, 낮은 러닝 비용으로 가동할 수 있으며, 나아가서는, 조립시의 취급이 용이하고 구조가 간단하며, 또한 내구성이 우수한 전기 화학 반응 장치, 그의 제조 방법, 가스 분해 소자, 암모니아 분해 소자 및, 발전 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 이 전기 화학 반응 장치(10)는, 다공질의 애노드(2)와, 애노드와 쌍을 이루는, 다공질의 캐소드(5)와, 애노드와 캐소드와의 사이에 위치하고, 이온 도전성을 갖는 이온 도전재(1)를 구비하고, 애노드(2)가 표면 산화된 금속 입자 연쇄체(21)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100789078B1

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：KR1020040082999

申请日：2004-10-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나카무라타카오 ,  모리히로키 ,  카타야마코지

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/327 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/28 ,  H01L2224/48463

Abstract: 본 발명의 발광다이오드는, 양자우물 콘택트 반도체영역(3)과, 금속전극(5)을 가지고 있다. 양자우물 콘택트 반도체영역(3)은, 아연, 셀렌 및 텔루르를 함유하는 II-VI반도체로 이루어져 있으며, 또 양자우물 콘택트 반도체영역(3)은, II-VI반도체영역(7)과, 제 1의 II-VI반도체의 층(9)을 가지고 있다. 제 1의 II-VI반도체의 층(9)은, II-VI반도체영역(7)과 금속전극(5)과의 사이에 형성되어 있다. 금속전극(5)은, 양자우물 콘택트 반도체영역(3) 위에 형성되어 있다. 금속전극(5)은, 제 1의 II-VI반도체의 층(9)에 전기적으로 접속되어 있다. 매우 적합한 실시예에서는, 제 1의 II-VI반도체의 층(9)은 ZnSe반도체로 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020070085251A

公开(公告)日：2007-08-27

申请号：KR1020077008334

申请日：2005-12-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시모토스스무 ,  마츠바라히데키 ,  사이토우히로히사 ,  미사키다카시 ,  나카니시후미타케 ,  모리히로키

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01S5/105 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: Disclosed is a semiconductor laser device (1) comprising a substrate (3) having a major surface (3a), a photonic crystal layer (7) which is formed above the substrate (3) along the direction in which the major surface (3a) extends and contains an epitaxial layer (2a) composed of GaN and a low refractive index material (2b) having a refractive index lower than the epitaxial layer (2a), an n-type cladding layer (4) formed on the substrate (3), a p-type cladding layer (6) formed above the substrate (3), an active layer (5) interposed between the n-type cladding layer (4) and the p-type cladding layer (6) which emits light when carriers are injected thereinto, and a GaN layer (12) directly covering the photonic crystal layer (7). The semiconductor laser device can be manufactured without performing fusion bonding.

Abstract translation: 公开了一种半导体激光装置（1），其包括具有主表面（3a）的基板（3），沿着主表面（3a）的方向形成在基板（3）上方的光子晶体层（7） 延伸并包含由GaN构成的外延层（2a）和折射率低于外延层（2a）的低折射率材料（2b），形成在基板（3）上的n型覆层（4） ，形成在所述基板（3）上方的p型覆层（6），插入在所述n型覆盖层（4）与所述p型覆盖层（6）之间的有源层（5），所述p型覆盖层在载体 以及直接覆盖光子晶体层（7）的GaN层（12）。 可以在不进行熔接的情况下制造半导体激光装置。

公开(公告)号：KR101131380B1

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：KR1020077008334

申请日：2005-12-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시모토스스무 ,  마츠바라히데키 ,  사이토우히로히사 ,  미사키다카시 ,  나카니시후미타케 ,  모리히로키

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01S5/105 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 반도체 레이저 소자(1)는 주요면(3a)을 갖는 기판(3)과, 주요면(3a)이 연장되는 방향을 따라 기판(3) 상에 형성되고, GaN으로 이루어지는 에피택셜층(2a)과, 에피택셜층(2a)보다도 저굴절률인 저굴절률 재료(2b)를 포함하는 포토닉 결정층(7)과, 기판(3) 상에 형성된 n형 클래드층(4)과, 기판(3) 상에 형성된 p형 클래드층(6)과, n형 클래드층(4) 및 p형 클래드층(6) 사이에 끼여, 캐리어가 주입되면 발광하는 활성층(5)과, 포토닉 결정층(7) 바로 위를 덮는 GaN층(12)을 구비하고 있다. 이것에 의해, 융착 접합을 행하지 않고서 반도체 레이저 소자를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050039567A

公开(公告)日：2005-04-29

申请号：KR1020040082999

申请日：2004-10-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나카무라타카오 ,  모리히로키 ,  카타야마코지

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/327 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/28 ,  H01L2224/48463

Abstract: 본 발명의 발광다이오드는, 양자우물 콘택트 반도체영역(3)과, 금속전극(5)을 가지고 있다. 양자우물 콘택트 반도체영역(3)은, 아연, 셀렌 및 텔루르를 함유하는 II-VI반도체로 이루어져 있으며, 또 양자우물 콘택트 반도체영역(3)은, II-VI반도체영역(7)과, 제 1의 II-VI반도체의 층(9)을 가지고 있다. 제 1의 II-VI반도체의 층(9)은, II-VI반도체영역(7)과 금속전극(5)과의 사이에 형성되어 있다. 금속전극(5)은, 양자우물 콘택트 반도체영역(3) 위에 형성되어 있다. 금속전극(5)은, 제 1의 II-VI반도체의 층(9)에 전기적으로 접속되어 있다. 매우 적합한 실시예에서는, 제 1의 II-VI반도체의 층(9)은 ZnSe반도체로 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020050029103A

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：KR1020040023635

申请日：2004-04-07

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  나카무라타카오 ,  모리히로키 ,  카타야마코지

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L33/06 ,  H01S5/327

Abstract: A semiconductor light emitting device is provided to extend the lifetime of a ZnSe-based light emitting device by forming a semiconductor barrier layer between an active layer and a p-type clad layer such that the semiconductor barrier layer has a bandgap greater than that of a p-type clad layer. A light emitting device of a II-VI group compound semiconductor is formed on a compound semiconductor substrate(1), including an active layer(4) between an n-type clad layer(3) and a p-type clad layer(5). A semiconductor barrier layer(11) having a bandgap greater than that of the p-type clad layer is formed between the active layer and the p-type clad layer.

Abstract translation: 提供一种半导体发光器件，以通过在有源层和p型覆盖层之间形成半导体势垒层来延长ZnSe基发光器件的寿命，使得半导体阻挡层的带隙大于 p型覆层。 在包括n型覆盖层（3）和p型覆盖层（5）之间的有源层（4）的化合物半导体基板（1）上形成II-VI族化合物半导体的发光元件， 。 在有源层和p型覆盖层之间形成具有比p型覆盖层大的带隙的半导体势垒层（11）。