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公开(公告)号：KR1020060122868A
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：KR1020067010086
申请日：2004-11-17
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L29/16
CPC classification number: H01L29/1602 , H01J1/308
Abstract: There is provided a diamond n-type semiconductor whose carrier concentration change amount is sufficiently reduced in a wide temperature range. The diamond n-type semiconductor includes a diamond substrate and a diamond semiconductor formed on the main surface of the diamond substrate and judged to be n-type. The diamond semiconductor has a carrier concentration (electron concentration) temperature dependency showing a negative correlation and a hole coefficient temperature dependency showing a positive correlation at a part of the temperature range where it is judged to be n-type. The diamond n-type semiconductor having such characteristics can be obtained, for example, by forming a diamond semiconductor doped with a plenty of donor element while introducing impurities other than the donor element into the diamond substrate.
Abstract translation: 提供了在宽温度范围内载流子浓度变化量充分降低的金刚石n型半导体。 金刚石n型半导体包括形成在金刚石基板的主表面上的金刚石基底和金刚石半导体，并被判定为n型。 金刚石半导体具有显示负相关性的载流子浓度（电子浓度）温度依赖性和在判断为n型的温度范围的一部分呈现正相关性的空穴系数温度依赖性。 具有这种特性的金刚石n型半导体可以例如通过形成掺杂有大量施主元素的金刚石半导体，同时将施主元素以外的杂质引入到金刚石基底中来获得。
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公开(公告)号：KR1020060009811A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：KR1020057006675
申请日：2004-05-25
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C25B11/04
CPC classification number: C02F1/46109 , C02F2001/46133 , C02F2001/46138 , C25B11/0442 , Y10T428/30
Abstract: A diamond electrode having a sufficiently low resistance is disclosed which is realized by increasing the amount of boron added thereto. A method for producing a high- performance, high-durability electrode is also disclosed by which adhesiveness between a diamond coating and a substrate and separation resistance during electrolysis are sufficiently increased. An electrode composed of a substrate and a diamond layer coating the substrate is characterized in that the electrode is composed of a base coated with diamond and the diamond contains boron in such an amount that the boron concentration is not less than 10,000 ppm but not more than 100,000 ppm. The base is preferably made of an insulating material.
Abstract translation: 公开了具有足够低电阻的金刚石电极，其通过增加添加到其中的硼的量来实现。 还公开了一种用于生产高性能，高耐久性电极的方法，其中金刚石涂层和基底之间的粘合性和电解过程中的分离电阻充分增加。 由基材和涂覆基材的金刚石层构成的电极的特征在于，电极由涂有金刚石的基材构成，金刚石含有硼，其含量不低于10,000ppm但不大于 100,000 ppm。 基部优选由绝缘材料制成。
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公开(公告)号：KR1020050067071A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020040112136
申请日：2004-12-24
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/04
Abstract: 본 발명은 균일한 면 방위를 갖는 복수의 다이아몬드 단결정 기판을 나란히 배치하고, 기상 합성법으로 상기 다이아몬드 단결정 기판 상부에 다이아몬드 단결정을 성장시킴으로써 전면 일체화하여 제작하며, 하나의 다이아몬드 단결정 기판을 제외한 상기 복수의 다이아몬드 단결정 기판 각각의 주면 (main plane)의 {100} 면으로부터의 면 방위 이탈이 1도 미만이고, 상기 제외된 하나의 다이아몬드 단결정 기판의 주면의 {100} 면으로부터의 면 방위 이탈이 1 내지 8도이고, 다이아몬드 단결정 기판을 나란히 배치할 때 상기 하나의 다이아몬드 단결정 기판을 최외곽 외주부에 배치하고, 또한 상기 하나의 기판의 주면에서의 방향이 배치된 기판의 외곽 외주부를 향하도록 배치하고, 이 후 상기 하나의 다이아몬드 단결정 기판으로부터 성장하는 다이아몬� � 단결정이 다른 기판 상에서 성장하는 다이아몬드 단결정을 덮도록 다이아몬드 단결정을 기상 합성법으로 성장시킴으로써 전면 일체화시킨 다이아몬드 단결정 복합 기판에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020050013212A
公开(公告)日：2005-02-03
申请号：KR1020047020487
申请日：2003-06-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/04
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02494 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/041 , H01L29/66022 , H01L29/66037
Abstract: 본 발명은, n형 반도체 다이아몬드의 제조 방법, n형 반도체 다이아몬드, pn 접합형 반도체 다이아몬드, pnp 접합형 반도체 다이아몬드, npn 접합형 반도체 다이아몬드, 및 pin 접합형 반도체 다이아몬드에 관한 것이다. 본 발명에서, 다이아몬드 {100} 단결정 기판(10)을 가공하여, 다이아몬드 {111}면을 형성한 후, 다이아몬드 {111}면 위에 n형 도우펀트를 도핑하면서 다이아몬드를 에피택셜 성장시켜 n형 다이아몬드 에피택셜층(20)을 형성한다. 또한, 상기한 바와 같이 하여 얻어지는 n형 반도체 다이아몬드와 p형 반도체 다이아몬드, 및 비도핑 다이아몬드를 조합하는 것, p형 반도체 다이아몬드 {100} 단결정 기판을 이용하는 것 등에 의해, pn 접합형, pnp 접합형, npn 접합형 및 pin 접합형의 반도체 다이아몬드가 얻어진다.
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公开(公告)号：KR101120271B1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020040112136
申请日：2004-12-24
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/04
Abstract: 본발명은균일한면 방위를갖는복수의다이아몬드단결정기판을나란히배치하고, 기상합성법으로상기다이아몬드단결정기판상부에다이아몬드단결정을성장시킴으로써전면일체화하여제작하며, 하나의다이아몬드단결정기판을제외한상기복수의다이아몬드단결정기판각각의주면 (main plane)의 {100} 면으로부터의면 방위이탈이 1도미만이고, 상기제외된하나의다이아몬드단결정기판의주면의 {100} 면으로부터의면 방위이탈이 1 내지 8도이고, 다이아몬드단결정기판을나란히배치할때 상기하나의다이아몬드단결정기판을최외곽외주부에배치하고, 또한상기하나의기판의주면에서의 방향이배치된기판의외곽외주부를향하도록배치하고, 이후 상기하나의다이아몬드단결정기판으로부터성장하는다이아몬드단결정이다른기판상에서성장하는다이아몬드단결정을덮도록다이아몬드단결정을기상합성법으로성장시킴으로써전면일체화시킨다이아몬드단결정복합기판에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100988104B1
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020047016807
申请日：2004-01-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/04
CPC classification number: C23C16/279 , C23C16/274 , C30B29/04 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 본 발명의 목적은 반도체 재료, 전자 부품, 광학 부품 등에 사용되는 고인성이고, 또한 대면적ㆍ고품질의 다이아몬드 기판 및 그의 제조법을 제공하는 것이다. 다이아몬드 단결정 기판의 표면에 다이아몬드 다결정막을 적층시켜 다이아몬드 복합 기판으로 한다. 이 복합 기판은 다이아몬드 단결정 기판의 가장 면적이 큰 주면을 {100}면으로 하고, 이 면에 평행한 대면에 상기 다이아몬드 다결정막이 적층되어 있는 것이 바람직하다. 이 다이아몬드 단결정 기판 (3)을 주면의 면방위를 갖는 복수개의 다이아몬드 단결정체로 구성하고 이들 복수개의 다이아몬드 결정체를 이 다이아몬드 다결정층 (4)에 의해 접합하여 다이아몬드 복합 기판 (2)로 할 수 있다. 또한 이 다이아몬드 단결정을 종 결정으로 하여 그 표면에 기상 합성 다이아몬드 단결정을 설치할 수도 있다.
다이아몬드 단결정체, 단결정 기판, 다이아몬드 다결정막, 면방위, 복합 기판-
公开(公告)号：KR1020060055364A
公开(公告)日：2006-05-23
申请号：KR1020050109240
申请日：2005-11-15
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: C04B41/009 , B01D39/2027 , B01D39/2068 , B01D2239/0241 , B01D2239/0478 , B01D2239/1216 , C02F1/001 , C02F1/4672 , C02F2001/46138 , C02F2001/46161 , C02F2101/30 , C02F2201/4613 , C04B41/5002 , C04B41/85 , C04B2111/00793 , C04B2111/00853 , Y10T428/249967 , Y10T428/249969 , Y10T428/24997 , Y10T428/30 , C04B41/4531 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/185 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/581 , C04B38/00
Abstract: 본 발명은 개방 기공 및 여과 기능을 갖는 다공질 모재상에 높은 내식성 및 절연성, 경우에 따라서는 양호한 도전성을 갖는 피복층을 설치함으로써, 물리적ㆍ화학적으로 안정하여 가혹한 환경하에서 사용하는 것이 가능한 내구성이 우수한 다공성 복합 기판을 제공하며, 필터 및 전계용 전극으로서 물 처리법 등에 효과적으로 이용하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 다공질 모재 및 상기 다공질 모재를 피복한 다이아몬드층을 포함하는 복합 부재를 포함하고, 상기 다공질 모재 및 복합 부재는 여과 기능을 하는 개방 기공을 갖는 다공질 복합 기판이다. 상기 다공질 모재는 절연체, 반도체 또는 금속이다.
여과, 다공질, 다이아몬드-
公开(公告)号：KR100933847B1
公开(公告)日：2009-12-24
申请号：KR1020047020487
申请日：2003-06-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/04
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02494 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/041 , H01L29/66022 , H01L29/66037
Abstract: An n-type diamond epitaxial layer 20 is formed by processing a single-crystalline ä100ü diamond substrate 10 so as to form a ä111ü plane, and subsequently by causing diamond to epitaxially grow while n-doping the diamond ä111ü plane. Further, a combination of the n-type semiconductor diamond, p-type semiconductor diamond, and non-doped diamond, obtained in the above-described way, as well as the use of p-type single-crystalline ä100ü diamond substrate allow for a pn junction type, a pnp junction type, an npn junction type and a pin junction type semiconductor diamond to be obtained.
Abstract translation: 一个n型金刚石外延层20是通过加工一个单晶硅和100um; 金刚石基底10以便形成一个＆lt; 111＆u; 并随后通过使金刚石外延生长，同时n掺杂金刚石和金刚石。 平面。 此外，以上述方式获得的n型半导体金刚石，p型半导体金刚石和非掺杂金刚石的组合以及使用p型单晶金刚石和100um; 金刚石衬底允许获得pn结型，pnp结型，npn结型和pin结型半导体金刚石。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020060096177A
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：KR1020057004098
申请日：2003-12-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/265 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/0415 , C30B29/04 , H01L21/265 , H01L29/167
Abstract: A process for producing an n-type semiconductor diamond characterized in that a single crystal of diamond containing 10 ppm or more of N is implanted with ions so as to contain 10 ppm or above of Li, or a single crystal of diamond is implanted with Li and N ions such that the ion implantation depths where the concentrations of Li and N are 10 ppm or above after ion implantation overlap each other to produce a diamond containing Li and N, and then the diamond is heat treated in a temperature range at least 800°C and less than 1800°C thus activating Li and N electrically and restoring the crystal structure of diamond. The n-type semiconductor diamond contains 10 ppm or more of Li and N, respectively, at the same depth from the crystal surface and has a sheet resistance of 107Omega/□ or less.
Abstract translation: 一种制造n型半导体金刚石的方法，其特征在于，将含有10ppm以上的N的金刚石的单晶注入含有10ppm以上的Li的离子，或者将Li的单晶注入Li 和N离子，使得在离子注入之后Li和N的浓度为10ppm或更高的离子注入深度彼此重叠以产生含有Li和N的金刚石，然后在至少800的温度范围内对金刚石进行热处理 ℃且小于1800℃，从而电激活Li和N并恢复金刚石的晶体结构。 n型半导体金刚石在与晶体表面相同的深度处分别含有10ppm以上的Li和N，并且具有107Omega /□以下的薄层电阻。
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公开(公告)号：KR1020060064564A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020057022295
申请日：2004-09-15
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J1/308 , H01J2237/06325 , H01J2237/3175
Abstract: Disclosed is an electron emitter which is smaller in size, lower in operating voltage, and high in efficiency than the conventional ones. Also disclosed is an electron beam source using such an electron emitter. The electron emitter comprises a light- emitting element for irradiating a cathode with light, and at least electron-emitting surface of the cathode is composed of diamond. By having such a structure, the voltage for extracting electrons can be greatly lowered in this electron emitter than the conventional ones. Namely, there is obtained a small-sized electron emitter which can be operated at low voltage. The above-mentioned light-emitting element is preferably formed integrally with the cathode. The light-emitting element and the electrode are preferably composed of diamond. Further, it is desirable that the electron-emitting surface of the cathode is composed of an n-type or p-type diamond semiconductor.
Abstract translation: 公开了一种电子发射器，其尺寸较小，工作电压较低，效率高于常规电子发射器。 还公开了使用这种电子发射体的电子束源。 电子发射器包括用于用光照射阴极的发光元件，并且至少阴极的电子发射表面由金刚石构成。 通过具有这样的结构，在电子发射器中提取电子的电压可以大大降低。 即，可以获得能够在低电压下工作的小型电子发射体。 上述发光元件优选与阴极一体形成。 发光元件和电极优选由金刚石构成。 此外，期望阴极的电子发射表面由n型或p型金刚石半导体组成。
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