公开(公告)号：KR1020100100582A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020097014664

申请日：2008-11-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미즈하라나호 ,  타니자키게이스케 ,  미야나가미치마사 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/00 ,  C30B25/18

Abstract: 본 발명은, 대구경의 두꺼운 AlN 결정을 안정적으로 성장시킬 수 있는 AlN 결정의 성장 방법을 제공한다. 본 발명의 AlN 결정의 성장 방법은, 1000 ㎛ 이상의 파이프 직경을 갖는 마이크로 파이프(4mp)의 밀도가 0 ㎝
-2 이고, 또한 100 ㎛ 이상 1000 ㎛ 미만의 파이프 직경을 갖는 마이크로 파이프(4mp)의 밀도가 0.1 ㎝
-2 이하인 주요면(4m)을 갖는 SiC 기판(4)을 준비하는 공정과, 기상법에 의해 주요면(4m) 상에 AlN 결정(5)을 성장시키는 공정을 구비한다.