公开(公告)号：KR101516036B1

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：KR1020107022987

申请日：2009-04-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/06 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38

Abstract: 높은 결정성을 유지하고, 또한 낮은 비용을 유지하는 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재, 에피택셜 웨이퍼, 및 이들의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재의 제조 방법은, 이종 기판(11)을 준비하는 공정과, 이종 기판(11) 상에, 주표면을 갖는 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층을 성장시키는 공정을 포함한다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서의 주표면의 조성비 x+v는 0＜x+v＜1이다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서, 이종 기판(11)과의 계면으로부터 주표면을 향해 조성비 x+v가 단조 증가 또는 단조 감소한다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서, 이종 기판(11)과의 계면의 조성비 x+v는 주표면의 조성비 x+v보다도 이종 기판(11)의 재료에 가깝다.

Abstract translation: 保持高结晶度并保持低成本的Si

公开(公告)号：KR1020130098156A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020127029950

申请日：2011-11-10

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  세키유키 ,  우에마츠고지 ,  야마모토요시유키 ,  마츠바라히데키 ,  후지와라신스케 ,  요시무라마사시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 본 GaN계 막의 제조 방법은, 주면(11m)내의 열팽창계수가 GaN 결정의 a축 방향의 열팽창계수에 비교해서 0.8배보다 크고 1.2배보다 작은 지지 기판(11)과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)을 포함하고, 단결정막(13)이 단결정막(13)의 주면(13m)에 수직인 축에 대하여 3회 대칭성을 갖는 복합 기판(10)을 준비하는 공정과, 복합 기판(10)에 있어서의 단결정막(13)의 주면(13m)상에 GaN계 막(20)을 성막하는 공정을 포함한다. 이로써, 주면의 면적이 크고 휘어짐이 작은 GaN계 막을 제조하는 것이 가능한 GaN계 막의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020110116114A

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：KR1020117002960

申请日：2010-01-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  야마모토요시유키

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B23/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 질화물 반도체 결정의 제조 방법에서는 이하의 공정이 실시된다. 우선, 원료(17)를 내부에 배치하기 위한 도가니(101)를 준비한다. 도가니(101) 내에서 원료(17)를 가열함으로써 승화시키고, 원료 가스를 석출시킴으로써 질화물 반도체 결정을 성장시킨다. 준비 공정에서는, 원료(17)보다 융점이 높은 금속으로 이루어진 도가니(101)를 준비한다.

公开(公告)号：KR1020100137534A

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：KR1020107023484

申请日：2009-04-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L29/267 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 혼정(混晶) 상태의 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 결정을 실현하고 가공성이 용이한 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재의 제조 방법, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법, Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재 및 에피택셜 웨이퍼를 제공한다.
Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재(10a)의 제조 방법은 이하의 공정을 포함하고 있다. 먼저, Si 기판(11)이 준비된다. 그리고, 펄스 레이저 퇴적에 의해, Si 기판(11) 상에 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층(0＜v＜1, 0＜w＜1, 0＜x＜1, 0＜v+w+x＜1)이 성장된다.

公开(公告)号：KR1020100134039A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：KR1020107022987

申请日：2009-04-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/06 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C4/185 ,  C23C16/34 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 높은 결정성을 유지하고, 또한 낮은 비용을 유지하는 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재, 에피택셜 웨이퍼, 및 이들의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재의 제조 방법은, 이종 기판(11)을 준비하는 공정과, 이종 기판(11) 상에, 주표면을 갖는 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층을 성장시키는 공정을 포함한다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서의 주표면의 조성비 x+v는 0＜x+v＜1이다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서, 이종 기판(11)과의 계면으로부터 주표면을 향해 조성비 x+v가 단조 증가 또는 단조 감소한다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서, 이종 기판(11)과의 계면의 조성비 x+v는 주표면의 조성비 x+v보다도 이종 기판(11)의 재료에 가깝다.

公开(公告)号：KR101591523B1

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020090071298

申请日：2009-08-03

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  야마모토요시유키 ,  나카하타히데아키

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/02

CPC classification number: G02F1/3558 ,  G02F1/353 ,  G02F2001/3548

Abstract: 본발명은, 투과율을향상시킬수 있는파장변환소자의제조방법및 파장변환소자를제공한다. 파장변환소자(10a)의제조방법은, 이하의공정을구비하고있다. 우선, 결정을성장시킨다. 그리고, 결정을분극이서로반전되도록 2 이상으로분할함으로써제1 결정(11)과제2 결정(12)을형성한다. 그리고, 광도파로(13)를따라제1 및제2 결정(11, 12)의분극방향이주기적으로반전되는분극반전구조를형성하고, 분극반전구조는입사광(101)에대해의사위상정합조건을만족하도록, 제1 및제2 결정(11, 12)을끼워맞춘다.

公开(公告)号：KR101526632B1

公开(公告)日：2015-06-05

申请号：KR1020107020566

申请日：2009-04-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

Abstract: 본발명은크랙의발생을억제하며가공성이용이한 SiCAlN기재(基材)의제조방법, 에피택셜웨이퍼의제조방법, SiCAlN기재및 에피택셜웨이퍼를제공한다. SiCAlN기재(10a)의제조방법은이하의공정을포함한다. 먼저, Si 기판(11)을준비한다. 그리고, Si 기판상에 SiCAlN층(0

公开(公告)号：KR1020110122090A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：KR1020117001411

申请日：2010-01-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  야마모토요시유키 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명은, 내구성을 가지며, 또한 도가니의 외부로부터 불순물이 혼입되는 것을 억제한 질화물 반도체 결정을 제조하기 위한 질화물 반도체 결정의 제조 장치, 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 및 질화물 반도체 결정을 제공한다. 질화물 반도체 결정의 제조 장치(100)는 도가니(101)와, 가열부(125)와, 피복부(110)를 구비한다. 도가니(101)에는 원료(17)가 내부에 배치된다. 가열부(125)는 도가니(101)의 외주에 배치되며, 도가니(101)의 내부를 가열한다. 피복부(110)는 도가니(101)와 가열부(125) 사이에 배치된다. 피복부(110)는, 도가니(101)에 대향하는 측에 형성되며 원료(17)보다 융점이 높은 금속으로 이루어지는 제1층(111)과, 제1층(111)의 외주측에 형성되며 제1층(111)을 구성하는 금속의 탄화물로 이루어지는 제2층(112)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110041440A

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：KR1020107029290

申请日：2009-06-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아라카와사토시 ,  사쿠라다다카시 ,  야마모토요시유키 ,  사토잇세이 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  미즈하라나호 ,  미야나가미치마사

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02 ,  G02B3/00

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B3/00 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355 ,  C30B29/40 ,  C30B23/06

Abstract: 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) N(0 x Ga
(1-x) N 단결정(10)을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함한다. 하지 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)이 성장한다. 또한, Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)에 있어서, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.3 이상이다.

公开(公告)号：KR1020110040814A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020117000149

申请日：2009-06-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아라카와사토시 ,  사쿠라다다카시 ,  야마모토요시유키 ,  사토잇세이 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  미즈하라나호 ,  미야나가미치마사

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: Al
x Ga
(1-x) N(0 x Ga
(1-x) N 단결정을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함하고 있다. Al
x Ga
(1-x) N 단결정과 동일한 조성비(x)를 갖는 하지 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 Al
x Ga
(1-x) N 단결정이 성장된다. 또한, Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)은, 300 K로 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 미만의 파장의 광에 대한 흡수 계수가 100 cm
-1 이하이며, 300 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만의 파장의 광에 대한 흡수 계수가 21 cm
-1 이하이다.