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公开(公告)号:KR1020170082511A
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:KR1020177009856
申请日:2015-10-20
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01M8/1246 , H01M8/124
CPC classification number: H01M8/1253 , H01M4/9033 , H01M8/02 , H01M8/04201 , H01M8/12 , H01M8/1213 , H01M8/126 , H01M2008/1293 , H01M2300/0074 , Y02P70/56 , H01M8/1246 , H01M2300/0077 , Y02E60/525
Abstract: 캐소드와, 애노드와, 상기캐소드및 상기애노드의사이에개재하고, 프로톤전도성을갖는고체전해질층을구비하고, 상기고체전해질층은, 페로브스카이트구조를갖고, 지르코늄, 세륨및 세륨이외의희토류원소를포함하는화합물을포함하고, 상기고체전해질층의두께를 T라고할 때, 상기고체전해질층의상기캐소드측의표면으로부터 0.25T의위치에있어서의상기지르코늄과상기세륨의원소비: Zr/Ce와, 상기고체전해질층의상기애노드측의표면으로부터 0.25T의위치에있어서의상기지르코늄과상기세륨의원소비: Zr/Ce가, Zr/Ce>Zr/Ce를충족시키고, 또한, Zr/Ce>1인, 셀구조체
Abstract translation: 在阴极和阳极和阴极,和夹在阳极之间,并且具有固体电解质层的质子传导性,固体电解质层,铁叶具有天空比特结构,锆,铈和铈比稀土其他 包含含有的元素的化合物,并且其中T表示所述固体电解质层的厚度,所述固体电解质层,所述锆和在0.25T的从阴极侧的表面的位置处的铈代表消耗:锆/铈 并且,固体电解质层和锆的阳极侧表面和在所述位置中的铈代表消费从0.25T:将Zr / Ce和满足的Zr / Ce的>锆/铈,此外,锆/铈> 1,细胞结构
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公开(公告)号:KR1020160132387A
公开(公告)日:2016-11-18
申请号:KR1020167023993
申请日:2015-02-23
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01M8/0232 , H01M8/0245 , H01M8/124
CPC classification number: H01M8/0245 , H01M8/0232 , H01M8/12 , H01M2008/1293
Abstract: 니켈다공질기재로이루어지는집전체에, 강도가높은은층을형성하여, 염가로함과함께, 높은내구성을구비하는집전체를제공한다. 고체전해질층(2)과, 이고체전해질층의일측에형성되는제1 전극층(3)과, 타측에형성되는제2 전극층(4)을구비하여구성되는연료전지(101)에있어서이용되는다공질집전체(8a, 9a)로서, 상기다공질집전체는, 연속기공(52)을갖는니켈다공질기재(60)의적어도상기연속기공의표면에, 주석(Sn)을포함하는합금으로형성된합금층(60a)을구비함과함께, 상기합금층에적층형성된은층(55)을구비하여구성된다.
Abstract translation: 通过在由镍多孔基材形成的集电体上形成具有高强度的银层,提供具有高耐久性的便宜的多孔集电体。 多孔集电体8a,9a用于包括固体电解质层2,固体电解质层一侧的第一电极层3和另一侧的第二电极层4的燃料电池101。 多孔集电体各自包括:至少在具有连续孔52的镍多孔基材60的连续孔52的表面上由含锡(Sn)合金形成的合金层60a; 和层叠在合金层上的银层55。
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3.고체 전해질, 고체 전해질의 제조 방법, 고체 전해질 적층체, 고체 전해질 적층체의 제조 방법 및 연료 전지 有权
Title translation: 用于制造固体电解质电解质层压板的固体电解质方法,用于制造固体电解质层压板和燃料电池公开(公告)号:KR101651861B1
公开(公告)日:2016-08-29
申请号:KR1020147029193
申请日:2013-03-26
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠
IPC: H01M8/12 , H01M4/88 , C04B35/48 , C04B35/486 , C04B35/626 , H01B1/12 , H01M8/124
CPC classification number: H01M8/12 , C04B35/48 , C04B35/486 , C04B35/6261 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/661 , C04B2235/761 , C04B2235/786 , C04B2235/9607 , H01B1/122 , H01M4/8889 , H01M4/8896 , H01M8/1253 , H01M2008/1293 , H01M2300/0077 , Y02E60/525 , Y02P70/56
Abstract: 수소이온도전성을갖는이트륨첨가지르콘산바륨으로이루어지고, 이트륨첨가량이 15∼20㏖%인것과함께, 100℃∼1000℃에있어서의격자정수의온도변화에대한증가율이거의일정한, 고체전해질및 그의제조방법이제공된다. 이고체전해질은박막형상으로할 수있고, 이고체전해질에전극층을적층함으로써, 고체전해질적층체로할 수있다. 이고체전해질은중온(中溫) 작동형의연료전지에적용할수 있다.
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4.
公开(公告)号:KR1020090029201A
公开(公告)日:2009-03-20
申请号:KR1020087030004
申请日:2007-06-15
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/203 , H01L33/30
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/02631
Abstract: A process for producing a substrate of AlN crystal that realizes production of a large high-quality substrate of AlN crystal; a method of growing an AlN crystal that realizes growing of a large high-quality AlN crystal; and a substrate of AlN crystal consisting of AlN crystal grown by the growing method. There is provided a process for producing a substrate of AlN crystal, comprising the step of growing on a hetero-substrate an AlN crystal to a thickness of 0.4r or greater in which r means the diameter of the hetero-substrate according to a sublimation method and the step of forming a substrate of AlN crystal from a region of AlN crystal 200 mum or more apart from the hetero-substrate. Further, there is provided a method of growing an AlN crystal, comprising growing an AlN crystal on the substrate of AlN crystal produced by the above process according to a sublimation method, and provided a substrate of AlN crystal comprised of an AlN crystal grown by the growing method.
Abstract translation: 一种制造AlN晶体的基板的方法,其实现了大量高质量的AlN晶体基板的制造; 生长AlN晶体的方法,其实现了大型高品质AlN晶体的生长; 以及通过生长方法生长的由AlN晶体组成的AlN晶体的衬底。 提供了一种制造AlN晶体的衬底的方法,包括在异质衬底上生长厚度为0.4r或更大的AlN晶体的步骤,其中r表示根据升华法的异质衬底的直径 以及从异质衬底的AlN晶体200μm以上的区域形成AlN晶体的衬底的工序。 此外,提供了一种生长AlN晶体的方法,其包括在根据升华方法的上述工艺生产的AlN晶体的衬底上生长AlN晶体,并且提供由AlN晶体生长的AlN晶体的衬底,AlN晶体由 生长方法。
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公开(公告)号:KR1020090018652A
公开(公告)日:2009-02-20
申请号:KR1020087030971
申请日:2007-06-15
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/00 , C30B23/025
Abstract: Provided are a method for manufacturing AlxGa1-xN crystals by which large crystals having low dislocation density can be obtained, and AlxGa1-xN crystals. The method for growing the AlxGa1-xN crystals (0
Abstract translation: 提供一种制造Al x Ga 1-x N晶体的方法,可以获得具有低位错密度的大晶体和Al x Ga 1-x N晶体。 提供生长Al x Ga 1-x N晶体(0
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6.연료극용 전극 재료, 고체 전해질-전극 적층체, 고체 전해질-전극 적층체의 제조 방법 및 연료 전지 有权
Title translation: 用于燃料电极的电极材料,固体电解质 - 电极层压体,制造固体电解质 - 电极层压体的方法和燃料电池公开(公告)号:KR101855132B1
公开(公告)日:2018-05-04
申请号:KR1020167004797
申请日:2014-08-05
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01M4/90 , H01M4/86 , H01M4/88 , H01M8/1253 , H01M8/126
CPC classification number: H01M4/9041 , H01M4/8652 , H01M4/8657 , H01M4/8875 , H01M4/8885 , H01M4/8889 , H01M4/9066 , H01M8/1016 , H01M8/1213 , H01M8/1253 , H01M8/126 , H01M2300/0074 , H01M2300/0077 , Y02E60/525 , Y02P70/56
Abstract: 이산화탄소(CO) 내성을구비함과함께, 발전성능이높은연료전지를구성할수 있는연료극용전극재료를, 염가로제공한다. 프로톤전도성의고체전해질층을구비하는연료전지의연료극을구성하는연료극용전극재료로서, 페로브스카이트형의고체전해질성분과니켈(Ni) 촉매성분을포함하고, 상기고체전해질성분으로서, 바륨성분, 지르코늄성분, 세륨성분및 이트륨성분을포함함과함께, 상기고체전해질성분의지르코늄성분과세륨성분의배합비율이, 몰비로, 1:7∼7:1로설정되어있다.
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7.세라믹의 제조 방법, 콘덴서, 고체 산화물형 연료 전지, 수전해 장치 및 수소 펌프 审中-实审
Title translation: 制造陶瓷的方法,冷凝器,固体氧化物燃料电池,电解水电解装置和氢气泵公开(公告)号:KR1020170125029A
公开(公告)日:2017-11-13
申请号:KR1020177024161
申请日:2015-12-24
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠
CPC classification number: C04B41/0072 , C04B41/009 , C04B41/80 , C25B1/10 , C25B9/00 , C25B13/04 , F04B37/18 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/30 , H01M8/02 , H01M8/12 , H01M8/1253 , H01M2008/1293 , Y02P70/56
Abstract: 세라믹의제조방법은, 결정립내에금속산화물이확산한세라믹을, 환원분위기하에서열처리함으로써, 상기금속산화물을환원하여상기세라믹의결정립계에금속원소를석출시키는공정을갖는다.
Abstract translation: 陶瓷的制造方法包括:使在其中扩散了金属氧化物的陶瓷在还原气氛中进行热处理,还原金属氧化物,使陶瓷的晶界中的金属元素析出的工序。
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公开(公告)号:KR1020160138053A
公开(公告)日:2016-12-02
申请号:KR1020167026382
申请日:2015-02-23
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01M8/0232 , H01M4/90 , H01M8/0637 , H01M8/124
CPC classification number: H01M8/0637 , H01M4/9058 , H01M8/0232 , H01M8/0245 , H01M2008/1293 , Y02E60/566
Abstract: 높은가스개질기능을갖고, 내구성이높은연료극용의다공질집전체를제공한다. 고체전해질층(2)과, 이고체전해질층의일측에형성되는연료극(4)과, 타측에형성되는공기극(3)을구비하여구성되는연료전지(101)의상기연료극에인접하여형성되는다공질집전체(9)로서, 상기다공질집전체는금속다공질체(1) 및제1 촉매(20)를포함하고, 상기금속다공질체는적어도표면에합금층(12a)을포함하고, 상기합금층은니켈(Ni) 및주석(Sn)을포함하고, 상기제1 촉매는, 상기금속다공질체의기공에대향하는상기합금층의표면에담지되어, 상기기공내를유동하는연료가스에포함되는탄소성분을처리할수 있는입자상의촉매이다.
Abstract translation: 提供一种用于燃料电极并具有高气体重整功能和高耐久性的多孔集电器。 与燃料电池101的燃料电极4相邻设置有多孔集电体9,该燃料电池包含固体电解质层2,配置在固体电解质层一侧的燃料电极4和设置在固体电解质层2的另一侧的空气电极3 。 多孔集电体包括多孔金属体1和第一催化剂20.多孔金属体至少在其表面上具有合金层12a,合金层含有镍(Ni)和锡(Sn)。 第一种以颗粒形式的催化剂被支撑在合金层的表面上,面对多孔金属体的孔,并且能够处理在孔内流动的燃料气体中所含的碳成分 。
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公开(公告)号:KR101323868B1
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:KR1020107015599
申请日:2008-12-24
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B23/06 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/025 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631
Abstract: 본 발명은 대형이며 고품질의 Al
x Ga
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x N 단결정의 성장 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
1
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x N 단결정의 성장 방법은, 결정 직경 D ㎜와 두께 T ㎜가 T y Ga
1
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y N (0 y Ga
1
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y N 종결정(4)의 주표면(4m) 위에 Al
x Ga
1
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x N (0-
10.질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정 有权
Title translation: 用于生长氮化铝晶体的方法,用于生产氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体公开(公告)号:KR1020100112068A
公开(公告)日:2010-10-18
申请号:KR1020097021367
申请日:2008-12-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B29/38 , C30B23/06 , H01L21/203 , H01L21/318
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 질화 알루미늄 결정을 성장시킬 때에 기초 기판이 승화되는 것을 방지하여, 결정성이 양호한 질화 알루미늄 결정을 성장 속도를 향상하여 성장시키는 질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정을 제공한다. 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 방법은, 이하의 공정이 실시된다. 우선, 주표면(11a)과 이면(11b)을 갖는 기초 기판(11)과, 이면(11b)에 형성된 제1층(12)과, 제1층(12)에 형성된 제2층(13)을 구비한 적층 기판(10)이 준비된다. 그리고 기초 기판(11)의 주표면(11a) 상에 질화 알루미늄 결정(20)이 기상 성장법에 의해 성장된다. 제1층(12)은, 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 온도에 있어서 기초 기판(11)보다 승화하기 어려운 재질로 이루어진다. 제2층(13)은, 제1층(12)의 열전도율보다 높은 재질로 이루어진다.
질화 알루미늄 결정
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