公开(公告)号：KR1020140021618A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：KR1020137028310

申请日：2012-04-25

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 담브로브스키니나 ,  하우프우베 ,  에베르트잉고 ,  담브로브스키크리슈토프 ,  벤첼레네

IPC: C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12

CPC classification number: C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123

Abstract: 본 발명은, 구리의 전해 성막을 위한 수성 산성 욕으로서, 적어도 하나의 구리 이온 소스, 적어도 하나의 산, 적어도 하나의 광택제 화합물, 및 구리 성막을 위한 적어도 하나의 레벨링제를 포함하고, 상기 적어도 하나의 레벨링제는 루테늄 화합물인, 상기 수성 산성 욕에 관한 것이고, 특히, 인쇄 회로 기판, 칩 캐리어 및 반도체 웨이퍼 상의 블라인드 마이크로 비아, 스루홀 비아, 트렌치 및 유사한 구조들을 충전하기 위한 구리의 전해 성막 방법에 관한 것이다.