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公开(公告)号:KR101688262B1
公开(公告)日:2017-01-02
申请号:KR1020137000263
申请日:2011-06-23
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: H01L23/00 , H01L23/498 , H01L21/48 , B23K31/02
CPC classification number: B23K31/02 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11474 , H01L2224/1148 , H01L2224/11502 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/11912 , H01L2224/13006 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01061 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 기판상에솔더합금성막을형성하는방법으로서, i) 적어도하나의내부층 콘택트패드를포함하는전기회로를지닌표면을포함하는기판을제공하는단계, ⅱ) 상기기판표면상에배치되고패턴화되어적어도하나의콘택트영역을노출시키는솔더마스크층을형성하는단계, ⅲ) 상기솔더마스크층 및상기적어도하나의콘택트영역을포함하는전체기판영역을상기기판표면상의금속시드층을제공하는데적합한용액과접촉시키는단계, ⅳ) 금속시드층상에구조화된레지시트층을형성하는단계, v) 전도성층 상에주석을함유하는제 1 솔더재료층을전기도금하는단계, ⅵ) 상기제 1 솔더재료층 상에제 2 솔더재료층을전기도금하는단계, ⅶ) 구조화된레지스트층을제거하고, 솔더마스크층 영역으로부터금속시드층을제거하기에충분한금속시드층의양을식각하고기판을리플로우하고그렇게하면서금속시드층, 제 1 솔더재료층 및제 2 솔더재료층으로부터솔더합금성막을형성하는단계를포함하는, 그기판상에솔더합금성막을형성하는방법이개시된다.
Abstract translation: 描述了在衬底上形成焊料合金沉积物的方法,包括以下步骤:i)提供包括表面承载电路的衬底,该衬底包括至少一个内层接触焊盘,ii)形成放置在衬底上的焊料掩模层 衬底表面并图案化以暴露所述至少一个接触区域,iii)使包括焊料掩模层和至少一个接触区域的整个衬底区域与适于在衬底表面上提供金属种子层的溶液接触,iv)形成 金属种子层上的结构化抗蚀剂层,v)将含有锡的第一焊料材料层电镀到导电层上,vi)将第二焊料材料层电镀到第一焊料材料层上,vii)去除结构化抗蚀剂层并蚀刻掉 金属种子层的量足以从焊料掩模层区域除去金属种子层并回流衬底,并且这样形成焊料合金沉积物 从金属种子层,第一焊料层和第二焊料层。
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公开(公告)号:KR1020110070987A
公开(公告)日:2011-06-27
申请号:KR1020117008919
申请日:2009-10-07
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/3473 , C25D3/32 , C25D5/022 , C25D5/48 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05027 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/1134 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K3/064 , H05K3/3452 , H05K2203/043 , H05K2203/054 , H05K3/34 , H01L21/48 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: i) 적어도 하나의 접촉 영역을 포함하는 전기 회로 소자를 갖춘 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계,
ii) 기판의 표면에 배치되어 적어도 하나의 접촉 영역을 노출하도록 패턴화된 땜납 마스크 층을 형성하는 단계,
iii) 땜납 마스크 층 및 적어도 하나의 접촉 영역을 포함하는 전체 기판 영역과 기판의 표면 상에 도전성 층을 제공하기에 적합한 용액을 접촉시키는 단계,
iv) 도전성 층 상에 주석 또는 주석 합금을 함유하는 땜납 용착물 층을 전해도금하는 단계, 및
v) 적어도 하나의 접촉 영역 상에서 땜납 용착물 층을 남겨두고 땜납 마스크 층 영역으로부터 땜납 용착물 층과 도전성 층 양자를 제거하기에 충분하도록 주석 또는 주석 합금을 포함하는 땜납 용착물 층과 도전성 층의 소정량을 에칭시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 땜납 용착물을 형성하는 방법이 기재되어 있다.Abstract translation: 描述了在衬底上形成焊料沉积物的方法,包括以下步骤:i)提供包括表面承载电路的衬底,其包括至少一个接触区域,ii)形成放置在衬底表面上的焊料掩模层,以及 图案化以暴露所述至少一个接触区域,iii)使包括焊料掩模层和至少一个接触区域的整个基板区域与适于在基板表面上提供导电层的溶液接触,iv)电镀焊料沉积层 在导电层上含有锡或锡合金,以及v)蚀刻一定量的包含锡或锡合金的焊料沉积层,该锡或锡合金足以从焊料掩模层区域去除焊料沉积层,留下至少一个焊料层 接触面积
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公开(公告)号:KR101842730B1
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:KR1020137000262
申请日:2011-06-23
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: H01L23/488 , H01L23/498
CPC classification number: B23K1/20 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L2224/11462 , H01L2924/00015 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/1134
Abstract: 기판상에솔더성막을형성하는방법으로서, i) 적어도하나의내부층 콘택트영역을포함하는기판을제공하는단계, ii) 상기적어도하나의콘택트영역을포함하는전체기판영역을상기기판표면상의전도성층을제공하는데적합한용액과접촉시키는단계, iii) 패턴화된레지스트층을형성하는단계, iv) 상기내부층 콘택트영역상에주석또는주석합금을함유하는솔더성막층을전기도금하는단계, v) 패턴화된레지스트층을제거하는단계, vi) 기판표면상에솔더레지스트개구들을갖는솔더레지스트층을형성하는단계를포함하는, 그기판상에솔더성막을형성하는방법이개시된다.
Abstract translation: 一种在衬底上形成焊料膜的方法,包括以下步骤:i)提供包括至少一个内层接触区的衬底; ii)在导电层上沉积包括所述至少一个接触区的整个衬底区 ,iii)形成图案化的抗蚀剂层,iv)在内层接触区域上电镀包含锡或锡合金的焊料沉积层,v) 去除暴露的抗蚀剂层;以及vi)在基板表面上形成具有阻焊剂开口的阻焊层。
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公开(公告)号:KR1020130084652A
公开(公告)日:2013-07-25
申请号:KR1020137000262
申请日:2011-06-23
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: H01L23/488 , H01L23/498
CPC classification number: B23K1/20 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L2224/11462 , H01L2924/00015 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/1134 , H01L23/488 , H01L23/481 , H01L23/498
Abstract: 기판 상에 솔더 성막을 형성하는 방법으로서, i) 적어도 하나의 내부 층 콘택트 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계, ii) 상기 적어도 하나의 콘택트 영역을 포함하는 전체 기판 영역을 상기 기판 표면 상의 전도성 층을 제공하는데 적합한 용액과 접촉시키는 단계, iii) 패턴화된 레지스트 층을 형성하는 단계, iv) 상기 내부 층 콘택트 영역 상에 주석 또는 주석 합금을 함유하는 솔더 성막 층을 전기도금하는 단계, v) 패턴화된 레지스트 층을 제거하는 단계, vi) 기판 표면 상에 솔더 레지스트 개구들을 갖는 솔더 레지스트 층을 형성하는 단계를 포함하는, 그 기판 상에 솔더 성막을 형성하는 방법이 개시된다.
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公开(公告)号:KR1020140021618A
公开(公告)日:2014-02-20
申请号:KR1020137028310
申请日:2012-04-25
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor: 담브로브스키니나 , 하우프우베 , 에베르트잉고 , 담브로브스키크리슈토프 , 벤첼레네
Abstract: 본 발명은, 구리의 전해 성막을 위한 수성 산성 욕으로서, 적어도 하나의 구리 이온 소스, 적어도 하나의 산, 적어도 하나의 광택제 화합물, 및 구리 성막을 위한 적어도 하나의 레벨링제를 포함하고, 상기 적어도 하나의 레벨링제는 루테늄 화합물인, 상기 수성 산성 욕에 관한 것이고, 특히, 인쇄 회로 기판, 칩 캐리어 및 반도체 웨이퍼 상의 블라인드 마이크로 비아, 스루홀 비아, 트렌치 및 유사한 구조들을 충전하기 위한 구리의 전해 성막 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号:KR1020130113409A
公开(公告)日:2013-10-15
申请号:KR1020137000263
申请日:2011-06-23
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: H01L23/00 , H01L23/498 , H01L21/48 , B23K31/02
CPC classification number: B23K31/02 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11474 , H01L2224/1148 , H01L2224/11502 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/11912 , H01L2224/13006 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01061 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L21/3205 , H01L21/32051 , H01L21/64
Abstract: 기판 상에 솔더 합금 성막을 형성하는 방법으로서, i) 적어도 하나의 내부 층 콘택트 패드를 포함하는 전기 회로를 지닌 표면을 포함하는 기판을 제공하는 단계, ⅱ) 상기 기판 표면상에 배치되고 패턴화되어 적어도 하나의 콘택트 영역을 노출시키는 솔더 마스크 층을 형성하는 단계, ⅲ) 상기 솔더 마스크 층 및 상기 적어도 하나의 콘택트 영역을 포함하는 전체 기판 영역을 상기 기판 표면 상의 금속 시드 층을 제공하는데 적합한 용액과 접촉시키는 단계, ⅳ) 금속 시드 층상에 구조화된 레지시트 층을 형성하는 단계, v) 전도성 층 상에 주석을 함유하는 제 1 솔더 재료 층을 전기도금하는 단계, ⅵ) 상기 제 1 솔더 재료 층 상에 제 2 솔더 재료 층을 전기도금하는 단계, ⅶ) 구조화된 레지스트 층을 제거하고, 솔더 마스크 층 영역으로부터 금속 시드 층을 � ��거하기에 충분한 금속 시드 층의 양을 식각하고 기판을 리플로우하고 그렇게 하면서 금속 시드 층, 제 1 솔더 재료 층 및 제 2 솔더 재료 층으로부터 솔더 합금 성막을 형성하는 단계를 포함하는, 그 기판 상에 솔더 합금 성막을 형성하는 방법이 개시된다.
Abstract translation: 描述了在衬底上形成焊料合金沉积物的方法,包括以下步骤:i)提供包括表面承载电路的衬底,该衬底包括至少一个内层接触焊盘,ii)形成放置在衬底上的焊料掩模层 衬底表面并图案化以暴露所述至少一个接触区域,iii)使包括焊料掩模层和至少一个接触区域的整个衬底区域与适于在衬底表面上提供金属种子层的溶液接触,iv)形成 金属种子层上的结构化抗蚀剂层,v)将含有锡的第一焊料材料层电镀到导电层上,vi)将第二焊料材料层电镀到第一焊料材料层上,vii)去除结构化抗蚀剂层并蚀刻掉 金属种子层的量足以从焊料掩模层区域除去金属种子层并回流衬底,并且这样形成焊料合金沉积物 从金属种子层,第一焊料层和第二焊料层。
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公开(公告)号:KR1020140000663A
公开(公告)日:2014-01-03
申请号:KR1020137002819
申请日:2011-07-29
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/4007 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11462 , H01L2224/11474 , H01L2224/1148 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/11906 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13171 , H01L2224/13562 , H01L2224/13611 , H01L2224/81192 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01038 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01056 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K3/3473 , H05K2203/054 , H05K2203/0577 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 기판 상에 금속 또는 금속 합금 층을 형성하는 방법이 개시되며, 그 방법은 i) 적어도 하나의 콘택트 영역 상부의 영구 수지 층 및 상기 영구 수지 층 상부의 임시 수지 층을 포함하는 기판을 제공하는 단계,ii) 상기 적어도 하나의 콘택트 영역을 포함하는 전체 기판 영역을 상기 기판 표면 상에 전도성 층을 제공하는데 적합한 용액과 접촉시키는 단계, iii) 상기 전도성 층 상에 금속 또는 금속 합금 층을 전기도금하는 단계를 포함한다.
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