公开(公告)号：KR1020160007520A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：KR1020157031997

申请日：2014-05-09

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 글뢰덴마르쿠스 ,  겐트헤르코 ,  담브로브스키니나 ,  맥넬리앤서니 ,  뤼터로베르트

IPC: C25D5/10 ,  C25D5/54 ,  C25D5/18 ,  C25D3/38 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03

CPC classification number: C25D3/38 ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D5/38 ,  C25D5/44 ,  C25D5/54 ,  C25D21/12 ,  H05K1/0265 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/241 ,  H05K3/246 ,  H05K2203/0307 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/1492

Abstract: 본발명은전기전도성소결층에두꺼운구리층을전착하기위한방법에관한것이다. 두꺼운구리층은높은부착강도를가지고, 결함및 내부응력이적고, 높은전기및 열전도율을갖는다. 소결층상의두꺼운구리층은고전력전자용도를위한인쇄회로보드들에적합하다.

公开(公告)号：KR102254080B1

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：KR1020157031997

申请日：2014-05-09

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 글뢰덴마르쿠스 ,  겐트헤르코 ,  담브로브스키니나 ,  맥넬리앤서니 ,  뤼터로베르트

IPC: C25D5/10 ,  C25D5/54 ,  C25D5/18 ,  C25D3/38 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03

Abstract: 본발명은전기전도성소결층에두꺼운구리층을전착하기위한방법에관한것이다. 두꺼운구리층은높은부착강도를가지고, 결함및 내부응력이적고, 높은전기및 열전도율을갖는다. 소결층상의두꺼운구리층은고전력전자용도를위한인쇄회로보드들에적합하다.

公开(公告)号：KR1020140021618A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：KR1020137028310

申请日：2012-04-25

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 담브로브스키니나 ,  하우프우베 ,  에베르트잉고 ,  담브로브스키크리슈토프 ,  벤첼레네

IPC: C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12

CPC classification number: C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123

Abstract: 본 발명은, 구리의 전해 성막을 위한 수성 산성 욕으로서, 적어도 하나의 구리 이온 소스, 적어도 하나의 산, 적어도 하나의 광택제 화합물, 및 구리 성막을 위한 적어도 하나의 레벨링제를 포함하고, 상기 적어도 하나의 레벨링제는 루테늄 화합물인, 상기 수성 산성 욕에 관한 것이고, 특히, 인쇄 회로 기판, 칩 캐리어 및 반도체 웨이퍼 상의 블라인드 마이크로 비아, 스루홀 비아, 트렌치 및 유사한 구조들을 충전하기 위한 구리의 전해 성막 방법에 관한 것이다.