公开(公告)号：KR102139843B1

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：KR1020157021872

申请日：2013-07-29

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 뤼초브노르베르트 ,  슈미트가브리엘라 ,  테브스디르크

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/46 ,  H05K3/06 ,  H01L21/306

公开(公告)号：KR1020150105465A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：KR1020157021872

申请日：2013-07-29

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 뤼초브노르베르트 ,  슈미트가브리엘라 ,  테브스디르크

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/46 ,  H05K3/06 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/46 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/0789

Abstract: 본 발명은 구리 및 구리 합금 식각을 위한 수성 조성물 및 상기 수성 조성물을 적용한 구리 및 구리 합금의 식각 방법에 관한 것이다. 수성 조성물은, Fe
3+ 이온들을 위한 소스, 적어도 하나의 산, 적어도 하나의 트리아졸 또는 테트라졸 유도체, 및 N-알킬화된 이미노디프로피온산, 이의 염, 개질된 폴리글리콜 에테르 및 4차 우레일렌 중합체로부터 선택된 적어도 하나의 식각 첨가물을 포함한다. 수성 조성물은 인쇄 회로판, IC 기판 등의 제조에서 미세 구조를 만드는데 특히 유용하다.