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公开(公告)号：KR1020140031932A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020137032238
申请日：2012-05-24
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C22B3/02 , C22B3/24 , C22B3/42 , C22B23/00 , C02F1/42 , C23C18/16 , C23C18/32 , B01D61/44 , B01D61/52
CPC classification number: B01D15/203 , B01D15/206 , B01J39/07 , B01J47/022 , B01J47/026 , B01J49/06 , B01J49/53 , C02F1/42 , C02F2001/422 , C02F2001/425 , C02F2101/20 , C02F2103/16 , C02F2303/16 , C22B3/02 , C22B3/24 , C22B3/42 , C22B23/0461 , C23C18/1617 , C23C18/32 , C23C18/36 , C25D5/12 , C25D21/22 , Y02P10/234
Abstract: 예를 들어 금속 도금 전해액으로부터 폐기 유체의 재생시 높은 효율을 달성하기 위해서, 회수 재료를 함유한 회수 유체로부터 회수 재료를 회수하기 위한 장치 및 방법이 제공되는데, 이 장치는 적어도 하나의 컨테이너 (C) 를 포함하고, 적어도 하나의 컨테이너 (C) 는 적어도 하나의 수착 재료를 포함하고, 적어도 하나의 수착 재료는 적어도 하나의 컨테이너 (C) 에 적어도 하나의 수착 베드 (SB) 를 형성하고, 수착 베드 (SB) 는 유체가 그것을 통하여 유동할 수 있도록 허용한다. 적어도 하나의 컨테이너 (C) 는 수착 베드의 용적 변화 (VC) 를 보상하도록 적어도 하나의 수착 베드 (SB) 를 고정하기 위한 적어도 하나의 수단 (ML, EP, FM, MO) 을 포함한다. 본 방법은, a) 상기 회수 재료를 함유한 회수 유체를 적어도 하나의 수착 재료와 접촉시킴으로써 적어도 하나의 컨테이너 (C) 에 포함된 적어도 하나의 수착 베드 (SB) 를 형성하는 적어도 하나의 수착 재료로, 로딩 단계에서, 상기 회수 재료를 로딩하는 단계, b) 상기 회수 재료를 로딩한 상기 적어도 하나의 수착 재료와 재생제 유체를 접촉시키고 상기 회수 재료를 상기 재생제 유체로 로딩함으로써, 상기 적어도 하나의 수착 재료로부터, 재생 단계에서, 상기 회수 재료를 언로딩하는 단계, 및 c) 상기 수착 베드의 용적 변화 (VC) 를 보상하도록 상기 적어도 하나의 수착 베드 (SB) 를 고정하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 为了实现例如来自金属电镀电解质的废液再生的高效率，提供了一种用于从包含回收材料的回收流体中回收回收材料的装置和方法，其中该装置包括至少一个容器C，至少 包含至少一种吸附材料的一个容器C，至少一个在至少一个容器C中形成至少一个吸附床SB的吸附材料SB和吸附床SB允许流体在那里流过。 具有吸附床高度和吸附床宽度的吸附床S，吸附床宽度与吸附床高度的长宽比至多为1:10。 该方法包括：a）在装载步骤中将回收材料装载到形成至少一个吸附床S的至少一种吸附材料，所述吸附床S包含在至少一个容器C中，通过使含有回收材料的回收流体与 至少一种吸附材料; b）在再生步骤中，通过使再生剂流体与载有回收材料并将回收材料装载到再生剂流体的至少一种吸附材料接触，在再生步骤中卸载回收材料， 以及c）选择吸附床S的吸附床高度和吸附床S的吸附床宽度的长径比至多为1:10。
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公开(公告)号：KR1020150024326A
公开(公告)日：2015-03-06
申请号：KR1020147033899
申请日：2013-05-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C25B9/08 , C23C18/1617 , C23C18/52 , C23C18/54
Abstract: 이런 목적을 위해 사용된 도금 조성물이 분해에 대해 안정적이도록 보장하면서 신속한 무전해 도금을 달성하기 위해서, 상기 도금 조성물을 재생하기 위한 방법이 제공된다. 상기 도금 조성물은 기판 (10) 에 적어도 하나의 제 1 금속을 성막하기에 적합하고 적어도 하나의 도금 디바이스 (100) 에 의해 수용된다. 상기 도금 조성물은 이온 형태의 상기 적어도 하나의 제 1 금속 및 이온 형태의 적어도 하나의 제 2 금속을 함유한다. 상기 적어도 하나의 제 2 금속은 보다 높은 산화 상태 및 보다 낮은 산화 상태로 제공될 수도 있고, 그리고, 적어도 하나의 제 2 금속이 보다 낮은 산화 상태로 제공될 때, 이온 형태로 있는 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 금속 상태로 환원할 수 있다. 상기 방법은 하기 방법 단계들: (a) 작업 전극 (205) 및 대향 전극 (206) 을 가지는 재생 디바이스 (200) 를 제공하는 단계로서, 상기 작업 전극 (205) 은 작업 전극 격실 (202) 에 배치되고 상기 대향 전극 (206) 은 대향 전극 격실 (203) 에 배치되고, 상기 작업 전극 격실 (202) 과 상기 대향 전극 격실 (203) 은 이온 선택성 막 (204) 에 의해 서로 분리되고, 상기 대향 전극 격실 (203) 은 대향 전극 액체를 수용하는, 상기 재생 디바이스 (200) 를 제공하는 단계; (b) 상기 적어도 하나의 도금 디바이스 (100) 로부터 상기 도금 조성물의 적어도 일부를 제거하는 단계; (c) 상기 제거된 도금 조성물의 적어도 분획물을 상기 재생 디바이스 (200) 의 상기 작업 전극 (205) 과 접촉시키고 상기 작업 전극 (205) 을 캐소드로 극성화하여서, 보다 높은 산화 상태로 제공되는 상기 적어도 하나의 제 2 금속은 보다 낮은 산화 상태로 환원되고 상기 적어도 하나의 제 1 금속은 금속 상태로 작업 전극 (205) 에 성막되어, 상기 제거된 도금 조성물의 제 1 부분을 수득하는 단계; 그 후 (d) 상기 제거된 도금 조성물로부터 상기 제 1 부분을 제거한 후 상기 제거된 도금 조성물의 나머지를 금속 상태로 방법 단계 (c) 에서 성막된 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 가지는 상기 작업 전극 (205) 과 접촉시키고 상기 작업 전극 (205) 을 애노드로 극성화시켜서, 상기 금속 상태로 상기 작업 전극 (205) 에 성막된 상기 적어도 하나의 제 1 금속이 상기 제거된 도금 조성물의 상기 나머지로 용해되어 상기 이온 형태로 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 형성하여서, 상기 제거된 도금 조성물의 제 2 부분을 수득하는 단계; 그 후 (e) 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분을 상기 적어도 하나의 도금 디바이스 (100) 로 리턴시켜서 상기 이온 형태의 상기 적어도 하나의 제 1 금속 및 보다 낮은 산화 상태로 제공되는 상기 적어도 하나의 제 2 금속을 함유하는 상기 도금 조성물을 유발하여, 상기 도금 조성물이 상기 이온 형태인 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 상기 금속 상태로 환원할 수 있는 단계를 포함한다.
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