公开(公告)号：KR100733440B1

公开(公告)日：2007-06-29

申请号：KR1020057022302

申请日：2004-05-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/0245 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3127

Abstract: 본 발명은, 불소 첨가 카본막과 하지막과의 밀착성을 개선하는 것을 과제로 하고 있다. 이 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은, 피처리 기판 상에 불소 첨가 카본막을 형성하는 불소 첨가 카본막의 형성 방법으로서, 기판 처리 장치에 의해서 희가스를 플라즈마 여기하여, 플라즈마 여기된 상기 희가스에 의해서 상기 피처리 기판의 표면 처리를 실시하는 제1 공정과, 상기 피처리 기판 상에 불소 첨가 카본막을 형성하는 제2 공정을 포함하며, 상기 기판 처리 장치는, 전기적으로 접속된 마이크로파 안테나를 구비하는 것을 특징으로 하는 불소 첨가 카본막의 형성 방법.

公开(公告)号：KR100711036B1

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：KR1020037008799

申请日：2001-12-27

Applicant: 오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  스가와시게토시 ,  히라야마마사키 ,  시라이야스유키

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

Abstract: In a film formation method of a semiconductor device including a plurality of silicon-based transistors or capacitors, there exist hydrogen at least in a part of the silicon surface in advance, and the film formation method removes the hydrogen by exposing the silicon surface to a first inert gas plasma. Thereafter a silicon compound,layer is formed on the surface of the silicon gas by generating plasma while using a mixed gas of a second inert gas and one or more gaseous molecules, such that there is formed a silicon compound layer containing at least a pat of the elements constituting the gaseous molecules, on the surface of the silicon gas.

公开(公告)号：KR100573210B1

公开(公告)日：2006-04-24

申请号：KR1020037012475

申请日：2002-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키 ,  스가와시게토시 ,  고토데츠야

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32339

Abstract: 본 발명에 따르면, 마이크로파 플라즈마 프로세스 장치(10)에 마이크로파에 의한 플라즈마 착화를 촉진하는 플라즈마 착화 촉진 수단을 설치한다. 플라즈마 착화 촉진 수단은 진공 자외광을 발생하는 중수소 램프(30)와, 진공 자외광을 투과하여 플라즈마 여기용 공간(26)으로 유도하는 투과창(32)을 갖는다. 투과창(32)은 볼록 렌즈로서 구성되며, 진공 자외광을 집속하여 플라즈마 여기 가스의 전리를 촉진한다. 이러한 구성에 의해 플라즈마 착화를 용이하게 또한 신속히 행할 수 있다.

公开(公告)号：KR100497015B1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：KR1020027016003

申请日：2002-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키 ,  스가와시게토시 ,  고토데츠야

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32192

Abstract: 래디얼 라인 슬롯 안테나를 사용한 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 슬롯판(16)를, 지파판(18)과 열팽창율이 가까운 재료에 의해, 혹은 지파판(18)을 구성하는 유전체판 상에 금속을 부착 시키기로 보다 형성한다. 안테나 중의 지파판과 마이크로파 방사면을 구성하는 슬롯판의 사이의 밀착성을 향상시켜, 이상 방전을 방지한다.

公开(公告)号：KR1020030068570A

公开(公告)日：2003-08-21

申请号：KR1020037008861

申请日：2001-12-27

Applicant: 오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  스가와시게토시 ,  히라야마마사키 ,  시라이야스유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

Abstract: 본 발명은 실리콘을 기체로 하는 트랜지스터 내지는 용량을 여러 개 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 실리콘의 표면에는 미리 적어도 일부에 수소가 존재하고, 상기 실리콘 표면을 제1 불활성 가스에 의한 플라즈마에 노출시켜 상기 수소를 제거하고 나서, 제2 불활성 가스와 한 종류 내지는 여러 종류의 기체 분자의 혼합 가스에 의한 플라즈마를 발생시켜, 상기 실리콘 기체의 표면에 상기 기체 분자를 구성하는 원소의 적어도 일부를 함유하는 실리콘 화합물층을 형성하는 것을 목적으로 한다.

公开(公告)号：KR1020020061595A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：KR1020027003125

申请日：2000-09-11

Applicant: 오미 다다히로 ,  가부시키가이샤 쿠마가이구미 ,  가부시키가이샤 히타치플랜트테크놀로지 ,  다이세이 겐세쓰 가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  시라이야스유키 ,  히라야마마사키 ,  하나오카히데오 ,  혼마다케시 ,  스즈키히로카즈 ,  야마자키요시오 ,  오쿠보요시노리

IPC: F24F13/22

Abstract: 본 발명은 냉각 코일의 열교환 효율이 상승하여, 냉각수량을 저감할 수 있고, 배관 지름, 송수 펌프 동력도 작게 할 수 있어, 공조계의 초기 비용 및 운전 비용의 저감이 가능해지는 고효율 기체 온습도 조정용 장치 및 조정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 고효율 기체 온습도 조정용 장치는, 냉각 코일에 부착된 응축수를 제거하기 위한 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060128956A

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：KR1020067015057

申请日：2004-12-24

Applicant: 오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키 ,  고토데츠야

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32467

Abstract: Plasma discharge occurs in the gas circulation space between the upper surface of a shower plate and the lower surface of a cover plate in partial contact with the shower plate, and the supplied microwave is uselessly consumed by this undesired discharge, thereby losing the power. A plasma processing apparatus comprises a shower plate having ejection holes for ejecting gas, a microwave antenna, and a cover plate interposed between the shower plate and the microwave antenna. The material of the cover plate has a relative dielectric constant smaller than that of the material of the shower plate.

Abstract translation: 在喷淋板的上表面和与喷淋板部分接触的盖板的下表面之间的气体循环空间中发生等离子体放电，并且所供应的微波无用地被这种不期望的放电消耗，从而失去功率。 等离子体处理装置包括具有用于喷射气体的喷射孔的喷淋板，微波天线和插在喷淋板和微波天线之间的盖板。 盖板的材料的相对介电常数小于喷淋板材料的相对介电常数。

公开(公告)号：KR100501777B1

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：KR1020027015999

申请日：2002-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키 ,  스가와시게토시 ,  고토데츠야 ,  혼고도시아키

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

Abstract: 래디얼 라인 슬롯 안테나를 가지는 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 이상 방전을 억제하고, 마이크로파 플라즈마의 여기 효율을 향상시킨다. 래디얼 라인 슬롯 안테나와 동축 도파관의 접속부에 있어서, 동축 도파관 내의 급전선의 선단부를 방사면을 구성하는 슬롯판로부터 떨어지게 한다.

公开(公告)号：KR100415795B1

公开(公告)日：2004-01-31

申请号：KR1020017009277

申请日：2000-11-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키 ,  가이하라류

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32587 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32697

Abstract: A substrate (101) subjected to a plasma process is placed on a first electrode (102). A magnetic field is applied to a surface of the substrate to which the plasma process is applied by magnetic field applying means (103). An auxiliary electrode (104) is provided on an outer periphery of the first electrode (102) to excite plasma on a back surface (105) thereof. Electrons in the plasma are caused to drift from a front surface (106) to a back surface (105) of the auxiliary electrode (104) and from the back surface (105) to the front surface (106) of the auxiliary electrode (104).

Abstract translation: 经受等离子体处理的衬底（101）被放置在第一电极（102）上。 通过磁场施加装置（103）向施加了等离子体处理的基板的表面施加磁场。 辅助电极（104）设置在第一电极（102）的外周上以在其背面（105）上激发等离子体。 使等离子体中的电子从辅助电极（104）的前表面（106）漂移到辅助电极（104）的后表面（105），并从后表面（105）漂移到前表面（106） ）。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020030004427A

公开(公告)日：2003-01-14

申请号：KR1020027016000

申请日：2002-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키 ,  스가와시게토시 ,  고토데츠야

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244

Abstract: 플라즈마 처리 장치는, 외벽에 의해 구획 형성되고 피처리 기판을 보유하는 보유대를 갖춘 처리 용기와, 상기 처리 용기에 결합된 배기계와, 상기 처리 용기 내에 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 가스 공급부와, 상기 처리 용기 상에 상기 피처리 기판에 대응하여 설치된 마이크로파 안테나와, 상기 보유 대상의 피처리 기판과 상기 플라즈마 가스 공급부의 사이에 상기 피처리 기판에 대면하도록 설치된 처리 가스 공급부로 이루어지고, 상기 처리 가스 공급부는 상기 처리 용기 내에 형성된 플라즈마를 통과시키는 복수의 제 1의 개구부와, 처리 가스원에 접속 가능한 처리 가스 통로와, 상기 처리 가스 통로에 연통한 복수의 제 2의 개구부와, 상기 제 2의 개구부에 대향하여 설치되고 상기 제 2의 개구부로부터 방출되는 처리 가스를 확산시키는 확산� ��를 갖춘 구성을 한다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：由外壁形成的处理容器，其具有用于保持被处理基板的载物台，与处理容器连结的排气系统，用于向处理容器内供给等离子体气体的等离子体气体供给部 ，与处理对象基板对应地设置在处理容器上的微波天线以及设置在载置台上的被处理基板和等离子体气体供给部之间并与处理对象基板相对的处理气体供给部 所述工艺气体供应部件包括用于穿过在所述处理容器的内部中形成的等离子体的多个第一开孔，能够连接到处理气体源的工艺气体通道，与所述工艺气体供应部件连通的多个第二开孔 工艺气体通道和与第二孔相对设置的扩散部分，用于扩散从第二孔释放的工艺气体。 ＆lt;图像＆GT;