-
公开(公告)号：KR100471744B1
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：KR1020020018215
申请日：2002-04-03
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: B81C1/00087 , B81C2201/0107 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , H01L21/3081 , H01L21/32134
Abstract: 공정을 단순화시키며, 기판의 냉각을 효율적으로 수행시키고, 플라즈마 이온 플럭스의 흐름을 일정하게 유지할 수 있는 기판 관통 식각방법이 개시된다. 본 발명의 일 형태에 따른 기판 관통 식각방법은, 기판의 제1 면 상에 버퍼층과 금속층을 형성하고, 상기 제1 면과 반대되는 상기 기판의 제2 면 상에 식각마스크 패턴을 형성한 후 이를 식각마스크로 하여 상기 기판을 관통 식각한다. 바람직하게는 버퍼층은 이산화실리콘층이며, 금속층은 알루미늄층을 사용한다.
-
公开(公告)号：KR1020020041363A
公开(公告)日：2002-06-01
申请号：KR1020020018215
申请日：2002-04-03
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: B81C1/00087 , B81C2201/0107 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , H01L21/3081 , H01L21/32134
Abstract: PURPOSE: A method of through-etching substrate is provided to efficiently perform a cooling processing of a substrate and to improve a profile around a penetrated hole by using a metal material. CONSTITUTION: A buffer(62) made of a silicon dioxide is formed on a surface of a silicon substrate(50) having a hole. Then, a metal film(64) made of an aluminum is formed on the buffer(62). After depositing another buffer(72) and another metal film(74) on the rear surface of the silicon substrate(50), an etch mask pattern(66) is formed on the metal film(74). After etching the metal film(74) and the buffer(72) using the etch mask pattern(66) as an etch mask, the silicon substrate(50) is penetrated by etching using the metal film(74) and the buffer(72) as another etch mask. Due to the metal films(64,74), plasma ion flux is smoothly circulated, so that a good profile is completed.
Abstract translation: 目的：提供一种通过蚀刻基板的方法，以有效地执行基板的冷却处理，并且通过使用金属材料来改善穿透孔周围的轮廓。 构成：在具有孔的硅衬底（50）的表面上形成由二氧化硅制成的缓冲器（62）。 然后，在缓冲器（62）上形成由铝制成的金属膜（64）。 在硅衬底（50）的后表面上沉积另一缓冲器（72）和另一金属膜（74）之后，在金属膜（74）上形成蚀刻掩模图案（66）。 在使用蚀刻掩模图案（66）蚀刻金属膜（74）和缓冲器（72）作为蚀刻掩模之后，通过使用金属膜（74）和缓冲器（72）的蚀刻来穿透硅衬底（50） 作为另一种蚀刻掩模。 由于金属膜（64,74），等离子体离子通量平稳地循环，从而完成了良好的轮廓。
-
Search Results
2
records
(took 0.015 seconds)
