-
公开(公告)号:KR1020040085353A
公开(公告)日:2004-10-08
申请号:KR1020030020001
申请日:2003-03-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: F02C7/06
Abstract: PURPOSE: A thrust gas bearing for a micro-turbine of a hybrid type is provided to make the thrust gas bearing stably work, covering all speed ranges from low-speed rotation of a turbine rotor to high-speed rotation. CONSTITUTION: In a thrust gas bearing for a micro-turbine of a hybrid type, several orifices(30), through which high-pressure gas comes in from the outside, are formed around the center(20) of a body(10) formed as a silicon substrate and several spiral grooves(40) are formed around the orifices. High-pressure gas passing through the orifices adjusts the position of a turbine rotor by a pressure difference resulting from vertical bias of the turbine rotor, while flowing along the spiral grooves. Passages(50), through which the high-pressure gas passing through the spiral grooves is exhausted to the outside, are formed around the spiral grooves. A circular channel(60) is formed around the spiral grooves.
Abstract translation: 目的:提供一种用于混合型微型涡轮机的推力气体轴承,以使推力气体轴承稳定工作,覆盖从涡轮转子的低速旋转到高速旋转的所有速度范围。 构成:在用于混合型微型涡轮机的推力气体轴承中,围绕形成的主体(10)的中心(20)形成有几个从外部进入高压气体的孔(30) 作为硅衬底,并且在孔口周围形成几个螺旋槽(40)。 通过孔口的高压气体通过涡轮转子的垂直偏压产生的压力差来调节涡轮转子的位置,同时沿着螺旋槽流动。 在螺旋槽周围形成有通过螺旋槽的高压气体向外部排出的通路(50)。 围绕螺旋槽形成圆形通道(60)。
-
公开(公告)号:KR100566836B1
公开(公告)日:2006-04-03
申请号:KR1020030020001
申请日:2003-03-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: F02C7/06
Abstract: 본 발명은 마이크로터빈용 스러스트 가스베어링(1)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하이드로스태틱 방식 및 하이드로다이나믹 방식이 조합된 하이브리드 방식의 마이크로터빈용 스러스트 가스베어링(1)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마이크로터빈용 스러스트 가스베어링(1)은 하이드로스태틱 방식의 설계 요소로서, 실리콘 기판으로 된 몸체(10)의 중심(20)의 둘레에는 외부로부터 고압 가스가 유입되는 수개의 오리피스(30)가 소정의 간격을 두고 형성되고, 하이드로다이나믹 방식의 설계 요소로서, 상기 수개의 오리피스(30)의 둘레에는 오리피스(30)를 통과한 고압 가스가 유동되는 통로를 형성하여 터빈 로터의 상하 치우침에 따른 압력차에 의해 터빈 로터의 위치를 조정하는 수개의 스파이럴 그루브(40)가 형성되며, 상기 수개의 스파이럴 그루브(40)의 둘레에는 스파이럴 그루브(40)를 통과한 고압 가스가 외부로 배출되는 통로(50)가 형성되고, 상기 스파이럴 그루브(40)의 주위에는 원형 채널(60)이 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 마이크로터빈용 스러스트 가스베어링(1)은 터빈 로터의 저속 회전으로부터 고속 회전에 이르기까지 거의 전 속도 범위에 걸쳐 안정적으로 작용할 수 있다.
마이크로터빈, 스러스트 가스베어링, 오리피스, 스파이럴 그루브, 원형 채널-
公开(公告)号:KR1020020041363A
公开(公告)日:2002-06-01
申请号:KR1020020018215
申请日:2002-04-03
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: B81C1/00087 , B81C2201/0107 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , H01L21/3081 , H01L21/32134
Abstract: PURPOSE: A method of through-etching substrate is provided to efficiently perform a cooling processing of a substrate and to improve a profile around a penetrated hole by using a metal material. CONSTITUTION: A buffer(62) made of a silicon dioxide is formed on a surface of a silicon substrate(50) having a hole. Then, a metal film(64) made of an aluminum is formed on the buffer(62). After depositing another buffer(72) and another metal film(74) on the rear surface of the silicon substrate(50), an etch mask pattern(66) is formed on the metal film(74). After etching the metal film(74) and the buffer(72) using the etch mask pattern(66) as an etch mask, the silicon substrate(50) is penetrated by etching using the metal film(74) and the buffer(72) as another etch mask. Due to the metal films(64,74), plasma ion flux is smoothly circulated, so that a good profile is completed.
Abstract translation: 目的:提供一种通过蚀刻基板的方法,以有效地执行基板的冷却处理,并且通过使用金属材料来改善穿透孔周围的轮廓。 构成:在具有孔的硅衬底(50)的表面上形成由二氧化硅制成的缓冲器(62)。 然后,在缓冲器(62)上形成由铝制成的金属膜(64)。 在硅衬底(50)的后表面上沉积另一缓冲器(72)和另一金属膜(74)之后,在金属膜(74)上形成蚀刻掩模图案(66)。 在使用蚀刻掩模图案(66)蚀刻金属膜(74)和缓冲器(72)作为蚀刻掩模之后,通过使用金属膜(74)和缓冲器(72)的蚀刻来穿透硅衬底(50) 作为另一种蚀刻掩模。 由于金属膜(64,74),等离子体离子通量平稳地循环,从而完成了良好的轮廓。
-
公开(公告)号:KR1020050078688A
公开(公告)日:2005-08-08
申请号:KR1020040006427
申请日:2004-01-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G01P3/36
CPC classification number: G01P3/366 , G01J1/44 , G01J2001/446
Abstract: 본 발명은 공간 및 사용 환경에 제약을 받지 않아 다양한 응용 범위를 갖는 회전 속도 측정 장치에 관한 것이다. 본 발명은 측정 대상물 외부의 광섬유 탐침을 이용하여 회전체에 광을 조사함으로써, 회전 속도의 측정이 가능한 범용 회전체 회전 속도 측정 장치 및 측정 방법을 제공한다. 본 발명은 공간이 협소하거나 연소 이물질 등으로 측정 환경이 열악한 경우에도 회전체의 회전 속도를 정확하게 측정할 수 있어 다양한 응용 분야에 적용 가능하다.
-
公开(公告)号:KR100471744B1
公开(公告)日:2005-03-16
申请号:KR1020020018215
申请日:2002-04-03
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: B81C1/00087 , B81C2201/0107 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , H01L21/3081 , H01L21/32134
Abstract: 공정을 단순화시키며, 기판의 냉각을 효율적으로 수행시키고, 플라즈마 이온 플럭스의 흐름을 일정하게 유지할 수 있는 기판 관통 식각방법이 개시된다. 본 발명의 일 형태에 따른 기판 관통 식각방법은, 기판의 제1 면 상에 버퍼층과 금속층을 형성하고, 상기 제1 면과 반대되는 상기 기판의 제2 면 상에 식각마스크 패턴을 형성한 후 이를 식각마스크로 하여 상기 기판을 관통 식각한다. 바람직하게는 버퍼층은 이산화실리콘층이며, 금속층은 알루미늄층을 사용한다.
-
-
-
-