公开(公告)号：KR1020040087588A

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：KR1020030022033

申请日：2003-04-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황희돈 ,  박광민 ,  윤의준

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for stacking vertically self assembled quantum dots by using a temperature change method in capping layer formation process is provided to stack vertically single layer quantum dots by improving surface uniformity of a capping layer. CONSTITUTION: A buffer layer is formed on an upper surface of a semiconductor substrate by performing a growth process using an epitaxial method. The first quantum dot is formed on an upper surface of the buffer layer by using a self assembled growth mode. The first capping layer of the predetermined thickness is formed on an upper surface of the first quantum dot under the predetermined temperature. The second capping layer is formed on an upper surface of the first capping layer under the predetermined temperature. The second quantum dot is formed on the second capping layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用覆盖层形成工艺中的温度变化方法将垂直自组装的量子点层叠的方法，通过提高覆盖层的表面均匀性来堆叠垂直单层量子点。 构成：通过使用外延法进行生长处理，在半导体衬底的上表面上形成缓冲层。 第一量子点通过使用自组装成长模式形成在缓冲层的上表面上。 在预定温度下，在第一量子点的上表面上形成预定厚度的第一覆盖层。 第二覆盖层在预定温度下形成在第一覆盖层的上表面上。 第二量子点形成在第二覆盖层上。

公开(公告)号：KR100645264B1

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：KR1020050105534

申请日：2005-11-04

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  이영수 ,  안응진 ,  박광민

IPC: H01L29/02

Abstract: A method for growing a III-V group compound semiconductor quantum dot through interception of a periodic supply of a V-group element is provided to properly control mobility of a III-group element on the surface of a substrate by continuously supplying a III-group element when a quantum dot is grown on the substrate wherein a supply of a V-group element is periodically intercepted. A buffer layer is grown on a semiconductor substrate in a chamber. A III-group element and a V-group element are supplied to grow a compound semiconductor quantum dot on the buffer layer wherein the III-group element is continuously supplied and the supply and interception of the V-group element are periodically repeated. The supply of the III-group element and the V-group element is intercepted.

Abstract translation: 通过截断V族元素的周期性供应来提供生长III-V族化合物半导体量子点的方法，以通过连续供应III族来适当地控制III族元素在衬底表面上的迁移率 当在衬底上生长量子点时，周期性截取V族元素的供应。 在腔室中的半导体衬底上生长缓冲层。 提供III族元素和V族元素以在连续提供III族元素的缓冲层上生长化合物半导体量子点，并周期性地重复供给和截取V族元素。 拦截III族元素和V族元素的供应。

公开(公告)号：KR100540874B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020030028168

申请日：2003-05-02

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박광민 ,  황희돈 ,  윤의준

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 반도체 양자점(quantum dot) 구조 형성 방법에 관한 것으로서, 양자점의 발광 파장을 조절하는 동시에 양자점의 균일도를 증가시키는 것을 목적으로 한다. 본 발명에서는 반도체 기판 상에 양자점 층을 형성한 다음, 덮개층(capping layer)을 형성하기 전에, 격자 상수가 덮개층보다 작고 에너지 간격(band gap)은 덮개층보다 큰 이종 덮개층을 삽입한다. 이 이종 덮개층의 두께를 변화시키면 양자점의 발광 파장을 조절할 수 있고, 양자점을 더욱 균일하게 변형시켜 발광 파장의 반가폭을 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 양자점 구조를 양자점 레이저, 증폭기, 광 스위칭 등의 광소자로 응용할 때 그 소자 특성이 개선될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040094174A

公开(公告)日：2004-11-09

申请号：KR1020030028168

申请日：2003-05-02

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박광민 ,  황희돈 ,  윤의준

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for forming a structure of a self-assembled quantum dot by using a thin heterogeneous capping layer is provided to easily obtain a desired light emitting wavelength according to the thickness of a thin heterogeneous capping layer that has a smaller lattice constant and a broader energy band gap than those of a capping layer. CONSTITUTION: A quantum dot layer is formed on a semiconductor substrate(100) by interposing a buffer layer(110). A capping layer(140) made of the same material as the semiconductor substrate or the buffer layer is formed. A heterogeneous capping layer(130) that has a lattice constant smaller than that of the capping layer and a energy band gap broader than that of the capping layer is formed between the quantum dot layer and the capping layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用薄的非均匀覆盖层形成自组装量子点的结构的方法，以便根据具有较小晶格常数的薄异质封盖层的厚度容易地获得期望的发光波长，并且 比顶盖层宽的能带隙。 构成：通过插入缓冲层（110）在半导体衬底（100）上形成量子点层。 形成由与半导体衬底或缓冲层相同的材料制成的覆盖层（140）。 在量子点层和覆盖层之间形成具有小于封盖层的晶格常数的晶格常数和比封盖层宽的能带隙的异质封盖层（130）。

公开(公告)号：KR100520744B1

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1020030022033

申请日：2003-04-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황희돈 ,  박광민 ,  윤의준

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 반도체 양자점 구조 형성에 관한 것으로서 양자점 층을 수직으로 적층하는 것에 관한 기술이다. 양자점을 형성하기 위한 여러 가지 방법 중에서 격자상수의 차이(격자 불일치)를 이용한 자발 형성방법(self assembled growth mode)에 의해 성장된 단층 양자점을 수직으로 적층하기 위하여는 양자점층 위에 형성되는 덮개층의 표면의 균일도가 매우 중요하다. 수직으로 적층되는 양자점 각 층의 표면 형상을 각 층별로 일정하게 유지하기 위한 방법으로 양자점을 성장시킨 후 덮개층을 성장시키는 도중에 온도를 고온으로 상승시켜서, 즉 덮개층을 일정한 두께로 성장시킨 후 덮개층 성장온도를 높혀서 나머지 덮개층을 성장시키면 덮개층의 표면 균일도가 향상되며, 이 덮개층 위에 형성되는 양자점층 또한 균일도를 향상시킬 수 있다.