公开(公告)号：KR100727214B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020040106238

申请日：2004-12-15

Applicant: 주식회사 엘지화학 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  안응진 ,  구효철

IPC: C25D3/46

Abstract: 본 발명은 팔라듐-은 활성화 방법을 이용한 은 전해도금방법에 관한 것으로서, 반도체 금속 배선 공정에서 높은 비저항을 갖는 기판 위에 활성화 방법을 통하여 전해도금이 가능하도록 씨앗층 없이 핵을 생성시킨 후 은 전해도금을 실시하여 균일하고 결함이 없는 은 박막을 형성시키며, 비저항이 낮은 은을 현재보다 고집적화된 반도체 배선공정의 재료로 사용할 수 있는 효과가 있다.
팔라듐, 은, 활성화, 전해도금, 핵, 씨앗층, 확산방지층, 금속배선, 비저항

公开(公告)号：KR100645708B1

公开(公告)日：2006-11-13

申请号：KR1020030015228

申请日：2003-03-11

Applicant: 주식회사 엘지화학 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  안응진

IPC: C25D3/46

Abstract: 본 발명은 은 박막 형성용 전기도금용액 및 그 용액을 이용한 은 박막 형성방법에 관한 것으로, 벤조트리아졸(benzotriazole) 화합물 및 티오우레아(thiourea) 화합물을 첨가한 은 전기도금용액을 이용하여 은 박막을 형성하는 방법은 균열이나 틈과 같은 결함이 없는 균일한 은 박막을 형성하게 함으로서 고집적화 반도체 금속 배선 공정에 적합하게 활용할 수 있는 효과가 있다.
벤조트리아졸, 티오우레아, 은 전기도금, 보이드(void), 심(seam)

公开(公告)号：KR100772320B1

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：KR1020040106237

申请日：2004-12-15

Applicant: 주식회사 엘지화학 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  안응진

IPC: C25D3/46

Abstract: 본 발명은 은 박막 형성용 전기도금용액 및 그 용액을 이용한 은 박막 형성방법에 관한 것으로, 벤조트리아졸 유도체 및/또는 티오유레아 유도체를 첨가한 은 전기도금용액을 이용하여 은 박막을 형성하는 방법은 균열이나 틈과 같은 결함이 없는 균일한 은 박막을 형성하게 함으로써 고집적화 반도체 금속 배선 공정에 적합하게 활용할 수 있는 효과가 있다.
벤조트리아졸, 티오유레아, 은 박막, 전해도금, 첨가제

公开(公告)号：KR1020060067452A

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：KR1020040106237

申请日：2004-12-15

Applicant: 주식회사 엘지화학 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  안응진

IPC: C25D3/46

CPC classification number: C25D3/46 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  H01L21/2885

Abstract: 본 발명은 은 박막 형성용 전기도금용액 및 그 용액을 이용한 은 박막 형성방법에 관한 것으로, 벤조트리아졸 유도체 및/또는 티오유레아 유도체를 첨가한 은 전기도금용액을 이용하여 은 박막을 형성하는 방법은 균열이나 틈과 같은 결함이 없는 균일한 은 박막을 형성하게 함으로써 고집적화 반도체 금속 배선 공정에 적합하게 활용할 수 있는 효과가 있다.
벤조트리아졸, 티오유레아, 은 박막, 전해도금, 첨가제

公开(公告)号：KR100645264B1

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：KR1020050105534

申请日：2005-11-04

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  이영수 ,  안응진 ,  박광민

IPC: H01L29/02

Abstract: A method for growing a III-V group compound semiconductor quantum dot through interception of a periodic supply of a V-group element is provided to properly control mobility of a III-group element on the surface of a substrate by continuously supplying a III-group element when a quantum dot is grown on the substrate wherein a supply of a V-group element is periodically intercepted. A buffer layer is grown on a semiconductor substrate in a chamber. A III-group element and a V-group element are supplied to grow a compound semiconductor quantum dot on the buffer layer wherein the III-group element is continuously supplied and the supply and interception of the V-group element are periodically repeated. The supply of the III-group element and the V-group element is intercepted.

Abstract translation: 通过截断V族元素的周期性供应来提供生长III-V族化合物半导体量子点的方法，以通过连续供应III族来适当地控制III族元素在衬底表面上的迁移率 当在衬底上生长量子点时，周期性截取V族元素的供应。 在腔室中的半导体衬底上生长缓冲层。 提供III族元素和V族元素以在连续提供III族元素的缓冲层上生长化合物半导体量子点，并周期性地重复供给和截取V族元素。 拦截III族元素和V族元素的供应。

公开(公告)号：KR1020060067453A

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：KR1020040106238

申请日：2004-12-15

Applicant: 주식회사 엘지화학 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  안응진 ,  구효철

IPC: C25D3/46

CPC classification number: C25D3/46 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  H01L21/2885

Abstract: 본 발명은 팔라듐-은 활성화 방법을 이용한 은 전해도금방법에 관한 것으로서, 반도체 금속 배선 공정에서 높은 비저항을 갖는 기판 위에 활성화 방법을 통하여 전해도금이 가능하도록 씨앗층 없이 핵을 생성시킨 후 은 전해도금을 실시하여 균일하고 결함이 없는 은 박막을 형성시키며, 비저항이 낮은 은을 현재보다 고집적화된 반도체 배선공정의 재료로 사용할 수 있는 효과가 있다.
팔라듐, 은, 활성화, 전해도금, 핵, 씨앗층, 확산방지층, 금속배선, 비저항

公开(公告)号：KR1020040080466A

公开(公告)日：2004-09-20

申请号：KR1020030015228

申请日：2003-03-11

Applicant: 주식회사 엘지화학 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  안응진

IPC: C25D3/46

Abstract: PURPOSE: An electroplating solution is provided to form a defectless silver thin film so that the thin film is properly applied to high integrated semiconductor metallization process by adding benzotriazole compound and thiourea compound to silver plating solution, and a method for forming silver thin film using the solution is provided. CONSTITUTION: The electroplating solution for forming a silver thin film contains benzotriazole compound and thiourea compound as additives in a silver electroplating solution, wherein the benzotriazole compound is a compound selected from the group consisting of 1,2,3-benzotriazole, 5-methylbenzotriazole, 5,6-dimethylbenzotriazole, phenylbenzotriazole, 5-ethylbenzotriazole, 5-methoxybenzotriazole, 5-aminobenzotriazole, 5-dimethylaminobenzotriazole, 5-acetamidobenzotriazole, 5-methanesulfonamidobenzotriazole, 5-aminocarbonylbenzotriazole, 5-methoxycarbonylbenzotriazole, 5-carboxybenzotriazole, 5-chlorobenzotriazole, 5-bromobenzotriazole, 5-nitrobenzotriazole, 4-nitrobenzotriazole, 5-cyanobenzotriazole, 5-sulfobenzotriazole and 4-aminobenzotriazole, wherein the thiourea compound is a compound selected from the group consisting of thiourea and alkylthiourea compounds, wherein the silver electroplating solution has pH of 7 to 12 and comprises potassium silver cyanide (KAg(CN)2) and potassium cyanide (KCN), and wherein the silver electroplating solution comprises potassium silver cyanide, thiourea compound and benzotriazole compound in a mole ratio of 1:0.071:0.0091.

Abstract translation: 目的：提供电镀溶液以形成无缺陷的银薄膜，使得通过向镀银溶液中加入苯并三唑化合物和硫脲化合物将薄膜适当地应用于高集成半导体金属化工艺，以及使用 提供解决方案。 构成：用于形成银薄膜的电镀溶液含有苯并三唑化合物和硫脲化合物作为银电镀溶液中的添加剂，其中苯并三唑化合物是选自1,2,3-苯并三唑，5-甲基苯并三唑， 5,5-二甲基苯并三唑，苯基苯并三唑，5-乙基苯并三唑，5-甲氧基苯并三唑，5-氨基苯并三唑，5-二甲基氨基苯并三唑，5-乙酰氨基苯并三唑，5-甲磺酰氨基苯并三唑，5-氨基羰基苯并三唑，5-甲氧基羰基苯并三唑，5-羧基苯并三唑，5-氯苯并三唑， 溴苯并三唑，5-硝基苯并三唑，4-硝基苯并三唑，5-氰基苯并三唑，5-磺基苯并三唑和4-氨基苯并三唑，其中硫脲化合物是选自硫脲和烷基硫脲化合物的化合物，其中银电镀溶液的pH为7〜 12，并包含氰化钾银（KAg（CN）2）和钾 氰化钾（KCN），并且其中所述电镀银溶液包含氰化银氰化银，硫脲化合物和苯并三唑化合物，摩尔比为1:0.071:0.0091。