公开(公告)号：KR1020040087588A

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：KR1020030022033

申请日：2003-04-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황희돈 ,  박광민 ,  윤의준

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for stacking vertically self assembled quantum dots by using a temperature change method in capping layer formation process is provided to stack vertically single layer quantum dots by improving surface uniformity of a capping layer. CONSTITUTION: A buffer layer is formed on an upper surface of a semiconductor substrate by performing a growth process using an epitaxial method. The first quantum dot is formed on an upper surface of the buffer layer by using a self assembled growth mode. The first capping layer of the predetermined thickness is formed on an upper surface of the first quantum dot under the predetermined temperature. The second capping layer is formed on an upper surface of the first capping layer under the predetermined temperature. The second quantum dot is formed on the second capping layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用覆盖层形成工艺中的温度变化方法将垂直自组装的量子点层叠的方法，通过提高覆盖层的表面均匀性来堆叠垂直单层量子点。 构成：通过使用外延法进行生长处理，在半导体衬底的上表面上形成缓冲层。 第一量子点通过使用自组装成长模式形成在缓冲层的上表面上。 在预定温度下，在第一量子点的上表面上形成预定厚度的第一覆盖层。 第二覆盖层在预定温度下形成在第一覆盖层的上表面上。 第二量子点形成在第二覆盖层上。

公开(公告)号：KR1020030016034A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：KR1020010049937

申请日：2001-08-20

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  윤석호 ,  황희돈

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A two-step growth interruption process for control of semiconductor quantum dot is provided to control a solid shape of a quantum dot by performing two growth interruption processes. CONSTITUTION: A chemical compound semiconductor buffer layer(110) is grown on a semiconductor substrate(100). A quantum dot crystallization layer is formed on the chemical compound semiconductor buffer layer(110). The grating constant of quantum dot crystallization layer is larger than that of the chemical compound semiconductor buffer layer(110). A quantum dot(320) of a solid shape is formed on the quantum dot crystallization layer by performing the first growth interruption process. The solid shape of the quantum dot(320) is controlled by performing the second growth interruption process. A cover layer(330) is grown on the quantum dot(320). The grating constant of the cover layer(330) is smaller than that of the quantum dot crystallization layer.

Abstract translation: 目的：提供用于控制半导体量子点的两步增长中断过程，以通过执行两个生长中断处理来控制量子点的实心形状。 构成：在半导体基板（100）上生长化学化合物半导体缓冲层（110）。 在化合物半导体缓冲层（110）上形成量子点结晶层。 量子点结晶层的光栅常数大于化合物半导体缓冲层（110）的光栅常数。 通过进行第一生长中断处理，在量子点结晶层上形成实心形状的量子点（320）。 通过执行第二增长中断处理来控制量子点（320）的实心形状。 在量子点（320）上生长覆盖层（330）。 覆盖层（330）的光栅常数小于量子点结晶层的光栅常数。

公开(公告)号：KR100520744B1

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1020030022033

申请日：2003-04-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황희돈 ,  박광민 ,  윤의준

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 반도체 양자점 구조 형성에 관한 것으로서 양자점 층을 수직으로 적층하는 것에 관한 기술이다. 양자점을 형성하기 위한 여러 가지 방법 중에서 격자상수의 차이(격자 불일치)를 이용한 자발 형성방법(self assembled growth mode)에 의해 성장된 단층 양자점을 수직으로 적층하기 위하여는 양자점층 위에 형성되는 덮개층의 표면의 균일도가 매우 중요하다. 수직으로 적층되는 양자점 각 층의 표면 형상을 각 층별로 일정하게 유지하기 위한 방법으로 양자점을 성장시킨 후 덮개층을 성장시키는 도중에 온도를 고온으로 상승시켜서, 즉 덮개층을 일정한 두께로 성장시킨 후 덮개층 성장온도를 높혀서 나머지 덮개층을 성장시키면 덮개층의 표면 균일도가 향상되며, 이 덮개층 위에 형성되는 양자점층 또한 균일도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100540874B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020030028168

申请日：2003-05-02

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박광민 ,  황희돈 ,  윤의준

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 반도체 양자점(quantum dot) 구조 형성 방법에 관한 것으로서, 양자점의 발광 파장을 조절하는 동시에 양자점의 균일도를 증가시키는 것을 목적으로 한다. 본 발명에서는 반도체 기판 상에 양자점 층을 형성한 다음, 덮개층(capping layer)을 형성하기 전에, 격자 상수가 덮개층보다 작고 에너지 간격(band gap)은 덮개층보다 큰 이종 덮개층을 삽입한다. 이 이종 덮개층의 두께를 변화시키면 양자점의 발광 파장을 조절할 수 있고, 양자점을 더욱 균일하게 변형시켜 발광 파장의 반가폭을 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 양자점 구조를 양자점 레이저, 증폭기, 광 스위칭 등의 광소자로 응용할 때 그 소자 특성이 개선될 수 있다.

公开(公告)号：KR100430813B1

公开(公告)日：2004-05-10

申请号：KR1020010049937

申请日：2001-08-20

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  윤석호 ,  황희돈

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A two-step growth interruption process for control of semiconductor quantum dot is provided to control a solid shape of a quantum dot by performing two growth interruption processes. CONSTITUTION: A chemical compound semiconductor buffer layer(110) is grown on a semiconductor substrate(100). A quantum dot crystallization layer is formed on the chemical compound semiconductor buffer layer(110). The grating constant of quantum dot crystallization layer is larger than that of the chemical compound semiconductor buffer layer(110). A quantum dot(320) of a solid shape is formed on the quantum dot crystallization layer by performing the first growth interruption process. The solid shape of the quantum dot(320) is controlled by performing the second growth interruption process. A cover layer(330) is grown on the quantum dot(320). The grating constant of the cover layer(330) is smaller than that of the quantum dot crystallization layer.

Abstract translation: 目的：通过执行两个生长中断过程来提供用于控制半导体量子点的两步生长中断过程以控制量子点的固体形状。 构成：化学化合物半导体缓冲层（110）生长在半导体衬底（100）上。 量子点结晶层形成在化合物半导体缓冲层（110）上。 量子点结晶层的光栅常数大于化合物半导体缓冲层（110）的光栅常数。 通过执行第一生长中断过程在量子点结晶层上形成固体形状的量子点（320）。 通过执行第二生长中断过程来控制量子点（320）的固体形状。 在量子点（320）上生长覆盖层（330）。 覆盖层（330）的光栅常数小于量子点结晶层的光栅常数。

公开(公告)号：KR100540873B1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：KR1020030087978

申请日：2003-12-05

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  황희돈 ,  지앙진보 ,  김병주 ,  기봉

IPC: G01L1/24

Abstract: 평행광 어레이를 이용한 응력 측정 방법과 장치, 및 이 장치를 구비한 실시간 응력 측정 수평 반응기에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 응력 측정 방법에서는, 일정한 분리 간격을 가진 평행광 어레이를 박막 표면에 대해 20°이상 90° 미만의 입사각으로 입사시킨다. 그런 다음, 박막 표면에서 반사되어 나온 평행광 어레이 사이의 입사 방향에 수평인 방향으로의 간격 변화를 측정한다. 박막의 곡률 반경은 간격 변화의 함수이므로, 측정한 간격 변화로부터 박막의 곡률 반경을 알 수 있다. 박막의 응력은 박막의 곡률 반경을 이용하여 스토니 공식으로부터 계산할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050054593A

公开(公告)日：2005-06-10

申请号：KR1020030087978

申请日：2003-12-05

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  황희돈 ,  지앙진보 ,  김병주 ,  기봉

IPC: G01L1/24

Abstract: 평행광 어레이를 이용한 응력 측정 방법과 장치, 및 이 장치를 구비한 실시간 응력 측정 수평 반응기에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 응력 측정 방법에서는, 일정한 분리 간격을 가진 평행광 어레이를 박막 표면에 대해 20°이상 90° 미만의 입사각으로 입사시킨다. 그런 다음, 박막 표면에서 반사되어 나온 평행광 어레이 사이의 입사 방향에 수평인 방향으로의 간격 변화를 측정한다. 박막의 곡률 반경은 간격 변화의 함수이므로, 측정한 간격 변화로부터 박막의 곡률 반경을 알 수 있다. 박막의 응력은 박막의 곡률 반경을 이용하여 스토니 공식으로부터 계산할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040094174A

公开(公告)日：2004-11-09

申请号：KR1020030028168

申请日：2003-05-02

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박광민 ,  황희돈 ,  윤의준

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for forming a structure of a self-assembled quantum dot by using a thin heterogeneous capping layer is provided to easily obtain a desired light emitting wavelength according to the thickness of a thin heterogeneous capping layer that has a smaller lattice constant and a broader energy band gap than those of a capping layer. CONSTITUTION: A quantum dot layer is formed on a semiconductor substrate(100) by interposing a buffer layer(110). A capping layer(140) made of the same material as the semiconductor substrate or the buffer layer is formed. A heterogeneous capping layer(130) that has a lattice constant smaller than that of the capping layer and a energy band gap broader than that of the capping layer is formed between the quantum dot layer and the capping layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用薄的非均匀覆盖层形成自组装量子点的结构的方法，以便根据具有较小晶格常数的薄异质封盖层的厚度容易地获得期望的发光波长，并且 比顶盖层宽的能带隙。 构成：通过插入缓冲层（110）在半导体衬底（100）上形成量子点层。 形成由与半导体衬底或缓冲层相同的材料制成的覆盖层（140）。 在量子点层和覆盖层之间形成具有小于封盖层的晶格常数的晶格常数和比封盖层宽的能带隙的异质封盖层（130）。