公开(公告)号：KR100479639B1

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：KR1020020018785

申请日：2002-04-06

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이정중 ,  임주완 ,  이승훈

IPC: C23C16/455 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34

Abstract: 본 발명은 초고경도 및 다기능을 가지는 나노 스케일(nano-scale)의 다층 박막의 제조를 위한 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 다층 박막 증착 방법에 관한 것이다.
본 발명은 플라즈마 화학 기상 증착법 및 화학 기상 증착 장비를 이용하여 다층 박막을 제조하기 위한 시스템에 있어서, 플라즈마 화학 증착 방식 및 화학 기상 증착 방식으로 적어도 2개 이상의 성분으로 다층 박막 형성이 가능한 챔버와; 다층 박막 중 각각 어느 한 층을 구성하는 성분을 포함하는 반응 물질을 공급해 주는 적어도 2개의 소스 공급부와; 상기 각 소스 공급부에 그 중간이 연결되고, 각각의 일단은 상기 챔버에 연결되고, 각각의 타단은 유량 조절을 위한 우회관에 연결되는 적어도 2개의 경로와; 상기 우회관에 연결되는 진공 펌프와; 상기 각 소스 공급부 연결 부위를 중심으로 상기 각 경로의 양쪽에 설치되어 개폐되는 적어도 4개의 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노스케일 다층 필름 제조를 위한 플라즈마 화학 기상 증착 장비 및 화학 기상 증착 장비의 자동 밸브 조절 시스템을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020090043171A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：KR1020070108880

申请日：2007-10-29

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이수갑 ,  최우영 ,  이승훈 ,  박광근

IPC: F03D11/00 ,  F03D1/06

CPC classification number: Y02E10/721 ,  F03D1/0633 ,  F05B2240/30 ,  Y02E10/72

Abstract: 본 발명은 고효율 저소음 풍력 발전기용 블레이드에 관한 것으로 상세하게는, 두 개의 블레이드가 한 쌍으로 끝단에서 서로 합쳐져 구조적으로 강하고 블레이드 끝단 와류를 감소시켜 고효율 저소음 특성을 갖도록 하는 블레이드 형태이다.
일반적인 풍력 발전기 블레이드는 끝단의 구조적 지지가 없으므로 공력에 의해 휨이 발생하고 그에 따라 특정 풍속이상에서는 운용을 멈춰야하는 상황이 발생한다. 또한 자유로운 블레이드 끝단에서 와류가 발생하여 성능을 떨어뜨리고 소음을 야기한다.
따라서 본 발명은 한 쌍의 풍력 발전기용 블레이드를 각각 위아래로 겹쳐 뿌리 부분은 일정 간격을 두고 허브에 연결하고 끝단은 접합시키며 아래 블레이드는 후퇴 블레이드, 윗 블레이드는 전진 블레이드가 되는 구조를 갖는 블레이드 형태이다. 이에 따라 구조적으로 보강되는 효과가 생겨 공력에 의한 블레이드의 휘어짐이 억제되고, 일반적인 풍력 발전기용 블레이드 보다 더욱 고속에서도 사용이 가능하며 끝단이 연결되어있으므로, 끝단 와류를 약화시켜 공력 성능을 향상시키고 소음을 줄일 수 있다. 또한 본 발명의 블레이드는 전진각과 후퇴각을 갖고 있어 소음이 전파되는 방향성이 감소되는 효과가 있다.
풍력 발전기, 블레이드, 블레이드 끝단, 구조 강화, 날개 끝 와류, 저소음

公开(公告)号：KR1020030079610A

公开(公告)日：2003-10-10

申请号：KR1020020018785

申请日：2002-04-06

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이정중 ,  임주완 ,  이승훈

IPC: C23C16/455 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34

Abstract: PURPOSE: A plasma chemical vapor deposition equipment for manufacturing nano-scale multilayer film having ultra-high hardness and multiple functions using plasma chemical deposition and chemical vapor deposition is provided, and an automatic valve control system of the chemical vapor deposition equipment is provided. CONSTITUTION: In a system for manufacturing a multilayer thin film using plasma chemical vapor deposition and chemical vapor deposition, the automatic valve control system(20) of plasma chemical vapor deposition equipment and chemical vapor deposition equipment for manufacturing nano-scale multilayer film comprises a chamber(10) in which at least two or more components are formed into a multilayer thin film by plasma chemical deposition and chemical vapor deposition; at least two source supply parts(25,26) for supplying a reaction material including components composing any one layer in the multilayer thin film; at least two paths(22,23) the middle part of which is connected to the respective source supply parts, one end of which is connected to the chamber, and the other end of which is connected to bypass pipe for controlling flux; a vacuum pump connected to the bypass pipe; and at least four valves(27 to 30) opened and closed with being installed at both sides of the respective paths centering around a connection region of the respective source supply parts.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有超高硬度和多功能的纳米级多层膜的等离子体化学气相沉积设备，其使用等离子体化学沉积和化学气相沉积，并提供了化学气相沉积设备的自动阀控制系统。 构成：在使用等离子体化学气相沉积和化学气相沉积制造多层薄膜的系统中，用于制造纳米级多层膜的等离子体化学气相沉积设备和化学气相沉积设备的自动阀控制系统（20）包括室 （10），其中通过等离子体化学沉积和化学气相沉积将至少两种或更多种组分形成为多层薄膜; 至少两个源供应部件（25,26），用于在多层薄膜中提供包括构成任何一层的组分的反应材料; 至少两个路径（22,23），其中间部分连接到相应的源供应部分，其一端连接到所述室，并且其另一端连接到用于控制焊剂的旁路管道; 连接到旁通管的真空泵; 并且至少四个阀（27至30）以围绕各个源供应部分的连接区域的相应路径的两侧开启和关闭。