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公开(公告)号：KR1020090050431A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：KR1020070116852
申请日：2007-11-15
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G01R31/2856 , G01R19/1659 , G01R27/08 , H01L22/30
Abstract: 일렉트로마이그레이션 특성을 측정하는 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 일렉트로마이그레이션 측정 장치는 복수개의 시편(DUT1~DUT20)이 상호 직렬 연결되어 있어서 복수개의 시편(DUT1~DUT20)에 대하여 동시에 일렉트로마이그레이션 측정이 가능한 장치로서, 복수개의 시편(DUT1~DUT20) 각각에는 측정 과정 중에 시편 단락시 전체 회로의 오픈을 방지해 주는 스위치(BPSW1~BPSW20) 및 저항(R1~R20)이 병렬 연결되어 있는 것을 특징으로 한다.
일렉트로마이그레이션(electromigration), 측정-
公开(公告)号：KR1020080077441A
公开(公告)日：2008-08-25
申请号：KR1020070016963
申请日：2007-02-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/06733 , G01R31/2601
Abstract: An apparatus for testing electrical characteristic and reliability of semiconductors is provided to reduce exchange frequency by performing inspection of DUTs using plural manipulators having a probe. An apparatus for testing electrical characteristic and reliability of semiconductors includes plural manipulators(110), probes(120), and phase control units. The manipulators are implemented corresponding to DUTs(Device Under Test). Each of the probes mounted on the manipulators includes a tip for detecting electrical characteristic and reliability of the DUTs. Each of the phase control units mounted on the manipulators adjusts movement of a corresponding probe on the DUTs.
Abstract translation: 提供一种用于测试半导体的电特性和可靠性的装置，以通过使用具有探针的多个操纵器执行DUT的检查来减少交换频率。 用于测试半导体的电特性和可靠性的装置包括多个操纵器（110），探针（120）和相位控制单元。 操纵器对应于DUT（被测设备）实现。 安装在操纵器上的每个探针包括用于检测DUT的电特性和可靠性的尖端。 安装在操纵器上的每个相位控制单元调节DUT上相应探头的移动。
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公开(公告)号：KR1020100005607A
公开(公告)日：2010-01-15
申请号：KR1020080065702
申请日：2008-07-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: PURPOSE: A hydrogen sensor and a manufacturing method thereof to save manufacturing cost by simplifying a sensor structure and a manufacturing process is provided to improve the sensitivity of the sensor and to detect hydrogen gas of the low concentration. CONSTITUTION: First and second electrodes are formed on a substrate(110). Voltage is sanctioned between the first and second electrodes in order to form a nano-wire(160). A reaction film is formed on the nano-wire. The first and second electrode comprise silver. An interval between the first and second electrode is within a range of 50-500 micrometer. The applied voltage is in the range of 0.5-5V.
Abstract translation: 目的：提供一种通过简化传感器结构和制造工艺来节省生产成本的氢传感器及其制造方法，以提高传感器的灵敏度并检测低浓度的氢气。 构成：在基板（110）上形成第一和第二电极。 为了形成纳米线（160），在第一和第二电极之间施加电压。 在纳米线上形成反应膜。 第一和第二电极包括银。 第一和第二电极之间的间隔在50-500微米的范围内。 施加电压在0.5-5V的范围内。
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公开(公告)号：KR100864416B1
公开(公告)日：2008-10-20
申请号：KR1020070016963
申请日：2007-02-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체의 전기적 특성과 신뢰성을 프로빙하는 반도체의 전기적 특성과 신뢰성 검사장치에 관한 것이다.
본 발명의 주요한 기술적 구성은, 검사대상 반도체(DUT)를 상대로 복수 개가 구비되는 머니퓰레이터; 상기 복수 개의 머니퓰레이터에 각각 장착되며 상기 DUT의 전기적 특성 탐지를 위한 팁이 구비된 프로브; 상기 복수 개의 머니퓰레이터에 각각 설치되어 상기 DUT를 상대로 해당 프로브를 변위시키는 위상제어수단을 포함하여 이루어진다.
본 발명은 개별 조작되는 복수 개의 머니퓰레이터를 구비함에 따라 여러 개의 DUT에 대한 전기적 특성 및 그에 따른 신뢰성 검사를 매우 신속하고 용이하게 수행할 수 있고, 개개의 머니퓰레이터에 구비된 위상제어수단에 의해 DUT의 패드 또는 해당 패드의 검사대상 부분에 대한 프로브 팁의 위치 설정이 용이하여, 작업 효율이 크게 향상되는 효과가 있다. 또, 본 발명은 복수 개의 머니퓰레이터 각각이 개별적으로 구비하고 있는 프로브에 의해 DUT의 검사를 수행하게 되므로, 단일 프로브로 여러 개의 DUT에 대한 검사를 수행하는 종래의 경우에 비하여 프로브 팁의 교체 빈도를 줄일 수 있어 경제적인 면에서 매우 유리한 효과가 기대된다. 또한, 본 발명은 다양한 종류의 DUT를 상대로 검사를 수행할 수 있는 범용성을 가지므로 경제적인 면에서 매우 유리한 효과가 있다.
반도체, 전기적 특성, 검사, 멀티-머니퓰레이터, 프로브-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100864406B1
公开(公告)日：2008-10-20
申请号：KR1020070016923
申请日：2007-02-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은, 반도체 및 패키지의 전기적 특성을 측정하기 위한 반도체 테스트 장치에 있어서, 복수 개의 반도체 시료를 탑재하여 지지하기 위한 하부 프레임과, 상기 반도체 시료의 전기적 특성을 측정하기 위하여 상기 하부 프레임 상부에 장착되는 상부 프레임과, 일단이 상기 상부 프레임에 결합되고 타단이 상기 하부 프레임에 탑재된 각 반도체 시료에 전기적으로 접속되는 복수 개의 도전성 콘택 막대를 포함하는 반도체 및 패키지의 전기적 특성과 신뢰성 검사장치에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 여러 개의 반도체 시료를 한번에 측정할 수 있으므로 경제적이고 효율적으로 반도체 시료의 신뢰성을 평가할 수가 있다.
반도체, 웨이퍼, 프로브, 전기적 특성, 측정장치-
公开(公告)号：KR100990815B1
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020080065702
申请日：2008-07-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 저농도의 수소 농도를 측정하기에 적합한 수소센서 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 수소센서의 제조방법은 (a) 기판(110) 상에 제1 및 제2 전극(120, 130)을 형성하는 단계; (b) 제1 및 제2 전극(120, 130)간에 전압을 인가하여 나노선(160)을 형성하는 단계; 및 (c) 나노선(160) 상에 반응막(170)을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 기존의 벌크 및 박막 형태의 저항형 수소센서보다 응답 시간, 민감도 및 내구성(박리 현상 감소)이 향상되고, 아울러 제조 과정이 간단하여 제조 비용의 절감과 수율의 향상을 도모할 수 있는 수소센서의 제조가 가능하다.
수소센서, 저항형 수소센서, 나노선-
公开(公告)号：KR100982055B1
公开(公告)日：2010-09-14
申请号：KR1020070108540
申请日：2007-10-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 간편하면서도 단시간 내에 고순도의 나노선을 효과적으로 성장시킬 수 있는 나노선 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 나노선 제조방법은 a) 기판 상에 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및 (b) 제1 및 제2 전극간에 소정의 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
나노선, 전극, 전압, 물-
公开(公告)号：KR1020090042667A
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：KR1020070108540
申请日：2007-10-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y40/00 , H01L29/413
Abstract: A method for manufacturing nano wire is provided to produce nano wire with high purity, thereby improving properties of electric devices such as semiconductor. A method for manufacturing nano wire comprises the following steps of: forming first and second electrodes(104a,104b) on a substrate(102); and applying predetermined voltage to an interval between the first and second electrodes. Materials of the first and second electrodes comprise alloy consisting of two or more elements. The Interval between the first and the second electrodes has a range of hundreds of mum. Water is dropped on one electrode among the first and second electrodes before applying predetermined voltage to an interval between the first and second electrodes.
Abstract translation: 提供了一种制造纳米线的方法来制造高纯度的纳米线，从而改善诸如半导体的电子器件的性能。 制造纳米线的方法包括以下步骤：在基底（102）上形成第一和第二电极（104a，104b）; 以及将预定电压施加到所述第一和第二电极之间的间隔。 第一和第二电极的材料包括由两个或更多个元件组成的合金。 第一和第二电极之间的间隔具有数百个母体的范围。 在将预定电压施加到第一和第二电极之间的间隔之前，水在第一和第二电极中的一个电极上滴下。
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公开(公告)号：KR1020080077431A
公开(公告)日：2008-08-25
申请号：KR1020070016923
申请日：2007-02-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R31/2601
Abstract: An apparatus for testing electrical characteristic and reliability of semiconductors and packages is provided to suppress generation of scratch at semiconductor samples without using a sharp test pin. An apparatus for testing electrical characteristic and reliability of semiconductors and packages includes a lower frame(152), a higher frame(154), and plural conductive contact poles(158). The lower frame supports plural semiconductor samples by mounting the semiconductor samples. The higher frame is mounted on the lower frame to measure the electrical characteristic of semiconductor samples. One end of the conductive contact poles is connected to the higher frame and the other end thereof is connected electrically to the respective semiconductor samples mounted on the lower frame.
Abstract translation: 提供了一种用于测试半导体和封装的电气特性和可靠性的装置，以抑制半导体样品上的划痕产生而不使用尖锐的测试针。 一种用于测试半导体和封装的电特性和可靠性的装置，包括下框架（152），较高框架（154）和多个导电接触极（158）。 下框架通过安装半导体样品来支撑多个半导体样品。 较高的框架安装在下框架上以测量半导体样品的电特性。 导电接触极的一端连接到较高的框架，另一端电连接到安装在下框架上的各个半导体样品。
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