公开(公告)号：KR1020060089262A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1020050009846

申请日：2005-02-03

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 심재성 ,  박병국 ,  이종덕 ,  김정우

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/792

Abstract: 본 발명은 다층의 도핑층을 갖는 소노스(SONOS) 메모리 셀을 이용한 노아(NOR) 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법에 관한 것이다.
종래 소노스 메모리 셀의 구조와 달리 본 발명에서 사용되는 메모리 셀은 액티브 영역에 다층의 도핑층을 적절히 형성함으로써, 소스/드레인 영역과 PN 접합을 이루는 부분에서 전자가 밴드간 터널링이 되도록 유도하고, 상기 전자를 소정의 역 바이어스 상태에서 가속시켜 애벌런치 현상을 유도하여 이 때 생성된 홀을 각 소노스 메모리 셀의 다중 유전층으로 주입시키는 방식으로 프로그램하고, 이레이즈시에는 FN 터널링으로 채널에 있는 전자를 상기 각 셀의 다중 유전층으로 주입시키는 방식으로 노아 플래시 메모리 어레이를 동작하는 방법을 제공한다.
SONOS, 플래시 메모리, 터널링, 애벌런치, NOR

公开(公告)号：KR100663977B1

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：KR1020050009846

申请日：2005-02-03

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 심재성 ,  박병국 ,  이종덕 ,  김정우

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/314

Abstract: 본 발명은 액티브 영역에 복수개의 도핑층을 갖는 전하트랩 메모리 셀을 이용한 노아(NOR) 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법에 관한 것이다.
종래 전하트랩 메모리 셀의 구조와 달리 본 발명에서 사용되는 메모리 셀은 액티브 영역에 복수개의 도핑층을 적절히 형성함으로써, 소스/드레인 영역과 PN 접합을 이루는 부분에서 전자가 밴드간 터널링이 되도록 유도하고, 상기 전자를 소정의 역 바이어스 상태에서 가속시켜 애벌런치 현상을 유도하여 이때 생성된 홀을 각 전하트랩 메모리 셀의 전하트랩층으로 주입시키는 방식으로 프로그램하고, 이레이즈시에는 FN 터널링으로 채널에 있는 전자를 상기 각 셀의 전하트랩층으로 주입시키는 방식으로 노아 플래시 메모리 어레이를 동작하는 방법을 제공한다.
전하트랩, 플래시 메모리, 터널링, 애벌런치, NOR

公开(公告)号：KR1020060089261A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1020050009845

申请日：2005-02-03

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 심재성 ,  박병국 ,  이종덕 ,  김정우

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/792

Abstract: 본 발명은 다층의 도핑층을 갖는 소노스(SONOS) 메모리 셀을 이용한 낸드(NAND) 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법에 관한 것이다.
종래 소노스 메모리 셀의 구조와 달리 본 발명에서 사용되는 메모리 셀은 액티브 영역에 다층의 도핑층을 적절히 형성함으로써, 소스/드레인 영역과 PN 접합을 이루는 부분에서 전자가 밴드간 터널링이 되도록 유도하고, 상기 전자를 소정의 역 바이어스 상태에서 가속시켜 애벌런치 현상을 유도하여 이 때 생성된 홀을 각 소노스 메모리 셀의 다중 유전층으로 주입시키는 방식으로 프로그램하고, 이레이즈시에는 FN 터널링으로 채널에 있는 전자를 상기 각 셀의 다중 유전층으로 주입시키는 방식으로 낸드 플래시 메모리 어레이를 동작하는 방법을 제공한다.
SONOS, 플래시 메모리, 터널링, 애벌런치, NAND

公开(公告)号：KR1020060089260A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1020050009844

申请日：2005-02-03

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 심재성 ,  박병국 ,  이종덕 ,  김정우

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L21/041 ,  H01L21/2652

Abstract: 본 발명은 액티브 영역에 다층의 도핑층을 갖는 소노스(SONOS) 형태의 플래시 메모리 셀의 구조 및 그 제조방법과 동작방법에 관한 것이다.
종래 소노스 메모리 셀의 구조와 달리 본 발명은 액티브 영역에 다층의 도핑층을 적절히 형성함으로써, 소스/드레인 영역과 PN 접합을 이루는 부분에서 전자가 밴드간 터널링이 되도록 유도하고, 상기 전자를 소정의 역 바이어스 상태에서 가속시켜 애벌런치 현상을 유도하여 이 때 생성된 홀을 소노스 메모리 셀의 다중 유전층으로 주입시키는 방식으로 프로그램하고, 이레이즈시에는 FN 터널링으로 채널에 있는 전자를 상기 다중 유전층으로 주입시키는 방식으로 셀을 동작하는 방법을 제공한다.
SONOS, 플래시 메모리, 터널링, 애벌런치

公开(公告)号：KR100663976B1

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：KR1020050009845

申请日：2005-02-03

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 심재성 ,  박병국 ,  이종덕 ,  김정우

IPC: H01L27/115

Abstract: 본 발명은 액티브 영역에 복수개의 도핑층을 갖는 전하트랩 메모리 셀을 이용한 낸드(NAND) 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법에 관한 것이다.
종래 전하트랩 메모리 셀의 구조와 달리 본 발명에서 사용되는 메모리 셀은 액티브 영역에 복수개의 도핑층을 적절히 형성함으로써, 소스/드레인 영역과 PN 접합을 이루는 부분에서 전자가 밴드간 터널링이 되도록 유도하고, 상기 전자를 소정의 역 바이어스 상태에서 가속시켜 애벌런치 현상을 유도하여 이때 생성된 홀을 각 전하트랩 메모리 셀의 전하트랩층으로 주입시키는 방식으로 프로그램하고, 이레이즈시에는 FN 터널링으로 채널에 있는 전자를 상기 각 셀의 전하트랩층으로 주입시키는 방식으로 낸드 플래시 메모리 어레이를 동작하는 방법을 제공한다.
전하트랩, 플래시 메모리, 터널링, 애벌런치, NAND

公开(公告)号：KR100663974B1

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：KR1020050009844

申请日：2005-02-03

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 심재성 ,  박병국 ,  이종덕 ,  김정우

IPC: H01L27/115

Abstract: 본 발명은 액티브 영역에 복수개의 도핑층을 갖는 전하트랩 플래시 메모리 셀의 구조 및 그 제조방법과 동작방법에 관한 것이다.
종래 전하트랩 메모리 셀의 구조와 달리 본 발명은 액티브 영역에 복수개의 도핑층을 적절히 형성함으로써, 소스/드레인 영역과 PN 접합을 이루는 부분에서 전자가 밴드간 터널링이 되도록 유도하고, 상기 전자를 소정의 역 바이어스 상태에서 가속시켜 애벌런치 현상을 유도하여 이때 생성된 홀을 전하트랩 메모리 셀의 전하트랩층으로 주입시키는 방식으로 프로그램하고, 이레이즈시에는 FN 터널링으로 채널에 있는 전자를 상기 전하트랩층으로 주입시키는 방식으로 셀을 동작하는 방법을 제공한다.
전하트랩, 플래시 메모리, 터널링, 애벌런치

公开(公告)号：KR1020130137905A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：KR1020120061589

申请日：2012-06-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재철 ,  김병수 ,  심재성 ,  조기영

IPC: H04S3/00

CPC classification number: H03F3/68 ,  H04R5/02 ,  H04R5/04 ,  H04R2205/022 ,  H04R2205/024 ,  H04S3/00

Abstract: An audio output apparatus and an audio output method are disclosed in the present invention. An audio output apparatus according to the present invention comprises a receiving unit which receives a multi-channel audio signal, an amplifying unit which amplifies the received multi-channel audio signal for each channel, and an audio output unit which includes a plurality of speakers for outputting the amplified multi-channel audio signals respectively. [Reference numerals] (110) Receiving unit;(130) Amplifying unit;(150) Audio output unit

Abstract translation: 在本发明中公开了音频输出装置和音频输出方法。 根据本发明的音频输出装置包括：接收单元，其接收多声道音频信号;放大单元，其对每个声道的接收到的多声道音频信号进行放大;以及音频输出单元，其包括多个扬声器，用于 分别输出放大的多声道音频信号。 （110）接收单元;（130）放大单元;（150）音频输出单元

公开(公告)号：KR100982512B1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：KR1020030070748

申请日：2003-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조잉섭 ,  심재성 ,  박현수 ,  이재욱 ,  이정현 ,  류은진

IPC: G11B20/10

CPC classification number: H04L1/205

Abstract: 본 발명은 신호 품질 측정 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 신호의 아이 패턴을 이용하여 디스크 등으로부터 독출된 RF 신호로부터의 출력 신호의 품질을 측정하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 채널을 통과한 입력 신호의 품질을 측정하는 장치로서, 상기 입력 신호의 시간 변화에 따른 파형의 변화를 나타내는 아이 패턴을 검출하는 아이 패턴 검출부; 및 상기 입력 신호의 아이 패턴으로부터 측정된 눈 깊이를 기초로 신호 품질(Q)을 생성하는 신호 품질 생성부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 고밀도 저장 매체 시스템 또는 통신 시스템에서 신호 특성을 더욱 더 정확하게 표현할 수 있는 새로운 신호 품질 측정 장치 및 방법이 제공된다.

Abstract translation: 信号质量测量方法和设备本发明涉及一种信号质量测量方法和设备，并且更具体地涉及一种用于使用信号的眼图来测量从盘等等读取的RF信号的输出信号的质量的方法和设备。 一种用于测量通过信道的输入信号的质量的装置，该装置包括：眼图检测器，用于检测指示输入信号随时间变化的眼图; 以及信号质量生成器，用于基于从输入信号的眼图测量的眼深来生成信号质量（Q）。 根据本发明，提供了一种能够在高密度存储介质系统或通信系统中更准确地表达信号特性的新型信号质量测量设备和方法。

公开(公告)号：KR100965882B1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：KR1020030070821

申请日：2003-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경근 ,  심재성

IPC: G11B7/007

Abstract: 정보 저장매체, 데이터의 기록/재생 방법 및 장치가 개시되어 있다.
이 개시된 정보 저장매체는, 리드인 영역, 사용자 데이터 영역 및 리드아웃 영역 중 한 영역에 있는 그루브에 재생 전용 데이터가 워블로 기록되며, 상기 재생 전용 데이터가 상기 리드인 영역 및 리드아웃 영역 중 적어도 한 영역에 복사 기록되는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해 재생 전용 데이터를 위한 별도의 영역을 구비할 필요가 없으므로 사용자 데이터를 기록할 수 있는 기록 영역을 최대한으로 확보할 수 있으므로 소형화되는 정보 저장매체에 유용하게 적용될 수 있다.

公开(公告)号：KR100945488B1

公开(公告)日：2010-03-09

申请号：KR1020030065410

申请日：2003-09-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박현수 ,  이정현 ,  심재성 ,  이재욱 ,  조잉섭 ,  류은진

IPC: G11B20/18

CPC classification number: H03M13/6331 ,  H03M13/395 ,  H03M13/3961 ,  H03M13/41 ,  H03M13/4184 ,  H03M13/6343

Abstract: 본 발명은 비터비 검출 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광디스크용 비터비 검출장치에서 발생하는 코드 오류 경로가 제거된 비터비 검출 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 고속 동작이 가능하도록 radix를 확장함에 있어서, PR(a,b) 조건에서도 코드조건에 따라 1T 코드가 포함된 경로가 제거될 수 있는 비터비 검출 장치가 제공된다.