公开(公告)号：KR1020120051883A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：KR1020100113212

申请日：2010-11-15

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이상권 ,  서덕원 ,  김태홍 ,  이승용 ,  이찬양

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/205 ,  H01L29/413

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a silicon nano-wire having a rough surface is provided to manufacture silicon nano-wires having wide surface areas by producing stacking fault in outer part of the silicon nano-wire. CONSTITUTION: A manufacturing method of a silicon nano-wire having a rough surface comprises next steps: washing silicon wafer(s100); evaporating metal catalyst on surface of the silicon wafer(s110); and growing the silicon nano-wire by evaporating diluted monosilane gas(SiH4) on surface of metal catalyst material which is evaporated on surface of the silicon wafer(s130). The metallic catalyst material is one of the following: Au, Cu, Ni, and Mn. The last step comprises next steps: locating the silicon wafer within an electrochemical vapor deposition apparatus; maintaining the set temperature of the electrochemical vapor deposition apparatus; and growing the silicon nano-wire for the set hours by injecting diluted monosilane gas.

Abstract translation: 目的：提供具有粗糙表面的硅纳米线的制造方法，以通过在硅纳米线的外部产生堆垛层错来制造具有宽表面积的硅纳米线。 构成：具有粗糙表面的硅纳米线的制造方法包括以下步骤：洗涤硅晶片（s100）; 在硅晶片表面蒸发金属催化剂（s110）; 并通过在硅晶片的表面上蒸发的金属催化剂材料的表面上蒸发稀释的甲硅烷气体（SiH4）来生长硅纳米线（s130）。 金属催化剂材料是Au，Cu，Ni和Mn中的一种。 最后一步包括以下步骤：将硅晶片定位在电化学气相沉积设备内; 维持电化学气相沉积装置的设定温度; 并通过注入稀释的甲硅烷气体在固化时间内生长硅纳米线。

公开(公告)号：KR101287611B1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：KR1020100113212

申请日：2010-11-15

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이상권 ,  서덕원 ,  김태홍 ,  이승용 ,  이찬양

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

Abstract: 본 발명은 거친 표면을 갖는 실리콘 나노선 제조 방법에 관한 것이다. 상기 제조 방법은, (111) 방향 또는 (100) 방향의 실리콘 웨이퍼를 세정하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 Au, Cu, Ni, Mn 과 같은 금속 촉매 물질을 증착하는 단계; 전기화학기상증착기에 상기 실리콘 웨이퍼를 위치시키고, 아르곤(Ar)이 희석된 모노실란가스(SiH
4 ) 또는 액화 테트라클로로실란(SiCl4)를 기체상태로 주입하여 금속 촉매 물질위에 실리콘 나노선을 성장시키는 단계;를 구비한다.