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公开(公告)号：KR101287611B1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：KR1020100113212
申请日：2010-11-15
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 거친 표면을 갖는 실리콘 나노선 제조 방법에 관한 것이다. 상기 제조 방법은, (111) 방향 또는 (100) 방향의 실리콘 웨이퍼를 세정하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 Au, Cu, Ni, Mn 과 같은 금속 촉매 물질을 증착하는 단계; 전기화학기상증착기에 상기 실리콘 웨이퍼를 위치시키고, 아르곤(Ar)이 희석된 모노실란가스(SiH
4 ) 또는 액화 테트라클로로실란(SiCl4)를 기체상태로 주입하여 금속 촉매 물질위에 실리콘 나노선을 성장시키는 단계;를 구비한다.-
公开(公告)号：KR1020120019062A
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020100082173
申请日：2010-08-24
Applicant: 전북대학교산학협력단
CPC classification number: H01L35/34 , H01L33/645 , H01L35/32
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric array module using a silicon nano wire, a manufacturing method thereof, and an LED chip are provided to effectively cool heat by integrating a heat sink with an array comprised of the LED chip and a plurality of single thermoelectric devices. CONSTITUTION: A metal layer(202) is formed on a surface of an insulation substrate(204). A p/n type semiconductor layer(200) is formed on the metal layer. A module area of the p/n type semiconductor layer is patterned. A p/n type nano wire(208) is formed on the module areas. A metal layer(210) is formed on the upper side of the p/n type nano wire.
Abstract translation: 目的：提供使用硅纳米线的热电阵列模块及其制造方法和LED芯片，以通过将散热器与由LED芯片和多个单个热电装置组成的阵列集成来有效地冷却热量。 构成：在绝缘基板（204）的表面上形成金属层（202）。 在金属层上形成p / n型半导体层（200）。 图案化p / n型半导体层的模块区域。 在模块区域上形成p / n型纳米线（208）。 在p / n型纳米线的上侧形成金属层（210）。
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公开(公告)号：KR100960691B1
公开(公告)日：2010-05-31
申请号：KR1020080020574
申请日：2008-03-05
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L29/72 , H01L21/265 , B82B3/00 , B82Y10/00
Abstract: 고집적 반도체 소자에 적합한, 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법이 제공된다. 기판 상에, 제 1 영역, 제 2 영역 및 제 3 영역을 갖는 적어도 하나의 나노와이어를 제공한다. 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 1 영역에 이온 주입을 이용하여 제 1 도전형의 제 1 불순물들을 도핑하여 베이스 영역을 형성한다. 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 2 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 1 도전형의 반대인 제 2 도전형의 제 2 불순물들을 도핑하여 콜렉터 영역을 형성한다. 그리고, 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 3 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 2 도전형의 제 3 불순물들을 도핑하여 에미터 영역을 형성한다.
나노와이어, 바이폴라-접합 트랜지스터, 이온 주입-
公开(公告)号：KR100810146B1
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：KR1020060094987
申请日：2006-09-28
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: A light emitting diode including nitride-based semiconductor nano wires and a method for fabricating the same are provided to realize high light emitting efficiency and high carrier implant efficiency by using a homogeneous structured nitride-based semiconductor layer/nitride-based semiconductor nano wire structure. A first conductive-type nitride-based semiconductor layer(120) is formed on a substrate(110). A first electrode(130) is formed on the nitride based semiconductor layer. A dielectric(125) is disposed on the nitride based semiconductor layer to form a second electrode(140). The second electrode is separated from the first electrode. Second conductive-type nitride-based semiconductor nano wires(150) are arranged to connect the nitride conductive-type semiconductor layer to the second electrode. The second conductive-type nitride-based semiconductor nano wires are opposite to the first conductive-type nitride-based semiconductor layer. The homojunction of the nitride based semiconductor layer and nitride-based semiconductor nano wires is formed.
Abstract translation: 提供了一种包括氮化物基半导体纳米线的发光二极管及其制造方法，其通过使用均匀结构的氮化物基半导体层/氮化物系半导体纳米线结构来实现高发光效率和高载流子注入效率。 第一导电型氮化物基半导体层（120）形成在衬底（110）上。 第一电极（130）形成在氮化物基半导体层上。 电介质（125）设置在氮化物基半导体层上以形成第二电极（140）。 第二电极与第一电极分离。 第二导电型氮化物基半导体纳米线（150）被布置成将氮化物导电型半导体层与第二电极连接。 第二导电型氮化物系半导体纳米线与第一导电型氮化物系半导体层相反。 形成氮化物系半导体层和氮化物系半导体纳米线的同相。
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公开(公告)号：KR101127541B1
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020100082173
申请日：2010-08-24
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따르는 본 발명에 따르는 실리콘 나노 와이어를 이용한 열전소자 어레이 모듈 제조 방법은, (a) 제1절연기판, 상기 제1절연기판위에 형성된 다수개의 제1금속층, 상기 다수개의 제1금속층 위에 각각 형성된 다수개의 p 타입 나노 와이어 모듈을 포함하는 p 타입 나노 와이어층을 제조하는 단계; (b) 제2절연기판, 상기 제2절연기판 위에 형성된 다수개의 제2금속층, 상기 다수개의 제2금속층 위에 각각 형성된 다수개의 n 타입 나노 와이어 모듈을 포함하는 n 타입 나노 와이어 층을 제조하는 단계; (c) 상기 p 타입 나노 와이어층과 상기 n 타입 나노 와이어층을 서로 대향시켜 상기 다수개의 p 타입 나노 와이어 모듈과 상기 다수개의 n 타입 나노 와이어 모듈이 서로 맞물리게 결합하여 본딩하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090095305A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：KR1020080020574
申请日：2008-03-05
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L29/72 , H01L21/265 , B82B3/00 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/0673
Abstract: A method of fabricating a bipolar-junction transistor using a nano-wire form a high-integrated bipolar junction transistor by injecting impurities, which have different polarities, to the selective locations through ion-injection. At least one nano-wire(120) having first, second and third regions is prepared on a substrate(110). A base region(135) is formed by injecting an ion to a first region of the nano-wire and doping first conductive impurities. A collector region(150) is formed by injecting an ion to a second region of the nano-wire and doping second conductive impurities. An emitter region(165) is formed by injecting an ion to a third region of the nano-wire and dopping third conductive impurities.
Abstract translation: 使用纳米线制造双极结型晶体管的方法通过离子注入向选择性位置注入具有不同极性的杂质构成高集成双极结型晶体管。 在衬底（110）上制备具有第一，第二和第三区域的至少一个纳米线（120）。 通过将离子注入纳米线的第一区域并掺杂第一导电杂质形成基极区（135）。 通过将离子注入到纳米线的第二区域并掺杂第二导电杂质形成集电极区域（150）。 通过将离子注入纳米线的第三区域并掺杂第三导电杂质形成发射极区域（165）。
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公开(公告)号：KR1020120051883A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：KR1020100113212
申请日：2010-11-15
Applicant: 전북대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y40/00 , H01L21/02164 , H01L21/205 , H01L29/413
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a silicon nano-wire having a rough surface is provided to manufacture silicon nano-wires having wide surface areas by producing stacking fault in outer part of the silicon nano-wire. CONSTITUTION: A manufacturing method of a silicon nano-wire having a rough surface comprises next steps: washing silicon wafer(s100); evaporating metal catalyst on surface of the silicon wafer(s110); and growing the silicon nano-wire by evaporating diluted monosilane gas(SiH4) on surface of metal catalyst material which is evaporated on surface of the silicon wafer(s130). The metallic catalyst material is one of the following: Au, Cu, Ni, and Mn. The last step comprises next steps: locating the silicon wafer within an electrochemical vapor deposition apparatus; maintaining the set temperature of the electrochemical vapor deposition apparatus; and growing the silicon nano-wire for the set hours by injecting diluted monosilane gas.
Abstract translation: 目的：提供具有粗糙表面的硅纳米线的制造方法，以通过在硅纳米线的外部产生堆垛层错来制造具有宽表面积的硅纳米线。 构成：具有粗糙表面的硅纳米线的制造方法包括以下步骤：洗涤硅晶片（s100）; 在硅晶片表面蒸发金属催化剂（s110）; 并通过在硅晶片的表面上蒸发的金属催化剂材料的表面上蒸发稀释的甲硅烷气体（SiH4）来生长硅纳米线（s130）。 金属催化剂材料是Au，Cu，Ni和Mn中的一种。 最后一步包括以下步骤：将硅晶片定位在电化学气相沉积设备内; 维持电化学气相沉积装置的设定温度; 并通过注入稀释的甲硅烷气体在固化时间内生长硅纳米线。
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公开(公告)号：KR101138011B1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020090072063
申请日：2009-08-05
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 자극?감지 일체형 바이오-메드 칩 및 그 제조방법이 제공된다. 기판이 제공된다. 자극 감지부는 상기 기판 상에 배치되고, 적어도 하나의 나노선 및 상기 적어도 하나의 나노선 상의 적어도 하나의 신경세포를 포함한다. 자극 인가부는 상기 기판 상에 결합되고, 상기 적어도 하나의 신경세포의 일부분에 자극을 가하도록 배치된 적어도 하나의 나노프로브를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110014411A
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：KR1020090072063
申请日：2009-08-05
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A stimulation/detection integrated bio-medical chip and a method for manufacturing the same are provided to continuously measuring signal without killing neural cells. CONSTITUTION: A stimulation/detection integrated bio-medical chip comprises: a substrate(130); at least one nanowires(140) which are arrganed on the substrate; a stimulation detection unit(175) having at least one nerve cells(170) on the nanowire; and a stimulation applying unit which is conjugated on the substrate and comprises at least one nanoprobes(120). The nanowire comprises a plurality of array structures placed on the substrate. The stimulation detection unit has at least one nanowire field effect transistor(172). The nanowire comprises at least one selected from carbon nanotube, silicone nanowire, zinc oxide nanowire, and vanadium oxide nanowire.
Abstract translation: 目的：提供一种刺激/检测综合生物医疗芯片及其制造方法，用于连续测量信号而不会杀死神经细胞。 构成：刺激/检测集成生物医疗芯片包括：衬底（130）; 至少一个纳米线（140），其布置在所述基底上; 在所述纳米线上具有至少一个神经细胞（170）的刺激检测单元（175） 和刺激施加单元，其在基底上共轭并包含至少一个纳米探针（120）。 纳米线包括放置在基板上的多个阵列结构。 刺激检测单元具有至少一个纳米线场效应晶体管（172）。 纳米线包括选自碳纳米管，硅氧烷纳米线，氧化锌纳米线和氧化钒纳米线中的至少一种。
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公开(公告)号：KR100827819B1
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：KR1020070017518
申请日：2007-02-21
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: A system and a method for measuring a carrier type of a semiconductor nano-material are provided to improve the reliability of measurement by employing a measuring member for detecting a Seeback voltage generated by the gradient of temperature. A pair of micro heaters(110,120) are contacted to a semiconductor nano-material and heated by different temperatures to for a temperature gradient in the semiconductor nano-material. A measuring member detects a Seeback voltage generated by the temperature gradient of the semiconductor nano-material. The measuring member includes a pair of probes(130,140) and a voltmeter(150). The pair of probes are electrically connected to the semiconductor nano-material. The voltmeter is coupled to the pair of probes. The semiconductor nano-material includes a semiconductor nano-wire or a semiconductor tube.
Abstract translation: 提供一种用于测量半导体纳米材料的载流子类型的系统和方法，以通过采用用于检测由温度梯度产生的回波电压的测量部件来提高测量的可靠性。 一对微加热器（110,120）与半导体纳米材料接触，并通过不同温度加热至半导体纳米材料的温度梯度。 测量构件检测由半导体纳米材料的温度梯度产生的回波电压。 测量构件包括一对探针（130,140）和电压计（150）。 该对探针与半导体纳米材料电连接。 电压表耦合到一对探头。 半导体纳米材料包括半导体纳米线或半导体管。
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