公开(公告)号：KR100960691B1

公开(公告)日：2010-05-31

申请号：KR1020080020574

申请日：2008-03-05

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이상권 ,  김태홍 ,  이승용 ,  형정환 ,  장찬오

IPC: H01L29/72 ,  H01L21/265 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 고집적 반도체 소자에 적합한, 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법이 제공된다. 기판 상에, 제 1 영역, 제 2 영역 및 제 3 영역을 갖는 적어도 하나의 나노와이어를 제공한다. 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 1 영역에 이온 주입을 이용하여 제 1 도전형의 제 1 불순물들을 도핑하여 베이스 영역을 형성한다. 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 2 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 1 도전형의 반대인 제 2 도전형의 제 2 불순물들을 도핑하여 콜렉터 영역을 형성한다. 그리고, 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 3 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 2 도전형의 제 3 불순물들을 도핑하여 에미터 영역을 형성한다.
나노와이어, 바이폴라-접합 트랜지스터, 이온 주입

公开(公告)号：KR1020090095305A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：KR1020080020574

申请日：2008-03-05

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이상권 ,  김태홍 ,  이승용 ,  형정환 ,  장찬오

IPC: H01L29/72 ,  H01L21/265 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/66318 ,  H01L29/0673

Abstract: A method of fabricating a bipolar-junction transistor using a nano-wire form a high-integrated bipolar junction transistor by injecting impurities, which have different polarities, to the selective locations through ion-injection. At least one nano-wire(120) having first, second and third regions is prepared on a substrate(110). A base region(135) is formed by injecting an ion to a first region of the nano-wire and doping first conductive impurities. A collector region(150) is formed by injecting an ion to a second region of the nano-wire and doping second conductive impurities. An emitter region(165) is formed by injecting an ion to a third region of the nano-wire and dopping third conductive impurities.

Abstract translation: 使用纳米线制造双极结型晶体管的方法通过离子注入向选择性位置注入具有不同极性的杂质构成高集成双极结型晶体管。 在衬底（110）上制备具有第一，第二和第三区域的至少一个纳米线（120）。 通过将离子注入纳米线的第一区域并掺杂第一导电杂质形成基极区（135）。 通过将离子注入到纳米线的第二区域并掺杂第二导电杂质形成集电极区域（150）。 通过将离子注入纳米线的第三区域并掺杂第三导电杂质形成发射极区域（165）。