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公开(公告)号:KR100717960B1
公开(公告)日:2007-05-14
申请号:KR1020040053875
申请日:2004-07-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/105
Abstract: 본 발명은 단결정 기판과, RBa2Cu3O7로 표현되며, 상기 R은 Sm, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb로 구성되는 그룹으로부터 선택되며, 상기 단결정 기판 위에 증착되어 하부 전극으로 작용하며 고온 초전도 특성을 가지는 전도성 산화물 박막과,상기 전도성 산화물 박막 위에 증착되는 강유전체 박막을 포함하는 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 요구되는 특성인 표면 거칠기가 나노미터 정도일 것과 결정학적 정렬성이 우수할 것과 강유전체 도메인의 표면 전위가 충분히 클 것과 같은 조건을 만족하는 매체구조를 실현할 수 있다.
강유전체 박막, 고온 초전도 특성, 나노스토리지, 전도성 산화물, 전극-
公开(公告)号:KR1020060005047A
公开(公告)日:2006-01-17
申请号:KR1020040053875
申请日:2004-07-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L28/55 , H01L21/02197 , H01L21/02266
Abstract: 본 발명은 단결정 기판과, 상기 단결정 기판 위에 증착되어 하부 전극으로 작용하며 고온 초전도 특성을 가지는 전도성 산화물 박막과, 상기 전도성 산화물 박막 위에 증착되는 강유전체 박막을 포함하는 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 요구되는 특성인 표면 거칠기가 나노미터 정도일 것과 결정학적 정렬성이 우수할 것과 강유전체 도메인의 표면 전위가 충분히 클 것과 같은 조건을 만족하는 매체구조를 실현할 수 있다.
강유전체 박막, 고온 초전도 특성, 나노스토리지, 전도성 산화물, 전극
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