-
公开(公告)号:KR101711922B1
公开(公告)日:2017-03-03
申请号:KR1020140040690
申请日:2014-04-04
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C07D401/10 , C07D403/10 , C07D215/02 , C07D209/48 , G03F7/00
Abstract: 하기화학식 1로표시되는화합물이제공된다. [화학식 1](상기화학식 1에서, 각치환기는명세서에정의된바와같다.)
Abstract translation: 提供了由化学式1表示的化合物。在化学式1中,每个取代基与说明书中所定义的相同。
-
公开(公告)号:KR101645074B1
公开(公告)日:2016-08-02
申请号:KR1020140004794
申请日:2014-01-14
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C08L63/08 , C07D213/26 , B01J31/02
CPC classification number: C08G59/4014 , B01J31/02 , B01J31/0271 , C07D213/04 , C07D213/30 , C07D213/84 , C07D213/85 , C08G59/245 , C08G59/621 , C08G59/686 , C08L63/00 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125
Abstract: 본발명은화학식 1의피리디늄계화합물, 이를포함하는에폭시수지조성물및 이를사용하여제조된장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及化学式1的吡啶鎓系化合物,包含该化合物的环氧树脂组合物和使用该化合物的制造装置。
-
公开(公告)号:KR1020150115512A
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:KR1020140040690
申请日:2014-04-04
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C07D401/10 , C07D403/10 , C07D215/02 , C07D209/48 , G03F7/00
CPC classification number: C07D401/10 , C07D209/48 , C07D215/02 , C07D403/10 , G03F7/00
Abstract: 하기화학식 1로표시되는화합물이제공된다. [화학식 1](상기화학식 1에서, 각치환기는명세서에정의된바와같다.)
Abstract translation: 提供了由化学式1表示的化合物。在化学式1中,每个取代基与说明书中所定义的相同。
-
-
5.레지스트 하층막용 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
Title translation: 电阻底层组合物,形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路装置公开(公告)号:KR1020140127691A
公开(公告)日:2014-11-04
申请号:KR1020130046363
申请日:2013-04-25
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/092 , G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/0271
Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 화합물 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
상기 A
1 , A
2 , B
1 , R
1 , R
2 는 각각 명세서에서 정의한 바와 같다.Abstract translation: 提供一种抗蚀剂底层组合物,其包含包含由以下化学式1表示的部分的化合物和溶剂。 [化学式1]在化学式1中,A1,A2,B1,R1和R2分别在规范中定义。
-
公开(公告)号:KR101785435B1
公开(公告)日:2017-10-16
申请号:KR1020140054331
申请日:2014-05-07
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 하기화학식 1로표시되는화합물이제공된다. [화학식 1](상기화학식 1에서, 각치환기는명세서에정의된바와같다.)
Abstract translation: 提供了由下式(1)表示的化合物。 [化学式1](其中每个取代基如说明书中所定义)
-
7.레지스트 하층막용 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
Title translation: 形成图案的阻抗组成方法和包含图案的半导体集成电路装置公开(公告)号:KR101674989B1
公开(公告)日:2016-11-22
申请号:KR1020130057256
申请日:2013-05-21
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/36 , G03F7/40
Abstract: 하기화학식 1로표현되는부분을포함하는화합물및 용매를포함하는레지스트하층막용조성물을제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A내지 A, X, X, L, L, Z 및 m은각각명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 公开了一种抗蚀剂底层组合物,其包含包含由以下化学式1表示的部分的化合物和溶剂。 在上述化学式1中,A1至A3,X1,X2,L1,L2,Z和m与说明书中所定义相同。
-
8.레지스트 하층막용 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
Title translation: 形成图案的阻抗组成方法和包括图案的半导体集成电路装置-
9.
公开(公告)号:KR1020150084612A
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:KR1020140004794
申请日:2014-01-14
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C08L63/08 , C07D213/26 , B01J31/02
CPC classification number: C08G59/4014 , B01J31/02 , B01J31/0271 , C07D213/04 , C07D213/30 , C07D213/84 , C07D213/85 , C08G59/245 , C08G59/621 , C08G59/686 , C08L63/00 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , C08L63/08 , C07D213/26
Abstract: 본발명은화학식 1의피리디늄계화합물, 이를포함하는에폭시수지조성물및 이를사용하여제조된장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及以化学式1表示的吡啶鎓系化合物,含有它的环氧树脂组合物及使用该化合物的装置。
-
10.포스포늄 이온 함유 화합물, 이를 포함하는 에폭시수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 장치 有权
Title translation: 包含与其相同的磷酸环氧基树脂组合物的化合物和使用其制备的装置公开(公告)号:KR101702704B1
公开(公告)日:2017-02-03
申请号:KR1020140005608
申请日:2014-01-16
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C07F9/50 , C07F9/53 , C07C311/16
CPC classification number: C08G59/688 , C07C311/51 , C07D239/42 , C07F9/5442 , C07F9/5456 , C08G59/245 , C08G59/621 , C08L63/00 , C08L63/04 , C08L2205/05
Abstract: 본발명은화학식 1의포스포늄이온함유화합물, 이를포함하는에폭시수지조성물, 및이를사용하여제조된장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及化学式1的含有鏻离子的化合物,含有该化合物的鏻离子的化合物,以及使用该鏻离子的装置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-