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公开(公告)号：WO2013100477A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/KR2012/011108
申请日：2012-12-18
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: H01L23/544 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L21/70 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2224/83191
Abstract: 본원 발명은 점착층과 링프레임간의 탈리를 방지하여 공정성을 높이는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본원 발명은 점착층 중 링프레임과의 부착 영역 내에 홈이 형성되어있어, 반도체 제조 공정상 투입되는 물 및/또는 공기를 상기 홈을 통하여 제거함으로써, 필름과 링프레임간의 부착력 약화 및 탈리를 방지하는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种切割芯片接合膜，其中防止了粘合层和环形框架之间的分离以提高加工性，更具体地，涉及一种切割模片接合膜，其中在附着区域中形成有凹槽 层，以防止膜和环形框架之间的粘合力被削弱，并且通过去除在半导体制造过程中注入的水和/或空气来防止膜和环形框架彼此分离 通过沟槽。
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公开(公告)号：WO2013094998A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/KR2012/011157
申请日：2012-12-20
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09J163/00 , C08K5/0025 , C08K5/3445 , C08L63/00 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/83191 , H01L2224/83885 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2224/48 , H01L2924/05442 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 본 발명은 120℃ 내지 130℃에서 1분 내지 20분의 제1 단계, 140℃ 내지 150℃에서 1분 내지 10분의 제2 단계, 160℃ 내지 180℃에서 30초 내지 10분의 제3 단계, 및 160 내지 180℃에서 10분 내지 2시간의 제4 단계의 경화 공정 중, 상기 제1 단계에서의 DSC 경화율이 전체 경화율 100% 대비 40% 이하이며, 제4 단계의 DSC 경화율은 상기 제3 단계의 경화율 대비 30% ~ 60%의 상승률을 갖으며, 제2 단계 및 제3 단계는 전 단계의 DSC 경화율 대비 5% 이상의 상승률을 갖는 것을 특징으로 하는, 반도체 접착 필름에 관한 것이다.
Abstract translation: 半导体粘合膜技术领域本发明涉及一种半导体粘合膜，其中通过第一步骤的DSC的固化速度基于总固化速率100％为40％以下，第四步骤的DSC的固化速度高于30℃， 比第三步骤的固化速度高60％，第二步骤和第三步骤的固化速度比固化过程中的前一步骤的固化速度高5％或更多，包括在120-130℃的第一步骤 ℃为1-20分钟，第二步为140-150℃1-10分钟，第三步为160-180℃30秒-10分钟，第四步为160-180℃， 10分钟到2小时。
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公开(公告)号：KR101403864B1
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：KR1020110143455
申请日：2011-12-27
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: H01L23/544 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L21/70 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2224/83191
Abstract: 본원 발명은 점착층과 링프레임간의 탈리를 방지하여 공정성을 높이는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본원 발명은 점착층 중 링프레임과의 부착 부위 내에 홈이 형성되어있어, 반도체 제조 공정상 투입되는 물 및/또는 공기를 상기 홈을 통하여 제거함으로써, 필름과 링프레임간의 부착력 약화 및 탈리를 방지하는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101381119B1
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020130060768
申请日：2013-05-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/00 , C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/60
CPC classification number: C09J163/00 , C08G59/3209 , C08G59/50 , C08G59/621 , C08G59/688 , Y10T428/31515 , C09J7/22 , C09J7/35 , C09J201/00 , C09J2201/61 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/6836 , H01L2021/6006 , H01L2221/68327
Abstract: The present invention relates to a semiconductor adhesive film in which a difference between a storage modulus (A) after four cycles and a storage modulus (B) after one cycle is 3×10^6 dyne/cm^2 or less, a storage modulus (A) after four cycles is 7×10^6 dyne/cm^2 or less, and a storage modulus (B) after one cycle is 2×10^6 dyne/cm^2 or more when hardening at 125°C for one hour and hardening at 150°C for ten minutes are regarded as one cycle.
Abstract translation: 半导体粘合膜技术领域本发明涉及在四个循环后的储能模量（A）与一个循环后的储能模量（B）之间的差为3×10 6达因/ cm 2以下的半导体粘合膜， （A）在4×10 6达因/ cm 2以下的情况下，在125℃下硬化时，1个循环后的储能模量（B）为2×10 6 dyne / cm 2以上 一小时，在150℃硬化10分钟被认为是一个循环。
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公开(公告)号：KR1020130017319A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020110079682
申请日：2011-08-10
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J11/08 , C09J163/00 , H01L21/60 , H01L21/02
CPC classification number: C09J11/08 , C09J9/00 , C09J161/06 , C09J163/00 , H01L21/02
Abstract: PURPOSE: An adhesive composition for semiconductors is provided to effectively remove or minimize voids in an attachment process or a curing process at an epoxy molding compound, thereby being capable of reducing defects of a semiconductor and reliability loss. CONSTITUTION: An adhesive composition for semiconductors comprises a resin and a curing agent. The curing agent comprises a phenol curing agent-(a) which has a hydroxy group in 150 g/eq or less, and a phenol curing agent-(b) which has a hydroxy group in 150 g/eq or more. The void of the adhesive composition is 5% or less and the shear strength is 5-20 kgf. The mixing ratio of the phenol curing agent-(a) and (b) is 1:4-4:1. The resin comprises a thermoplastic resin and an epoxy resin. The composition additionally comprises a curing accelerator, a filler, and a silane coupling agent. The adhesive film comprises the adhesive composition.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体的粘合剂组合物，以有效地去除或最小化环氧模塑料中的附着过程或固化过程中的空隙，从而能够减少半导体的缺陷和可靠性损失。 构成：半导体用粘合剂组合物包括树脂和固化剂。 固化剂包括具有150g / eq以下羟基的（a）酚固化剂和150g / eq以上羟基的酚固化剂 - （b）。 粘合剂组合物的空隙为5％以下，剪切强度为5-20kgf。 苯酚固化剂 - （a）和（b）的混合比为1：4-4：1。 树脂包括热塑性树脂和环氧树脂。 组合物另外包含固化促进剂，填料和硅烷偶联剂。 粘合剂膜包括粘合剂组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150025991A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130104242
申请日：2013-08-30
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/00 , C09J163/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09J7/00 , C09J9/00 , C09J163/00 , C09J2203/326 , H01L21/02
Abstract: The purpose of the present invention is to provide an adhesive composition for a semiconductor and an adhesive film, which can achieve attach void free or cure void free and can inhibit expansion and generation of void according to control of hardening speed. The present invention relates to an adhesive film for a semiconductor comprising an adhesive layer, which includes: a binder resin; a polyfunctional first epoxy resin; a monofunctional second epoxy resin; a hardener; and a hardening accelerator, and to a semiconductor device connected by the film.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于半导体和粘合剂膜的粘合剂组合物，其可以实现无空隙或固化无空隙，并且可以根据硬化速度的控制来抑制空隙的膨胀和产生。 本发明涉及一种包含粘合剂层的半导体粘合膜，其包括：粘合剂树脂; 多官能第一环氧树脂; 单官能第二环氧树脂; 硬化剂 和硬化促进剂，以及通过该膜连接的半导体器件。
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公开(公告)号：KR101355853B1
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020110079682
申请日：2011-08-10
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J11/08 , C09J163/00 , H01L21/60 , H01L21/02
Abstract: 본 발명은 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 경화제로 수산기 150g/eq 이하의 페놀 경화제와 수산기 150g/eq 초과의 페놀 경화제를 배합하여 사용함으로써 EMC(epoxy molding compound) 몰딩 후 보이드가 5% 이하이고, 전단강도가 5 내지 20 kgf 인 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020130075189A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020110143455
申请日：2011-12-27
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: H01L23/544 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L21/70 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2224/83191 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2205/10
Abstract: PURPOSE: A dicing die bonding film is provided to prevent the degradation of adhesion and separation between a film and a ring frame by removing water and/or air being put in during a semiconductor-manufacturing process through a groove formed on the adhesive part between the film and the ring frame. CONSTITUTION: A dicing die bonding film includes a substrate film; an adhesive film laminated on the substrate film; a viscous layer (110,120); an adhesive layer (130) laminated on the viscous layer; and a release film laminated on the adhesive film. A groove (300) is formed on the adhesive part between the viscous layer and a ring frame. A manufacturing method of the dicing die bonding film includes a step of forming the groove on the dicing die bonding film by inserting a blade, which penetrates through the substrate film and a part of the viscous layer, on which the adhesive layer is not laminated, up to a height not penetrating the release film.
Abstract translation: 目的：提供一种切割芯片接合薄膜，以通过除去在半导体制造过程中通过形成在粘合剂部分之间的凹槽中的水和/或空气而防止薄膜和环形框架之间的粘附和分离 电影和戒指框架。 构成：切割芯片接合膜包括基板膜; 层压在基材膜上的粘合膜; 粘性层（110,120）; 层压在粘性层上的粘合剂层（130）; 以及层压在粘合膜上的剥离膜。 在粘性层和环形框架之间的粘合部分上形成有凹槽（300）。 切割芯片接合薄膜的制造方法包括以下步骤：通过插入贯穿基片薄膜的粘合层和不粘合层的粘合层的一部分，形成切割晶片接合薄膜上的凹槽， 达到不渗透释放膜的高度。
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公开(公告)号：KR1020140076785A
公开(公告)日：2014-06-23
申请号：KR1020120145220
申请日：2012-12-13
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J163/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09J7/22 , C09J7/30 , C09J163/00 , C09J2201/60 , C09J2203/326 , H01L21/02002 , H01L21/6836
Abstract: The present invention relates to an adhesive composition for a semiconductor and an adhesive film including the same, and more specifically, to an adhesive composition for a semiconductor with viscosity of 7000 Pa·s or less at 80 deg. C and 5000 Pa·s or less at 100 deg. C. According to one embodiment of the present invention, the adhesive composition for a semiconductor with a 0-10% of void area is obtained by bonding the film at 100-130 deg. C for 1-60 seconds and hardening the film at 125-150 deg. C for 10-60 minutes.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体用粘合剂组合物及其粘合膜，更具体地说，涉及在80度下粘度为7000Pa·s以下的半导体用粘合剂组合物。 C和5000Pa·s以下。 C.根据本发明的一个实施方案，通过在100-130度粘合该膜，获得具有0-10％空隙面积的半导体用粘合剂组合物。 C，持续1-60秒，并在125-150度硬化该膜。 C 10-60分钟。
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公开(公告)号：KR101375297B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020110140386
申请日：2011-12-22
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09J163/00 , C08K5/0025 , C08K5/3445 , C08L63/00 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/83191 , H01L2224/83885 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2224/48 , H01L2924/05442 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 본 발명은 125℃에서 10분의 제1 단계, 150℃에서 5분의 제2 단계, 175℃에서 1분의 제3 단계, 및 175℃에서 1시간의 제4 단계의 경화 공정 중, 상기 제1 단계에서의 DSC 경화율이 전체 경화율 100% 대비 40% 이하이며, 제4 단계의 DSC 경화율은 상기 제3 단계의 경화율 대비 30% ~ 60%의 상승률을 갖으며, 제2 단계 및 제3 단계는 전 단계의 DSC 경화율 대비 5% 이상의 상승률을 갖는 것을 특징으로 하는, 반도체 접착 필름에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明的特征在于，在125分钟的第一步10分钟，第二步150分钟5分钟，第三步175分钟1分钟，第四步175步的固化步骤1小时， 第一步骤中的DSC固化速率为总固化速度100％的40％或更少，第四步骤中的DSC固化速率为第三步骤中固化速度的30％至60％ 第三步相对于前一步的DSC固化速率增加5％或更多。
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