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公开(公告)号：WO2013085277A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：PCT/KR2012/010478
申请日：2012-12-05
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/10 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L2221/68327
Abstract: 본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프는, 이형필름, 상기 이형필름 상에 형성된 원형 모양의 접착층, 상기 접착층을 덮고 상기 접착층의 주위에서 상기 이형필름에 접촉하도록 설치된 원형 모양의 점착필름, 및 상기 이형필름의 길이 방향의 양단부에 연속적으로 형성된 패턴 점착필름을 포함하며, 상기 패턴 점착필름 아래에 상기 접착층과 동일한 두께의 패턴 접착층이, 상기 접착층 원주의 폭방향 접선과 이웃하는 접착층 원주의 폭방향 접선 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明的半导体装配用胶带包括：剥离膜; 形成在剥离膜上的圆形粘合剂层; 覆盖粘合剂层的圆形粘合膜，设置成与粘合剂层附近的剥离膜接触; 以及在剥离膜的长度方向上的两端连续形成的图案粘合膜，其中，在图案粘合膜下形成与粘合剂层相同厚度的图案粘合剂层，位于图案粘合剂膜之间的宽度方向切线 粘合剂层的周长和相邻粘合剂层的圆周上的宽度方向切线。
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公开(公告)号：WO2013094983A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/KR2012/011106
申请日：2012-12-18
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/48 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08K3/08 , C08K3/22 , C09J7/20 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191
Abstract: 본원 발명은 점착층 및 상기 점착층에 적층된 접착층을 포함하며, -20℃ 내지 0℃에서 상기 점착층에 대한 접착층의 탄성 모듈러스의 비가 1 내지 10이 되도록 함으로써, 다이싱 공정시 웨이퍼의 뒤틀림 현상을 억제하여 박막 웨이퍼의 저온 분단성 및 픽업 공정성이 우수한 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다. 또한, 본원 발명은 충진제를 함유하여 물성이 단단하면서도 경화 전 점착력이 우수한 반도체용 점착 필름 및 상기 점착 필름을 포함하는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种切割片接合膜，其包括切割膜和层压在切割膜上的粘合层，并通过控制粘合剂层与切割膜的弹性模量比来限制切割工艺中晶片的变形 在-20℃至0℃下为1至10，从而获得优异的低温破碎性能和薄膜晶片的拾取过程。 此外，本发明涉及一种半导体用切割膜，其具有获得固体物理性能和优异的硬化前的粘合强度的填料，以及包含该切割膜的切割模片接合薄膜。
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公开(公告)号：WO2013094998A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/KR2012/011157
申请日：2012-12-20
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09J163/00 , C08K5/0025 , C08K5/3445 , C08L63/00 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/83191 , H01L2224/83885 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2224/48 , H01L2924/05442 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 본 발명은 120℃ 내지 130℃에서 1분 내지 20분의 제1 단계, 140℃ 내지 150℃에서 1분 내지 10분의 제2 단계, 160℃ 내지 180℃에서 30초 내지 10분의 제3 단계, 및 160 내지 180℃에서 10분 내지 2시간의 제4 단계의 경화 공정 중, 상기 제1 단계에서의 DSC 경화율이 전체 경화율 100% 대비 40% 이하이며, 제4 단계의 DSC 경화율은 상기 제3 단계의 경화율 대비 30% ~ 60%의 상승률을 갖으며, 제2 단계 및 제3 단계는 전 단계의 DSC 경화율 대비 5% 이상의 상승률을 갖는 것을 특징으로 하는, 반도체 접착 필름에 관한 것이다.
Abstract translation: 半导体粘合膜技术领域本发明涉及一种半导体粘合膜，其中通过第一步骤的DSC的固化速度基于总固化速率100％为40％以下，第四步骤的DSC的固化速度高于30℃， 比第三步骤的固化速度高60％，第二步骤和第三步骤的固化速度比固化过程中的前一步骤的固化速度高5％或更多，包括在120-130℃的第一步骤 ℃为1-20分钟，第二步为140-150℃1-10分钟，第三步为160-180℃30秒-10分钟，第四步为160-180℃， 10分钟到2小时。
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公开(公告)号：WO2013100477A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/KR2012/011108
申请日：2012-12-18
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: H01L23/544 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L21/70 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2224/83191
Abstract: 본원 발명은 점착층과 링프레임간의 탈리를 방지하여 공정성을 높이는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본원 발명은 점착층 중 링프레임과의 부착 영역 내에 홈이 형성되어있어, 반도체 제조 공정상 투입되는 물 및/또는 공기를 상기 홈을 통하여 제거함으로써, 필름과 링프레임간의 부착력 약화 및 탈리를 방지하는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种切割芯片接合膜，其中防止了粘合层和环形框架之间的分离以提高加工性，更具体地，涉及一种切割模片接合膜，其中在附着区域中形成有凹槽 层，以防止膜和环形框架之间的粘合力被削弱，并且通过去除在半导体制造过程中注入的水和/或空气来防止膜和环形框架彼此分离 通过沟槽。
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公开(公告)号：WO2013094930A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/KR2012/010835
申请日：2012-12-13
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J133/04 , C08F20/10 , H01L21/58
CPC classification number: C08F20/10 , C08L33/10 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68386 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/27 , H01L21/78 , H01L2224/83 , C08L33/066 , C08L33/14
Abstract: 본원 발명은 아크릴 공중합체를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름으로서, 상기 아크릴 공중합체 100 중량부에 대하여 히드록시기 함유 아크릴레이트 모노머 및 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 20 내지 40 중량부로 포함함으로써 링프레임과의 점착력이 우수한 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다. 또한 본원 발명은 경화 후 링프레임에 대한 점착력(x)이 2.5 N/25mm 이상이고, 상기 링프레임에 대한 점착력 및 접착층에 대한 점착력(y)의 비(y/x)가 1.3 이하인 점착층을 포함함으로써, 링프레임 탈리에 의한 공정 불량을 방지하고 높은 픽업 성공률을 나타내는 비자외선형 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包含丙烯酸共聚物的切割模片接合薄膜，涉及一种非紫外线切割模片接合薄膜，其包含相对于100重量份丙烯酸共聚物，20至40重量份的 含羟基的丙烯酸酯单体和聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯，使得对环框的粘着力是突出的。 本发明还涉及一种非紫外线切割芯片接合薄膜，其包括粘合剂层，所述粘合剂层相对于环形框架具有至少2.5N / 25mm的后固化粘着力（x），并且其中 y）和相对于粘合剂层的粘着力（y）的粘合力不大于1.3，从而防止了由于环形框架脱离引起的加工缺陷， 展示成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140129923A
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020130048885
申请日：2013-04-30
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J11/00 , C09J163/00 , C09J7/02 , H01L21/60
CPC classification number: C09J11/00 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/35 , C09J163/00 , C09J2201/61 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/6836 , H01L2221/68327
Abstract: 본 발명은 이온 포착제로서 화학식 1로 표시되는 고리 화합물을 포함하여 금속 이온과 결합되거나, 금속 이온을 산화 또는 환원시켜 금속의 이동도를 현저히 감소시켜, 반도체 공정 중 또는 공정이 끝난 후 반도체 소자의 작동 효율을 극대화시킬 수 있는 반도체용 접착 조성물 및 이를 이용한 접착 필름을 제공하는 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于半导体的粘合剂组合物，其能够在半导体工艺期间或在该工艺之后使半导体器件的工作效率最大化，通过氧化或还原金属离子或与金属离子组合来显着降低金属的迁移率，包括 由化学式1表示的环化合物作为离子清除剂; 和使用其的粘合膜。
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公开(公告)号：KR101234847B1
公开(公告)日：2013-02-19
申请号：KR1020080137444
申请日：2008-12-30
Applicant: 제일모직주식회사
Inventor： 최재원
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 및 첨가제를 포함하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 첨가제로 화학식 1로 표시되는 아크릴계 첨가제를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것이다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 접촉각이 작아 언더필 공정 시에 발생하는 기포를 효과적으로 제거할 수 있으므로 수지 언더필용 반도체 소자 제조에 유용하다.
반도체, 언더필, 액상, 아크릴계 첨가제, 접촉각, 기포-
公开(公告)号：KR101019754B1
公开(公告)日：2011-03-08
申请号：KR1020080135834
申请日：2008-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J163/00 , C09J11/00
Abstract: 본 발명에 따른 반도체용 접착 조성물은 반응온도영역이 낮은 촉매를 사용하여 다이 접착시 최소한의 모듈러스를 확보함으로써 다이 접착시 공정성 및 초기 신뢰성을 확보하고, 반응온도영역이 높은 촉매를 사용하여 다이 접착 후 실시하는 경화공정 후에도 잔존 경화율을 부여하여 EMC 몰딩시 원활한 보이드 제거를 달성하고자 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 일 실시예로 열가소성 고분자 수지, 에폭시계 수지, 페놀형 에폭시 수지 경화제, 무기필러를 포함하는 접착 조성물에 있어서, 반응 온도 범위가 80℃ ~ 170℃인 제1경화촉진제, 반응 온도 범위가 170℃ ~ 300℃인 제2경화촉진제를 포함하는 페놀 경화형 반도체용 접착 조성물을 제공한다.
DAF, 반도체용 접착 조성물, 경화촉진제-
公开(公告)号：KR1020100077792A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080135834
申请日：2008-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J163/00 , C09J11/00
CPC classification number: C09J11/06 , C08K5/3445 , C08K5/49 , C09J7/00 , C09J201/00 , C09J2467/005
Abstract: PURPOSE: An adhesive composition for a semiconductor is provided to secure initial reliability and workability when a die is attached using catalysts having different reaction temperature ranges and to smoothly eliminate void when an epoxy molding compound is molded by giving a residual curing rate. CONSTITUTION: An adhesive composition for a semiconductor includes a thermoplastic polymer resin, an epoxy resin, a phenol-based epoxy hardener, and inorganic filler. The adhesive composition includes a first curing accelerator having a reaction temperature range of 80-170 °C and a second curing accelerator having a reaction temperature range of 170-300 °C with an amount of 1.0-10 weight% of total solid portion. The weight ratio of the first curing accelerator and the second curing accelerator is 1:0.3~1:0.99, respectively.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体的粘合剂组合物，以在使用具有不同反应温度范围的催化剂附着模具时确保初始可靠性和可加工性，并且当通过产生残留固化速率成型环氧模塑料时，平滑地消除空隙。 构成：用于半导体的粘合剂组合物包括热塑性聚合物树脂，环氧树脂，酚基环氧固化剂和无机填料。 粘合剂组合物包括反应温度范围为80-170℃的第一固化促进剂和反应温度范围为170-300℃，总固体部分的1.0-10重量％的第二固化促进剂。 第一固化促进剂和第二固化促进剂的重量比分别为1:0.3〜1:0.99。
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公开(公告)号：KR1020140129922A
公开(公告)日：2014-11-07
申请号：KR1020130048884
申请日：2013-04-30
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J11/04 , C09J163/00 , C09J7/02 , H01L21/60
CPC classification number: C09J11/04 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/35 , C09J163/00 , C09J2201/61 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102
Abstract: 본 발명은 하기 식 1의 금속 이온 포착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 조성물 혹은 반도체용 접착 필름, 및 상기 반도체용 접착 필름에 의해 접속된 반도체 장치에 관한 것이다.
[식 1]
X
(m) Y
(n) Z
(1-mn) · (H
2 O)
p
상기 식 1에서,
X, Y 및 Z는 각각 서로 상이하고, Zr, Sn, Mg, Ti, Al, Bi 및 Sb 중 어느 하나, 혹은 상기 금속의 산화물, 탄산염 또는 인산염이며, m 및 n은 서로 독립적으로 0 초과 1 미만의 수이고, 1-mn은 0이 아니며, p는 0 이상의 수이다.Abstract translation: 本发明涉及一种用于半导体的粘合剂组合物，其特征在于包括式1的金属离子清除剂，用于半导体用粘合剂膜，以及通过使用半导体用粘合膜制造的半导体器件。 式1：X_（m）Y_（n）Z_（1-m-n）·（H_2O）_p。 在式1中，X，Y和Z彼此不同，是Zr，Sn，Mg，Ti，Al，Bi和Sb中的一种，或金属的碳酸盐，磷酸盐或氧化物中的一种; m和n分别是大于0但小于1的数字; 1-m-n不满足0; p是0以上的数。
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