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公开(公告)号：WO2013094998A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/KR2012/011157
申请日：2012-12-20
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J7/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09J163/00 , C08K5/0025 , C08K5/3445 , C08L63/00 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/83191 , H01L2224/83885 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2224/48 , H01L2924/05442 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 본 발명은 120℃ 내지 130℃에서 1분 내지 20분의 제1 단계, 140℃ 내지 150℃에서 1분 내지 10분의 제2 단계, 160℃ 내지 180℃에서 30초 내지 10분의 제3 단계, 및 160 내지 180℃에서 10분 내지 2시간의 제4 단계의 경화 공정 중, 상기 제1 단계에서의 DSC 경화율이 전체 경화율 100% 대비 40% 이하이며, 제4 단계의 DSC 경화율은 상기 제3 단계의 경화율 대비 30% ~ 60%의 상승률을 갖으며, 제2 단계 및 제3 단계는 전 단계의 DSC 경화율 대비 5% 이상의 상승률을 갖는 것을 특징으로 하는, 반도체 접착 필름에 관한 것이다.
Abstract translation: 半导体粘合膜技术领域本发明涉及一种半导体粘合膜，其中通过第一步骤的DSC的固化速度基于总固化速率100％为40％以下，第四步骤的DSC的固化速度高于30℃， 比第三步骤的固化速度高60％，第二步骤和第三步骤的固化速度比固化过程中的前一步骤的固化速度高5％或更多，包括在120-130℃的第一步骤 ℃为1-20分钟，第二步为140-150℃1-10分钟，第三步为160-180℃30秒-10分钟，第四步为160-180℃， 10分钟到2小时。
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公开(公告)号：WO2013100477A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/KR2012/011108
申请日：2012-12-18
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: H01L23/544 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L21/70 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2224/83191
Abstract: 본원 발명은 점착층과 링프레임간의 탈리를 방지하여 공정성을 높이는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본원 발명은 점착층 중 링프레임과의 부착 영역 내에 홈이 형성되어있어, 반도체 제조 공정상 투입되는 물 및/또는 공기를 상기 홈을 통하여 제거함으로써, 필름과 링프레임간의 부착력 약화 및 탈리를 방지하는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种切割芯片接合膜，其中防止了粘合层和环形框架之间的分离以提高加工性，更具体地，涉及一种切割模片接合膜，其中在附着区域中形成有凹槽 层，以防止膜和环形框架之间的粘合力被削弱，并且通过去除在半导体制造过程中注入的水和/或空气来防止膜和环形框架彼此分离 通过沟槽。
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公开(公告)号：KR1020150103533A
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：KR1020140025092
申请日：2014-03-03
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: G03F7/032 , C08F2/48 , G03F7/0007 , G03F7/028 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: (A) 바인더 수지; (B) 착색제; (C) 반응성 불포화 화합물; (D) 개시제; (E) 용매; 및 (F) 첨가제를 포함하는 감광성 수지 조성물로서, 상기 첨가제는 에폭시 수지 및 경화촉진제를 포함하고, 상기 첨가제는 상기 감광성 수지 조성물 100 중량%에 대해 10 중량% 미만으로 포함되는 감광성 수지 조성물로서, 상기 첨가제는 에폭시 수지 및 양이온 개시제를 포함하고, 상기 첨가제는 상기 감광성 수지 조성물 100 중량%에 대해 10 중량% 미만으로 포함되는 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 차광층 및 컬러필터가 제공된다.
Abstract translation: 提供一种感光性树脂组合物，使用其的遮光层和滤色器，其中感光性树脂组合物包含：（A）粘合剂树脂; （B）着色剂; （C）反应性不饱和化合物; （D）引发剂; （E）溶剂; 和（F）添加剂，其中所述添加剂包括环氧树脂和固化促进剂，并且相对于100重量％的感光性树脂组合物包含少于10重量％的添加剂。 添加剂包括环氧树脂和阳离子引发剂，相对于感光性树脂组合物的100重量％，添加量小于10重量％。
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公开(公告)号：KR101362878B1
公开(公告)日：2014-02-14
申请号：KR1020100139682
申请日：2010-12-30
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J133/14 , C09J133/04 , C09J7/02 , H01L21/58
Abstract: 본 발명은 포스페이트기를 갖는 아크릴계 공중합체를 포함시켜, 링프레임에 대한 점착력을 높이고 우수한 픽업 성공율을 갖는 다이싱 다이 본딩 필름용 점착제 조성물을 제공하는 것이다.
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公开(公告)号：KR101362870B1
公开(公告)日：2014-02-14
申请号：KR1020100138351
申请日：2010-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J9/00 , C09J163/00 , C09J11/00 , C09J7/02
Abstract: 본 발명은 반도체용 접착 조성물은 65~350 ℃에서 2개의 발열피크를 나타내고, 제1 발열피크는 65~185 ℃에서, 제2 발열피크는 155~350 ℃에서 나타나며, 150℃에서 10분, 150℃에서 30분 경화후 및 175 ℃에서 60초간 몰드후 보이드가 10 % 미만인 것을 특징으로 한다. 상기 반도체용 접착 조성물은 동종 칩 접착 후 반드시 거쳐야 하는 경화(semi-cure)공정을 단축 및 생략할 수 있는 특성을 지닌다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101019754B1
公开(公告)日：2011-03-08
申请号：KR1020080135834
申请日：2008-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J163/00 , C09J11/00
Abstract: 본 발명에 따른 반도체용 접착 조성물은 반응온도영역이 낮은 촉매를 사용하여 다이 접착시 최소한의 모듈러스를 확보함으로써 다이 접착시 공정성 및 초기 신뢰성을 확보하고, 반응온도영역이 높은 촉매를 사용하여 다이 접착 후 실시하는 경화공정 후에도 잔존 경화율을 부여하여 EMC 몰딩시 원활한 보이드 제거를 달성하고자 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 일 실시예로 열가소성 고분자 수지, 에폭시계 수지, 페놀형 에폭시 수지 경화제, 무기필러를 포함하는 접착 조성물에 있어서, 반응 온도 범위가 80℃ ~ 170℃인 제1경화촉진제, 반응 온도 범위가 170℃ ~ 300℃인 제2경화촉진제를 포함하는 페놀 경화형 반도체용 접착 조성물을 제공한다.
DAF, 반도체용 접착 조성물, 경화촉진제-
公开(公告)号：KR1020100077792A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080135834
申请日：2008-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J163/00 , C09J11/00
CPC classification number: C09J11/06 , C08K5/3445 , C08K5/49 , C09J7/00 , C09J201/00 , C09J2467/005
Abstract: PURPOSE: An adhesive composition for a semiconductor is provided to secure initial reliability and workability when a die is attached using catalysts having different reaction temperature ranges and to smoothly eliminate void when an epoxy molding compound is molded by giving a residual curing rate. CONSTITUTION: An adhesive composition for a semiconductor includes a thermoplastic polymer resin, an epoxy resin, a phenol-based epoxy hardener, and inorganic filler. The adhesive composition includes a first curing accelerator having a reaction temperature range of 80-170 °C and a second curing accelerator having a reaction temperature range of 170-300 °C with an amount of 1.0-10 weight% of total solid portion. The weight ratio of the first curing accelerator and the second curing accelerator is 1:0.3~1:0.99, respectively.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体的粘合剂组合物，以在使用具有不同反应温度范围的催化剂附着模具时确保初始可靠性和可加工性，并且当通过产生残留固化速率成型环氧模塑料时，平滑地消除空隙。 构成：用于半导体的粘合剂组合物包括热塑性聚合物树脂，环氧树脂，酚基环氧固化剂和无机填料。 粘合剂组合物包括反应温度范围为80-170℃的第一固化促进剂和反应温度范围为170-300℃，总固体部分的1.0-10重量％的第二固化促进剂。 第一固化促进剂和第二固化促进剂的重量比分别为1:0.3〜1:0.99。
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公开(公告)号：KR1020130075189A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020110143455
申请日：2011-12-27
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: H01L23/544 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L21/70 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2224/83191 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2205/10
Abstract: PURPOSE: A dicing die bonding film is provided to prevent the degradation of adhesion and separation between a film and a ring frame by removing water and/or air being put in during a semiconductor-manufacturing process through a groove formed on the adhesive part between the film and the ring frame. CONSTITUTION: A dicing die bonding film includes a substrate film; an adhesive film laminated on the substrate film; a viscous layer (110,120); an adhesive layer (130) laminated on the viscous layer; and a release film laminated on the adhesive film. A groove (300) is formed on the adhesive part between the viscous layer and a ring frame. A manufacturing method of the dicing die bonding film includes a step of forming the groove on the dicing die bonding film by inserting a blade, which penetrates through the substrate film and a part of the viscous layer, on which the adhesive layer is not laminated, up to a height not penetrating the release film.
Abstract translation: 目的：提供一种切割芯片接合薄膜，以通过除去在半导体制造过程中通过形成在粘合剂部分之间的凹槽中的水和/或空气而防止薄膜和环形框架之间的粘附和分离 电影和戒指框架。 构成：切割芯片接合膜包括基板膜; 层压在基材膜上的粘合膜; 粘性层（110,120）; 层压在粘性层上的粘合剂层（130）; 以及层压在粘合膜上的剥离膜。 在粘性层和环形框架之间的粘合部分上形成有凹槽（300）。 切割芯片接合薄膜的制造方法包括以下步骤：通过插入贯穿基片薄膜的粘合层和不粘合层的粘合层的一部分，形成切割晶片接合薄膜上的凹槽， 达到不渗透释放膜的高度。
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公开(公告)号：KR1020120076271A
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020100138351
申请日：2010-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J9/00 , C09J163/00 , C09J11/00 , C09J7/02
CPC classification number: C09J9/00 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/35 , C09J11/00 , C09J163/00 , C09J2201/61 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/6836
Abstract: PURPOSE: An adhesive composition for semiconductor is provided to reduce or omit semi-cure process, to remove or minimize foam voids, to impart residual curing rate after various curing processes conducted after die adhesion, and to easily remove voids at EMC molding. CONSTITUTION: An adhesive composition for semiconductor comprises two exothermic peaks at 65-350 °C. A first exothermic peak and a second exothermic peaks is respectively shown within 65-185 °C and 155-350 °C. The voids after mold for 10 minutes at 150°C, for 30 minutes at 150°C, and for 60 seconds at 175 °C are 10% or less. The adhesive composition comprises thermoplastic resin, epoxy resin, phenol curing agent, amine curing agent, curing catalyst, and filler, and has foam voids after curing for 10 minutes at 150°C, and 30 minutes at 150°C is 15% or less.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体的粘合剂组合物，以减少或省略半固化过程，以除去或最小化泡沫空隙，以在模具附着后进行各种固化过程之后赋予残余固化速率，并且在EMC成型时容易地去除空隙。 构成：用于半导体的粘合剂组合物包含65-350℃的两个放热峰。 第一个放热峰和第二个放热峰分别显示在65-185℃和155-350℃之间。 在150℃下，在150℃下成型10分钟，在150℃下进行30分钟，在175℃下进行60秒的空隙为10％以下。 粘合剂组合物包括热塑性树脂，环氧树脂，酚固化剂，胺固化剂，固化催化剂和填料，并且在150℃下固化10分钟后具有泡沫空隙，在150℃下30分钟为15％以下 。
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公开(公告)号：KR1020120074112A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020100136071
申请日：2010-12-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09J9/00 , C09J163/00 , C09J133/04 , C09J7/02
CPC classification number: H01L24/29 , C09J9/00 , C09J7/35 , C09J133/04 , C09J163/00 , C09J2201/61 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/6836 , H01L2221/68327
Abstract: PURPOSE: An adhesive composition for semiconductor and an adhesive film including the same are provided to smoothly remove void during EMC molding by giving residual cure index after various curing processes. CONSTITUTION: An adhesive composition for semiconductor has a compressive strength of 100-150 gf/mm^2 at 125 deg. Celsius after curing for 60 minutes. The adhesive compound comprises a binder resin, an epoxy resin, and an amine hardener. The binder resin is a (meth) acrylate copolymer. The amine hardener comprises a first amine hardener marked as chemical formula 1 and a secondary amine hardener marked as chemical formula 2. The adhesive composition has a foamable void of less than 15% at 150 deg. Celsius after curing for 10 minutes and 30 minutes.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体的粘合剂组合物和包含该粘合剂组合物的粘合剂膜，以在EMC成型期间通过在各种固化过程之后给出残余固化指数来平滑地去除空隙。 构成：半导体用粘合剂组合物在125度下的抗压强度为100-150gf / mm ^ 2。 摄氏60度后固化。 粘合剂包括粘合剂树脂，环氧树脂和胺硬化剂。 粘合剂树脂是（甲基）丙烯酸酯共聚物。 胺固化剂包括标记为化学式1的第一胺硬化剂和标记为化学式2的仲胺硬化剂。粘合剂组合物在150度下具有小于15％的可发泡空隙。 摄氏10分钟30分钟。
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