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1.发明授权감광성 노볼락 수지, 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 이를 포함하는 반도체 소자 有权光敏酚醛树脂，含有它们的正性感光树脂组合物，使用它们的感光树脂层和包含感光树脂层的半导体器件
公开(公告)号：KR101432603B1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：KR1020110146190
申请日：2011-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: G03F7/0233 , C08G8/28 , C08G73/22 , C08L61/14 , C08L79/04 , G03F7/023 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위 및 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함하는 감광성 노볼락 수지를 제공한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
(상기 화학식 1 및 2에서, R
11 , R
12 , R
13 및 R
14 는 명세서에서 정의한 바와 같다.)-
公开(公告)号：KR101400189B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020100136758
申请日：2010-12-28
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/039 , G03F7/016 , H01L21/027
Abstract: (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 랜덤공중합체 형태로 포함하는 폴리벤조옥사졸 전구체; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; 및 (E) 용매;를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물가 제공된다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X
1 및 X
2 는 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,
Y
1 은 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,
Y
2 는 하기 화학식 7로 표시되고,
m 및 n은 각각의 몰비율로서, m+n은 100몰%이고,
m은 0 내지 99몰%이고,
n은 1 내지 100몰%이고,
[화학식 7]
상기 화학식 7에서,
A
3 는 페닐렌, 나프틸렌 또는 안트라세닐렌이고,
양 끝의 결합 부위가 A
3 에서 인돌인 방향의 정방향으로 화학식 1 내에서 결합되거나, 또는 그 반대로 인돌린에서 A
3 의 역방향으로 결합된다.-
公开(公告)号：KR101400186B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020100140593
申请日：2010-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/039 , G03F7/016 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/0751 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: (A) 화학식 1로 표시되는 반복단위, 화학식 2로 표시되는 반복단위, 또는 이들의 조합을 포함하고, 적어도 한 쪽의 말단 부분에 열중합성 관능기를 갖는 제1 폴리벤조옥사졸 전구체(polybenzoxazole precursor), 화학식 4로 표시되는 반복단위, 화학식 5로 표시되는 반복단위, 또는 이들의 조합을 포함하는 제2 폴리벤조옥사졸 전구체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 폴리벤조옥사졸 전구체; (B) 노볼락(novolac) 수지; (C) 감광성 디아조퀴논 화합물; (D) 실란 화합물; 및 (E) 용매를 포함하고, 상기 노볼락 수지는 화학식 6으로 표시되는 반복단위를 포함하는 화합물을 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101333704B1
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020090133229
申请日：2009-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/039 , G03F7/0755
Abstract: 본 기재는 (A) 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리아믹산 또는 이들의 조합에서 선택되는 수지 전구체, (B) 비점이 210℃ 내지 400℃이고, 극성도가 1D 내지 4D인 용해 조절제, (C) 산 발생제, (D) 실란계 화합물 및 (E) 용매를 포함하고, 이때 상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하거나 또는 하기 화학식 1 및 화학식 2의 반복단위를 모두 포함하며, 적어도 한 쪽의 말단 부분에 열중합성 관능기를 갖는 것이고, 상기 폴리아믹산은 하기 화학식 50 및 화학식 51의 반복단위를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
[화학식 2]
(상기 화학식 1 및 화학식 2에서, 각 치환기의 정의는 명세서에 정의된 것과 동일하다.)
[화학식 50]
[화학식 51]
(상기 화학식 50 및 화학식 51에서, 각 치환기의 정의는 명세서에 정의된 것과 동일하다.)
포지티브, 폴리벤조옥사졸 전구체, 용해 조절제, 알칼리 수용액, 반도체 장치Abstract translation: 基材是（A）聚苯并恶唑前体，聚酰胺酸或树脂前体从它们的组合选择的，（B），其具有的沸点为210℃至400℃时，极性也是一维到四维的溶解控制剂，（C）酸 发生剂，（d）硅烷化合物和（E）包含溶剂，其中，所述聚苯并恶唑前体具有以包含由式表示的重复单元（1）或以包含所有式（1）和式的重复单元（2）的 和将具有至少在一侧的末端部分失去了一个合成的官能团，所述聚酰胺酸是在大约正型感光性树脂组合物包括重复式50和式51的单元。
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公开(公告)号：KR101333693B1
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020090122574
申请日：2009-12-10
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 기재는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 이 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 폴리아마이드 고분자; (B) 에스테르화된 퀴논디아지드 화합물; (C) 크라운 에테르 화합물; 및 (D) 용매를 포함한다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서 각 치환기의 정의는 명세서에 정의된 것과 동일하다.)
또한 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 수지막 및 반도체 소자를 제공한다.
포지티브, 감광성 수지 조성물, 폴리아마이드, 반도체 소자 보호막, 크라운 에테르 화합물, 알칼리 수용액Abstract translation: 本发明涉及一种正型感光性树脂组合物，其包含（A）由下式（1）表示的聚酰胺聚合物; （B）酯化醌二叠氮化合物; （C）冠醚化合物; 和（D）溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101257696B1
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020080111329
申请日：2008-11-10
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/039
Abstract: 본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 이 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 폴리벤조옥사졸 전구체(poly benzoxazole precursor); (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; 및 (E) 용매를 포함한다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서, 각 치환기의 정의는 명세서에 기재된 바와 동일하다.)
포지티브형, 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물, 저온 경화, 알칼리 수용액, 페놀 화합물, 반도체 장치-
7.发明公开포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 포함하는 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 有权阳离子型感光性树脂组合物，使用阳离子型感光树脂组合物的感光树脂层，以及包含感光树脂层的半导体器件
公开(公告)号：KR1020120075949A
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020100137875
申请日：2010-12-29
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/039 , G03F7/016 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0163 , G03F7/0166 , G03F7/0397 , H01L21/0273 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A positive type photo-sensitive resin composition, a photo-sensitive resin film including the same, and a semiconductor device including the photo-sensitive resin film are provided to overcome film thickness related problems. CONSTITUTION: A positive type photo-sensitive resin composition includes a polybenzoxazole precursor with a repeating unit in the form of random copolymer, a photo-sensitive diazoquinone compound, a silane compound, a phenol compound, and a solvent. The repeating unit is represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, X1 is derived from a diamine compound represented by chemical formula 30; X2 is an aromatic organic group or a tetravalent to hexavalent organic group; Y1 and Y2 are respectively aromatic organic groups or divalent to hexavalent aliphatic organic groups; m and n are molar ratio, and the sum of m and n is 100 mol%; and m is 1 to 99 mol%, and n is 1 to 99 mol%.
Abstract translation: 目的：提供正型感光性树脂组合物，含有该感光性树脂膜的感光性树脂膜和包含感光性树脂膜的半导体装置，以克服膜厚相关的问题。 构成：正型感光树脂组合物包括具有无规共聚物形式的重复单元的聚苯并恶唑前体，光敏重氮醌化合物，硅烷化合物，酚化合物和溶剂。 重复单元由化学式1表示。在化学式1中，X1衍生自化学式30表示的二胺化合物; X2是芳族有机基团或四价至六价有机基团; Y1和Y2分别是芳族有机基团或二价至六价脂族有机基团; m和n是摩尔比，m和n的总和是100摩尔％; m为1〜99摩尔％，n为1〜99摩尔％。
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公开(公告)号：KR101015857B1
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：KR1020080108990
申请日：2008-11-04
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/039
Abstract: 본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 폴리아마이드 고분자, (B) 에스테르화된 퀴논디아지드 화합물, (C) 페놀기 함유 화합물, 및 (D) 용매를 포함한다.
[화학식 1]
(상기 식에서, 각 치환기의 정의는 명세서에 정의된 것과 동일하다.)
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 내열성이 우수하며, 고감도 및 고해상도의 미세한 패턴을 형성할 수 있다.
포지티브 감광성 조성물, 폴리아마이드, 반도체소자 보호막, 페놀성 수산기, 알칼리 수용액, 말단제-
公开(公告)号：KR1020100111969A
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020090030472
申请日：2009-04-08
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/039 , C08L79/08 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/0757 , G03F7/105
Abstract: PURPOSE: A positive photosensitive resin composition, a photosensitive resin film using thereof, and a semiconductor device are provided to secure the excellent residue elimination property, sensitivity, and resolution. CONSTITUTION: A positive photosensitive resin composition contains a recurring unit marked with chemical formula 1 and a recurring unit marked as with chemical formula 2. The positive photosensitive resin composition additionally contains a photosensitive diazoquinone compound, a polybenzoxazole precursor with a functional group induced from a substituted or non-substituted monoamine compound, a silane compound, a phenolic compound, and a solvent.
Abstract translation: 目的：提供正性感光性树脂组合物，使用其的感光性树脂膜和半导体装置，以确保优异的残留物消除性，灵敏度和分辨率。 构成：正型感光性树脂组合物含有标记有化学式1的重复单元和标有化学式2的重复单元。正型感光性树脂组合物另外含有光敏性重氮醌化合物，具有由取代基诱发的官能团的聚苯并恶唑前体 或未取代的单胺化合物，硅烷化合物，酚类化合物和溶剂。
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公开(公告)号：KR1020100080144A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080138784
申请日：2008-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: G03F7/039 , C08L79/08 , G03C1/61 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/105
Abstract: PURPOSE: A positive photosensitive resin composition, a photosensitive resin film formed using the same, and a semiconductor device containing the photosensitive resin film are provided to maximize an effect of suppressing a non-exposure portion and to minimize film thickness reduction. CONSTITUTION: A positive photosensitive resin composition comprises a repeat unit of chemical formula 1 or a repeat unit of chemical formulas 1 and 2. The composition contains a polyvenzoxazole precursor having a thermal polymerization functional group in at least one end; a dissolution adjuster in which phenolic hydroxyl group of polyvalent phenolic compound is partially or entirely substituted with a degradable functional group; an acid generator; silane compounds; and a solvent.
Abstract translation: 目的：提供正型感光性树脂组合物，使用该感光性树脂组合物形成的感光性树脂膜和含有感光性树脂膜的半导体装置，以最大限度地发挥抑制非曝光部的效果，并使膜厚减少最小化。 构成：正型感光性树脂组合物包含化学式1的重复单元或化学式1和2的重复单元。该组合物含有至少一端具有热聚合官能团的聚恶唑前体; 溶解调节剂，其中多价酚类化合物的酚羟基部分或全部被可降解官能团取代; 酸发生器; 硅烷化合物; 和溶剂。
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