수평 배열 ITO 나노와이어의 제조방법
    6.
    发明授权
    수평 배열 ITO 나노와이어의 제조방법 有权
    水平排列的ITO纳米线的制造方法

    公开(公告)号:KR101760604B1

    公开(公告)日:2017-07-31

    申请号:KR1020160017513

    申请日:2016-02-16

    Inventor: 강현철 서창수

    Abstract: 본발명은수평으로성장한 Indium-Tin-Oxide (ITO) 나노와이어의제조방법에관한것으로, 본발명에따른수평배열 ITO 나노와이어의제조방법은 1) 금속촉매를사용하지않으므로비용이절감되고, 또한금속촉매불순물이남지않아 ITO 나노와이어의물성이우수하고, 2) 종래의금속촉매를사용하는방법에비해낮은공정온도에서제조가능하므로비용이절감되고, 3) hydrogen reduction 환경을사용하므로, 종래 carbothermal reduction 환경을사용하는제조방법으로제조된 ITO 나노와이어에탄소가유입되는문제를원천적으로차단하는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于铟锡氧化物(ITO),在水平生长的纳米线的制备中,制备根据本发明的纳米线的水平布置ITO方法,降低成本。1)不使用金属催化剂,和 金属催化剂杂质做仍然昂贵,较低,因此ITO纳米线的yiwoosu物理性质,2)可制造在与使用常规金属催化剂的方法中,使用还原3)氢的环境,因为比较低的处理温度,在以往的碳热还原 可以防止碳被引入通过使用环境的制造方法制造的ITO纳米线中。

    방사선을 이용한 금 나노입자가 접합된 나노와이어 이종구조의 제조방법
    7.
    发明公开
    방사선을 이용한 금 나노입자가 접합된 나노와이어 이종구조의 제조방법 有权
    纳米线异质结构与金纳米粒子辐射键合的制备

    公开(公告)号:KR1020170055159A

    公开(公告)日:2017-05-19

    申请号:KR1020150157988

    申请日:2015-11-11

    Abstract: 본발명은방사선을이용한금 나노입자가접합된나노와이어이종구조의제조방법에관한것으로, 본발명에따른방사선을이용한금 나노입자가접합된나노와이어이종구조의제조방법에따르면, 금전구체수용액에 NaHCO시약분말을혼합하여사용함에따라서 10-25 nm의작은크기분포를갖는금 나노입자를합성할수 있고, 또한금 전구체수용액에나노와이어기판을담그고고정한다음방사선에주사노출(scanning)하는방법을사용함에따라서나노와이어표면상에금 나노입자가더욱균일하게분포될수 있는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用辐射制造与金纳米颗粒结合的纳米线单层的方法。根据本发明的用于制造用金纳米颗粒使用辐射键合的纳米线单层的方法,将NaHCO 3试剂 通过混合粉末,可以合成尺寸分布为10-25nm的金纳米颗粒,并且通过将纳米线基底浸入金前体的水溶液中并固定纳米线基底, 有一种效果是金纳米颗粒可以更均匀地分布在纳米线表面上。

    스퍼터링 방법을 이용한 산화갈륨 나노와이어의 제조 방법
    8.
    发明授权
    스퍼터링 방법을 이용한 산화갈륨 나노와이어의 제조 방법 有权
    使用溅射技术合成β-Ga2O3纳米管的方法

    公开(公告)号:KR101467118B1

    公开(公告)日:2014-12-01

    申请号:KR1020130123566

    申请日:2013-10-16

    Abstract: 본 발명은 산화갈륨(β-Ga
    2 O
    3 ) 나노와이어의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스퍼터링 방법을 이용하여 자가-촉매 성장에 따른 산화갈륨 나노와이어의 대량 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스퍼터링 방법을 이용한 산화갈륨 나노와이어의 제조방법은 소결 처리하는 않은 산화갈륨 분말 자체를 스퍼터링 타겟으로 사용함으로써 고가의 비용이 드는 소결 처리 비용을 절감시킬 수 있고, 금속 씨드를 사용하지 않고, 종래 기술에 비하여 상대적으로 낮은 온도에서 산화갈륨 나노와이어를 제조할 수 있으므로 제조비용을 줄일 수 있으며, 분말로 인해 나노와이어의 성장 속도가 증가함으로써 생산효율을 증진시킬 수 있는 효과가 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种氧化镓(β-Ga_2O_3)纳米线制造方法,更具体地说,涉及通过溅射法大量生产氧化镓纳米线的氧化镓纳米线制造方法。 使用根据本发明的溅射方法的氧化镓纳米线制造方法能够通过使用不作为溅射靶烧结的氧化镓粉末而不使用金属种子来降低烧结工艺成本,因为能够降低制造成本,因为氧化镓 与常规方法相比能够在相对低的温度下制造,并且通过增加粉末的纳米线的生长速度能够提高生产效率。

    상용차용 냉동밴 바닥재의 가공장치
    10.
    发明公开
    상용차용 냉동밴 바닥재의 가공장치 有权
    商用车冷冻货车的加工设备

    公开(公告)号:KR1020170011524A

    公开(公告)日:2017-02-02

    申请号:KR1020150104277

    申请日:2015-07-23

    Abstract: 상용차용냉동밴바닥재의가공장치에관한발명이개시된다. 본발명에따른상용차용냉동밴바닥재의가공장치는: 다수개의지지체의조합으로이루어지는하부프레임; 하부프레임의상부에설치되고, 바닥재를내부에수용하고바닥재를가공할수 있는틀을제공하는가공프레임; 및가공프레임에거치되어바닥재에홈을형성하는공구부를포함하는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 公开了涉及用于商用车辆的冷冻货车地板材料的处理设备的发明。 根据本发明的用于商用车辆的制冷货车的地板的处理设备包括:包括多个支撑件的组合的下框架; 处理框架,其安装在下部框架的上部,处理框架在其中接收底部材料并且提供用于处理底部材料的框架; 以及安装在加工框架上并在底部材料中形成凹槽的工具部分。

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