비침습형 플라즈마 공정 진단 방법 및 장치

    公开(公告)号:WO2021080089A1

    公开(公告)日:2021-04-29

    申请号:PCT/KR2020/000321

    申请日:2020-01-08

    Abstract: 본 발명은 표면파 공진 원리를 기반으로 플라즈마-쉬스(Plasma-sheath)에서 발생되는 표면파 공진 주파수를 측정하여 플라즈마 공정을 실시간으로 모니터링할 수 있는 비침습형 플라즈마 공정 진단 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비침습형 플라즈마 공정 진단 방법은 정전척(ESC, Electrostatic Chuck)의 일측 또는 챔버의 내벽에 적어도 하나의 프로브를 설치하는 단계(S10), 상기 프로브를 이용하여 플라즈마 또는 쉬스에 고주파를 투사하는 단계(S20) 및 상기 프로브가 플라즈마 또는 쉬스로부터 반사되는 주파수를 검출하는 단계(S30)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 프로브에서 검출된 주파수를 이용하여 주파수에 따른 반사 스펙트럼을 추출하는 단계(S40), 상기 프로브에서 검출된 주파수 또는 반사 스펙트럼을 이용하여 플라즈마-쉬스의 표면파 공진 주파수를 추출하는 단계(S50) 및 상기 표면파 공진 주파수를 토대로 플라즈마의 전자밀도 또는 균일도(uniformity)를 추출하는 단계(S60)를 포함할 수 있다.

    비침습형 플라즈마 공정 진단 방법 및 장치

    公开(公告)号:KR102200662B1

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:KR1020190132290

    申请日:2019-10-23

    Abstract: 본발명은표면파공진원리를기반으로플라즈마-쉬스(Plasma-sheath)에서발생되는표면파공진주파수를측정하여플라즈마공정을실시간으로모니터링할수 있는비침습형플라즈마공정진단방법및 장치에관한것이다. 본발명에따른비침습형플라즈마공정진단방법은정전척(ESC, Electrostatic Chuck)의일측또는챔버의내벽에적어도하나의프로브를설치하는단계(S10), 상기프로브를이용하여플라즈마또는쉬스에고주파를투사하는단계(S20) 및상기프로브가플라즈마또는쉬스로부터반사되는주파수를검출하는단계(S30)를포함할수 있다. 또한, 상기프로브에서검출된주파수를이용하여주파수에따른반사스펙트럼을추출하는단계(S40), 상기프로브에서검출된주파수또는반사스펙트럼을이용하여플라즈마-쉬스의표면파공진주파수를추출하는단계(S50) 및상기표면파공진주파수를토대로플라즈마의전자밀도또는균일도(uniformity)를추출하는단계(S60)를포함할수 있다.

    초고주파 플라즈마 진단 장치
    3.
    发明公开
    초고주파 플라즈마 진단 장치 审中-实审
    超高频等离子体诊断

    公开(公告)号:KR1020170069652A

    公开(公告)日:2017-06-21

    申请号:KR1020150177126

    申请日:2015-12-11

    Abstract: 본발명은초고주파플라즈마진단장치를제공한다. 이초고주파플라즈마진단장치는전기적으로접지되고도전체로형성된안테나몸체부; 도전체로형성되고외부로부터가변초고주파를제공받아상기가변초고주파를플라즈마에방사하고상기안테나몸체부를관통하여배치되는송신안테나코어; 절연체로형성되고상기안테나몸체부에매설되고상기송신안테나코어를감싸도록배치되는송신안테나절연튜브; 절연체로형성되고상기송신안테나코어와동축상에서상기안테나몸체부의일면에링 형상으로매설된수신안테나절연링; 도전체로형성되고상기플라즈마를통과하여수신된가변초고주파신호를수신하고상기수신안테나절연링에매설된수신안테나도전링;을포함한다. 상기송신안테나코어의일단및 상기수신안테나도전링의일면은외부로노출된다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种微波等离子体诊断设备。 第二高频等离子体诊断设备包括:整体电接地形成的天线主体部分; 发射天线芯,其形成为导体并且设置有从外部辐射的可变高频波,以将可变高频波辐射到等离子体中并穿过天线主体部分; 发射天线隔离管,其由绝缘体形成并嵌入天线主体部分中并被布置成围绕发射天线核心; 一种接收天线隔离环,其由绝缘体形成并且在天线体的与发射天线核心同轴的一个表面上埋入环形中; 接收天线导电环形成为导体并接收通过等离子体接收的可变高频信号并嵌入接收天线隔离环中。 发射天线核心的一端和接收天线导电环的一侧暴露于外部。

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