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公开(公告)号：WO2021080089A1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：PCT/KR2020/000321
申请日：2020-01-08
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 표면파 공진 원리를 기반으로 플라즈마-쉬스(Plasma-sheath)에서 발생되는 표면파 공진 주파수를 측정하여 플라즈마 공정을 실시간으로 모니터링할 수 있는 비침습형 플라즈마 공정 진단 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비침습형 플라즈마 공정 진단 방법은 정전척(ESC, Electrostatic Chuck)의 일측 또는 챔버의 내벽에 적어도 하나의 프로브를 설치하는 단계(S10), 상기 프로브를 이용하여 플라즈마 또는 쉬스에 고주파를 투사하는 단계(S20) 및 상기 프로브가 플라즈마 또는 쉬스로부터 반사되는 주파수를 검출하는 단계(S30)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 프로브에서 검출된 주파수를 이용하여 주파수에 따른 반사 스펙트럼을 추출하는 단계(S40), 상기 프로브에서 검출된 주파수 또는 반사 스펙트럼을 이용하여 플라즈마-쉬스의 표면파 공진 주파수를 추출하는 단계(S50) 및 상기 표면파 공진 주파수를 토대로 플라즈마의 전자밀도 또는 균일도(uniformity)를 추출하는 단계(S60)를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101777047B1
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：KR1020160047141
申请日：2016-04-18
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32155 , H01J37/32541 , H05H2001/466
Abstract: 본발명의축전결합플라즈마용전극을제공한다. 이축전결합플라즈마용전극은 RF 전력을공급받은디스크형상의중심전극; 상기중심전극과이격되고상기중심전극의배치평면에서상기중심전극과동일한중심축을가지는링 형상을가지는적어도하나의보조전극; 및상기중심전극의배치평면에서상기중심전극과상기보조전극을연결하는중심전극연결부; 를포함한다.
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公开(公告)号：KR102200662B1
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：KR1020190132290
申请日：2019-10-23
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은표면파공진원리를기반으로플라즈마-쉬스(Plasma-sheath)에서발생되는표면파공진주파수를측정하여플라즈마공정을실시간으로모니터링할수 있는비침습형플라즈마공정진단방법및 장치에관한것이다. 본발명에따른비침습형플라즈마공정진단방법은정전척(ESC, Electrostatic Chuck)의일측또는챔버의내벽에적어도하나의프로브를설치하는단계(S10), 상기프로브를이용하여플라즈마또는쉬스에고주파를투사하는단계(S20) 및상기프로브가플라즈마또는쉬스로부터반사되는주파수를검출하는단계(S30)를포함할수 있다. 또한, 상기프로브에서검출된주파수를이용하여주파수에따른반사스펙트럼을추출하는단계(S40), 상기프로브에서검출된주파수또는반사스펙트럼을이용하여플라즈마-쉬스의표면파공진주파수를추출하는단계(S50) 및상기표면파공진주파수를토대로플라즈마의전자밀도또는균일도(uniformity)를추출하는단계(S60)를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101659687B1
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：KR1020150058230
申请日：2015-04-24
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본발명은저압플라즈마발생장치를제공한다. 본발명의일 실시예에따른저압플라즈마발생장치는내부에방전공간을구비하고내부표면이절연체로코팅되고내측면에서방위각방향을따라구불구불한곡면을가지고도전체로형성되고전극챔버; 상기전극챔버보다높은전위를가지고상기전극챔버의중심부에배치된원기둥형상의중심전극; 상기전극챔버와정렬되어배치되는상부절연챔버; 상기전극챔버와정렬되어배치되는하부절연챔버; 및상기전극챔버에 RF 전력을공급하는 RF 전원을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种低压等离子体生成装置。 根据本发明的一个实施例，低压等离子体发生装置包括：电极室，包括具有绝缘体的内表面的放电空间和沿着内表面的方位角的波形表面; 与电极室相比具有较高电位并且布置在电极室的中心部分的圆柱形状的中心电极; 与电极室配置的上绝缘室; 布置有电极室的下绝缘室; 以及向电极室供给RF功率的RF电源。 因此，即使使用诸如氟的处理气体，低压等离子体产生装置也能够稳定地操作。
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