公开(公告)号：KR101525419B1

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：KR1020140023252

申请日：2014-02-27

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 이희덕 ,  이호령 ,  정광석 ,  오성근 ,  이맹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02145 ,  H01L21/28158 ,  H01L29/517

Abstract: 음의고정산화막전하밀도제어를위한다층산화막이제공된다. 다층산화막은제1 알루미늄산화막및 제2 알루미늄산화막그리고이들사이에삽입된실리콘산화막을포함한다.

Abstract translation: 提供了用于控制负固定氧化物电荷密度的多氧化物层。 多氧化物层包括：第一氧化铝膜，第二氧化铝膜和插入其间的氧化硅膜。 本发明在半导体基板上形成第一氧化铝膜的特征，在第一氧化铝膜上形成氧化硅膜，形成在氧化硅膜上的第二氧化铝膜。