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公开(公告)号：KR101771173B1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020150056635
申请日：2015-04-22
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/324
Abstract: 본발명은접촉저항을낮출수 있는저마나이드형성방법및 저마나이드를포함하는반도체소자에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른저마나이드형성방법은게르마늄(Ge) 기판상에안티모니층을증착하는단계; 상기안티모니층 상에금속층을증착하는단계; 및상기금속층이증착된기판을열처리하는단계;를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的形成锗化物的方法包括在锗（Ge）衬底上沉积锑层， 该方法包括： 在锑层上沉积金属层; 并对其上沉积有金属层的衬底进行热处理。
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公开(公告)号：KR101749599B1
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020150110063
申请日：2015-08-04
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L29/43 , H01L29/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: 본발명은모스펫의콘택이텔루륨-니켈-인듀인듐갈륨아세나이드로형성되어접촉저항을감소시키는기술에관한것이다. 보다구체적으로, 본발명의콘택은인듐갈륨아세아니드가적층된기판의소오스및 드레인영역에텔루륨층과니켈층을적층하고열처리하여얻어진다. 본발명의실시예에따른콘택의접촉저항은니켈-인듀인듐갈륨아세나이드로형성된콘택에비해현저하게낮다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于降低形成碲化镍铟镓铟中MOSFET的接触的接触电阻的技术。 更具体地说，本发明的触点是通过层叠其上沉积有砷化铟镓的衬底的源电极和漏电极的层以及镍层，然后进行热处理而获得的。 根据本发明实施例的触点的接触电阻显着低于与镍铟铟镓砷形成的触点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101726995B1
公开(公告)日：2017-04-14
申请号：KR1020160044787
申请日：2016-04-12
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/417 , H01L21/324
Abstract: 본발명은반도체소자콘택형성방법에관한것이다. 그방법은인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판에소오스전극, 드레인전극및 게이트전극을형성하는단계; 상기소오스전극및 드레인전극상에팔라듐층을적층시키는단계; 상기팔라듐층상에니켈층을적층시키는단계; 상기팔라듐층및 니켈층이적층된인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판을열처리하는단계, 및상기열처리를통해상기소오스전극및 상기드레인전극상에각각니켈-팔라듐-인듐갈륨아세나이드합금콘택을형성하는단계를포함한다. 본발명은콘택을니켈-팔라듐-인듐갈륨아세나이드합금으로하는것에의해콘택의열한정성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成半导体器件触点的方法。 该方法包括在砷化铟镓（InGaAs）衬底上形成源电极，漏电极和栅电极; 在源电极和漏电极上沉积钯层; 在钯层上沉积镍层; 形成砷化铟镓合金接触，所说的钯层和镍层是热处理铟镓砷（InGaAs）基板的层叠体的步骤;和各源极电极上的镍，并通过热处理钯的漏电极的 等等。 本发明通过使触点为镍 - 钯 - 铟镓砷合金来提高触点的热稳定性。
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公开(公告)号：KR1020170016673A
公开(公告)日：2017-02-14
申请号：KR1020150110063
申请日：2015-08-04
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L29/43 , H01L29/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: 본발명은모스펫의콘택이텔루륨-니켈-인듀인듐갈륨아세나이드로형성되어접촉저항을감소시키는기술에관한것이다. 보다구체적으로, 본발명의콘택은인듐갈륨아세아니드가적층된기판의소오스및 드레인영역에텔루륨층과니켈층을적층하고열처리하여얻어진다. 본발명의실시예에따른콘택의접촉저항은니켈-인듀인듐갈륨아세나이드로형성된콘택에비해현저하게낮다.
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公开(公告)号：KR101967064B1
公开(公告)日：2019-04-08
申请号：KR1020170126080
申请日：2017-09-28
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L29/49 , H01L21/324 , H01L29/66
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公开(公告)号：KR1020160125761A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020150056635
申请日：2015-04-22
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/324
Abstract: 본발명은접촉저항을낮출수 있는저마나이드형성방법및 저마나이드를포함하는반도체소자에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른저마나이드형성방법은게르마늄(Ge) 기판상에안티모니층을증착하는단계; 상기안티모니층 상에금속층을증착하는단계; 및상기금속층이증착된기판을열처리하는단계;를포함할수 있다.
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7.发明授权음의 고정 산화막 전하 밀도 제어를 위한 다층 산화막 및 그 제조 방법 그리고 이를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权用于控制负极氧化物充电密度的多氧化物层，用于形成多氧化物层的方法和使用多氧化物层的半导体器件及其形成方法
公开(公告)号：KR101525419B1
公开(公告)日：2015-06-09
申请号：KR1020140023252
申请日：2014-02-27
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02145 , H01L21/28158 , H01L29/517
Abstract: 음의고정산화막전하밀도제어를위한다층산화막이제공된다. 다층산화막은제1 알루미늄산화막및 제2 알루미늄산화막그리고이들사이에삽입된실리콘산화막을포함한다.
Abstract translation: 提供了用于控制负固定氧化物电荷密度的多氧化物层。 多氧化物层包括：第一氧化铝膜，第二氧化铝膜和插入其间的氧化硅膜。 本发明在半导体基板上形成第一氧化铝膜的特征，在第一氧化铝膜上形成氧化硅膜，形成在氧化硅膜上的第二氧化铝膜。
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