公开(公告)号：KR101816877B1

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：KR1020160060942

申请日：2016-05-18

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 이가원 ,  윤호진

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66

Abstract: 본발명은박막트랜지스터및 이의제조방법에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터는채널층, 채널층 상의소스전극및 드레인전극및 채널층과절연된게이트전극을포함하고, 채널층은두께에따라상이한결정특성을가지며, 상기소스전극및 상기드레인전극의아래부분이나머지부분보다더 두껍게형성될수 있다.

公开(公告)号：KR1020170130670A

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：KR1020160060942

申请日：2016-05-18

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 이가원 ,  윤호진

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/13069

Abstract: 본발명은박막트랜지스터및 이의제조방법에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터는채널층, 채널층 상의소스전극및 드레인전극및 채널층과절연된게이트전극을포함하고, 채널층은두께에따라상이한결정특성을가지며, 상기소스전극및 상기드레인전극의아래부분이나머지부분보다더 두껍게형성될수 있다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的薄膜晶体管包括沟道层，在沟道层上的源电极和漏电极以及与沟道层绝缘的栅电极， 并且源电极和漏电极的下部可以形成为比其余部分更厚。

公开(公告)号：KR101537365B1

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：KR1020140118752

申请日：2014-09-05

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 이가원 ,  고영욱 ,  윤호진 ,  안진운 ,  김진섭

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은적어도한 면에복수개의함몰부가형성된돌출부를적어도하나이상포함하는반도체층; 및상기함몰부에형성된금속나노파티클;을포함하는태양전지및 이의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 太阳能电池及其制造方法技术领域本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括：半导体层，包括在其至少一个表面上具有多个凹陷部分的至少一个突出部分; 和形成在凹陷部分上的金属纳米颗粒。 根据本发明的实施例，可以制造高效率的太阳能电池。

公开(公告)号：KR101344230B1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020130044458

申请日：2013-04-22

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 이가원 ,  이상율 ,  윤호진 ,  양승동 ,  이희덕

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/072 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a heterojunction solar cell, which includes the steps of: providing an N-type silicon substrate; manufacturing a P-type zinc oxide layer on the upper side of the N-type silicon substrate with an in-situ P-type doping method to inject a V group dopant to the zinc oxide layer formed on the N-type silicon substrate while performing a thermal process after the zinc oxide layer is deposited on the upper side of the N-type silicon substrate; and forming a PN junction between the N-type silicon substrate and the P-type zinc oxide layer. [Reference numerals] (1) N-type silicon substrate;(2) P-type zinc oxide layer;(3) Insulator film

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造异质结太阳能电池的方法，其包括以下步骤：提供N型硅衬底; 通过原位P型掺杂法在N型硅衬底的上侧制造P型氧化锌层，以将V族掺杂剂注入到形成在N型硅衬底上的氧化锌层上，同时执行 在氧化锌层沉积在N型硅衬底的上侧之后的热处理; 并在N型硅衬底和P型氧化锌层之间形成PN结。 [附图标记]（1）N型硅衬底;（2）P型氧化锌层;（3）绝缘膜