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公开(公告)号：KR100903857B1
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：KR1020070122007
申请日：2007-11-28
Applicant: 충남대학교산학협력단
CPC classification number: H01J1/304 , B82B3/0066 , B82Y40/00 , C01B32/158 , C01B2202/08 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: A method for manufacturing carbon nanotubes for field emission devices and carbon nanotubes for field emission device obtained from this method are provided to simplify the manufacturing process by adhering the carbon nanotube on the substrate by using an arc discharging. The arc discharging is performed on a substrate in an arc discharge chamber. The carbon nanotube is arranged on the substrate by the arc discharging. Here, impurities of the carbon nanotube are strongly combined to the wall and end part. The substrate is processed in an organic solvent and the carbon nanotube is horizontally arranged. The substrate is heat-treated, the organic solvent is removed and the impurity is exposed. The carbon nanotube is perpendicularly arranged on the substrate.
Abstract translation: 提供了一种用于场致发射器件的碳纳米管的制造方法和从该方法获得的用于场发射器件的碳纳米管，以通过使用电弧放电将碳纳米管粘附在衬底上来简化制造过程。 在电弧放电室中的基板上进行电弧放电。 碳纳米管通过电弧放电配置在基板上。 这里，碳纳米管的杂质与壁和端部牢固结合。 将基板在有机溶剂中进行处理，并且水平布置碳纳米管。 将基底进行热处理，除去有机溶剂并使杂质暴露。 碳纳米管垂直布置在基板上。
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公开(公告)号：KR1020030093666A
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：KR1020020031444
申请日：2002-06-04
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for synthesizing a carbon nano-tube using ferrofluid is provided to reduce the manufacturing cost, to obtain the uniform carbon nano-tubes having the same quality, and to improve the product quality and productivity. CONSTITUTION: The method for synthesizing a carbon nano-tube by thermo-chemical vapor deposition using a ferrofluid is characterized by comprising the steps of: forming a metal catalyst using a ferrofluid; coating the metal catalyst on a substrate; and synthesizing the carbon nano-tube. The method has no need of a heat treatment step as a pre-treatment. More particularly, the step of forming a metal catalyst optionally further comprises the step of introducing a binder into the metal catalyst. Further, the ferrofluid is made from iron chlorides.
Abstract translation: 目的：提供使用铁磁流体合成碳纳米管的方法，以降低制造成本，获得具有相同质量的均匀碳纳米管，并提高产品质量和生产率。 构成：使用铁磁流体通过热化学气相沉积合成碳纳米管的方法的特征在于包括以下步骤：使用铁磁流体形成金属催化剂; 将金属催化剂涂覆在基材上; 并合成碳纳米管。 该方法不需要作为预处理的热处理步骤。 更具体地，形成金属催化剂的步骤可选地进一步包括将粘合剂引入金属催化剂的步骤。 此外，铁磁流体由氯化铁制成。
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Patent Agency Ranking3.发明公开
公开(公告)号：KR1020090055191A
公开(公告)日：2009-06-02
申请号：KR1020070121984
申请日：2007-11-28
Applicant: 충남대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/168 , B82B3/0009 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/08 , C01B2202/22
Abstract: Provided are carbon nanotube films, electronic devices and optical transmission electrodes by arranging carbon nanotubes in a horizontal direction to lower electrical junction resistance between carbon nanotubes and adhesion force between substrates. A method for manufacturing a carbon nanotube film comprises the following steps of: inserting a substrate into an arc discharge chamber in the middle of arc discharging in order for single-walled or multi-walled carbon nanotube to weakly adsorb to the substrate in a first step; blowing the substrate to obtain carbon nanotube powder in a second step; and filtering the carbon nanotube powder, forming a carbon nanotube film with the powder and placing the film on the substrate in order to melt the filter in a third step. The second and third steps can be replaced with a surface-treatment by an organic solvent.
Abstract translation: 提供了碳纳米管膜，电子器件和光传输电极，其通过在水平方向上布置碳纳米管以降低碳纳米管之间的电连接电阻和基板之间的粘附力。 一种制造碳纳米管膜的方法包括以下步骤：在电弧放电中间将基板插入电弧放电室，以使单壁或多壁碳纳米管在第一步骤中弱吸附至基板 ; 在第二步骤中吹制基材以获得碳纳米管粉末; 并对碳纳米管粉末进行过滤，用粉末形成碳纳米管膜，并将膜放置在基板上，以便在第三步骤中熔化过滤器。 可以用有机溶剂进行表面处理来代替第二和第三步骤。
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公开(公告)号：KR100490480B1
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：KR1020020031445
申请日：2002-06-04
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에서는 탄소 나노튜브를 이용한 3극관 구조의 전계 방출 소자의 제작에 있어서, 반도체 공정을 이용해 기판에서 탄소 나노튜브를 성장키고, 탄소 나노튜브가 성장된 기판에 절연물질 특히 SOG(Spin on glass)를 도포하여 건조시키며,절연물질이 도포된 탄소 나노튜브를 연마기로 균일한 높이를 갖도록 절단하여 탄소 나노튜브의 높이를 제어하는 방법에 의한 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의해 탄소 나노튜브와 기판과의 절연을 가능하게 함으로써 누설전류를 방지하며, 연마공정시 탄소 나노튜브의 손상을 막고, 탄소 나노튜브와 기판과의 밀착성을 유지하고, 전계 방출 측정시 안정성을 향상시킨다. 또한 탄소 나노튜브의 성장시 길이의 제어를 용이하게 하여 균일한 전계 방출 특성을 구현하고 공정의 편의성을 달성한다.
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5.发明授权전기전도도 및 광 투과율이 우수한 탄소나노튜브 필름, 및이로부터 얻어진 전자 소자 및 광 투과형 전극 有权具有优异的导电性和光学透明性的碳纳米管膜，以及通过使用其获得的电子器件和光透射型电极
公开(公告)号：KR100987993B1
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020070121984
申请日：2007-11-28
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 필름의 기판간 접합력을 개선시키고 탄소나노튜브 필름내 탄소나노튜브간 전기적 접합 저항을 저감시키는 방법과, 이로부터 얻어진 전기전도도 및 광 투과율이 우수한 탄소나노튜브 필름을 이용하여 전자 소자 및 광 투과형 전극을 제조하는 방법에 관한 것으로, 아크 방전을 이용하여 탄소나노튜브가 흡착된 기판을 제조한 다음 상기 기판상에 유기 용매로 표면처리하여 탄소나노튜브가 수평 배열된 탄소나노튜브 필름을 제작하고, 얻어진 탄소나노튜브 필름을 산화성 가스 분위기 하에 온도를 올려 비정질 탄소 및 탄소나노튜브 이외의 탄소 나노 입자들을 제거하고 산성 용액으로 촉매 금속 입자들을 제거하여 전기전도도 및 광 투과율을 개선시키며, 나아가 포토레지스트 코팅, 노광 고정, SOG 도포, 박막 증착 공정을 통해 전자 소자 제작이 가능하며, 미세 패턴 형태의 전극을 제조하는 것으로 구성되어 있다.
본 발명의 방법에 따르면, 탄소나노튜브 필름 제작과 함께 탄소나노튜브의 수평 배열을 도입하여 대면적화가 가능할 뿐 아니라 간단하고 저렴한 방법에 의해 탄소나노튜브 필름의 전기전도도 및 광 투과율을 개선시킬 수 있다. 또한, 이렇게 표면처리된 탄소나노튜브필름은 전자파 차폐, 전기화학적 저장장치(2차 전지, 연료 전지 또는 수퍼 캐패시터)의 전극, 광 투과형 전극뿐만 아니라, 탄소나노튜브 트랜지스터, 센서 소자 및 유무기 오염원에 대한 선택적 흡착 성능을 발휘할 수 있는 필터에 사용될 수 있다.
탄소나노튜브 필름, 수평 배열, 유기용매, 전기전도도, 광 투과율-
公开(公告)号：KR100490472B1
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：KR1020020031444
申请日：2002-06-04
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 열 화학 기상 증착법에 의한 탄소 나노튜브 합성시 촉매금속으로서 자성유체를 사용하고, 촉매금속의 나노 사이즈가 제어되도록 하고, 촉매금속이 기판에 균일하게 도포되도록 하고, 바인더 등의 희석제와 동시에 사용해 밀도를 조절하고 또한 촉매금속을 박막증착에 의하지 않고 도포하는 방법에 의해 다량의 기판을 동시에 제공하며, 탄소 나노튜브의 합성이 배치공정과 연속공정으로 수행되도록 한 자성유체를 이용한 탄소 나노튜브의 합성방법에 관한 것이다. 본 발명에 의 해 열 화학 기상 증착법에 의한 탄소 나노튜브 합성에 있어서 박막증착의 경우처럼 선행공정으로 열처리 과정을 수행할 필요가 없고, 별도의 촉매금속 증착장치가 불필요하므로 저가의 나노 사이즈의 촉매금속을 다량 제조할 수 있다. 또한 성장되는 탄소 나노튜브의 분포와 밀도를 제어할 수 있으며, 동일한 품질의 균일한 탄소 나노튜브의 성장이 가능하고, 탄소 나노튜브의 품질이 우수하다. 또한 생산율이 높고 설비투자가 저렴하여 저가 및 대량생산에 유리하다.
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公开(公告)号：KR1020030094490A
公开(公告)日：2003-12-12
申请号：KR1020020031445
申请日：2002-06-04
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method is provided to prevent a leakage current and damages of carbon nanotube by coating the carbon nanotube with an insulating material. CONSTITUTION: A method comprises a step of forming a trench structure on a substrate through the use of a semiconductor process; a step of growing a carbon nanotube in the trench structure; a step of coating the substrate on which the carbon nanotube has grown with an insulating material; a step of drying the coated insulating material; and a step of planing the insulating material by using a lapping machine in such a manner that the thin film of the substrate is exposed.
Abstract translation: 目的：提供一种通过用绝缘材料涂覆碳纳米管来防止漏电流和碳纳米管损坏的方法。 构成：一种方法包括通过使用半导体工艺在衬底上形成沟槽结构的步骤; 在沟槽结构中生长碳纳米管的步骤; 用绝缘材料涂覆其上生长碳纳米管的基板的步骤; 干燥被覆绝缘材料的步骤; 以及通过使用研磨机以使得基板的薄膜露出的方式刨削绝缘材料的步骤。
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