-
公开(公告)号：KR100306104B1
公开(公告)日：2001-09-29
申请号：KR1019997003671
申请日：1998-08-25
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J1/304 , H01J1/308 , H01J2329/00
Abstract: 전자를방출하는이미터부를구비한전자방출소자(100)에있어서, 상기이미터부가적어도제1 도전성전극(102)상에제1 반도체층(103), 제2 반도체층(104), 절연체층(105) 및제2 도전성전극(106)이순차적층된구조를갖으며, 상기제1 및제2 반도체층이탄소, 실리콘, 게르마늄중의적어도 1종류이상을주성분으로하며, 동시에제1 반도체층이탄소원자, 산소원자, 질소원자중의상기주성분과는다른 1종류이상을함유한다.
-
公开(公告)号：KR100674693B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020017011359
申请日：2000-03-16
Applicant: 파나소닉 주식회사
Abstract: 그리드전극에의 필요인가전압을 작게 하고, 또한 캐소드전극으로부터의 전자방출을 정확하고 또한 미세하게 제어할 수 있는 전자방출소자를 제공한다.
이 목적은, 그리드전극(3)과 애노드전극과의 사이에 존재하는 전계가 그리드전극(3)의 전자통과용 개구에서 캐소드전극(2)측으로 스며 나오고, 이 스며 나온 전계가 상기 캐소드전극(2)과 그리드전극(3)의 사이에 존재하는 전계와 상호작용을 하여 복합전계를 형성하도록 하고, 또한 상기 캐소드전극(2)과 상기 애노드전극과 상기 그리드전극(3)의 최소한 하나의 전극의 전위를 변화시킴으로써 상기 복합전계의 강도를 변화시키는 전자방출제어수단을 구비한 전계방출형 전자방출소자에 의해 달성할 수 있다.
캐소드전극, 애노드전극, 그리드전극, 전자방출, 인가전압, 복합전계-
公开(公告)号：KR100262259B1
公开(公告)日：2000-07-15
申请号：KR1019980701038
申请日：1997-06-09
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: C30B25/18 , C23C16/0272 , C23C16/27 , C30B25/02 , C30B25/105 , C30B29/04
Abstract: A diamond film of this invention is formed from growth nuclei distributed on a substrate at a density of at least 1x10 numbers/cm , the film is dense, having flat surface and great freedom in the thickness of the continuous film. The growth nuclei can be distributed at such a high density by, for example, dispersing diamond grains of average diameter of no more than 0.1 mu m in an acid solution, and distributing the grains on a substrate immersed in the solution by any means including ultrasonic vibration and voltage application. Such techniques for nucleation are simple and excellent in repeatability. The diamond film is formed on the substrate using the diamond grains as the growth nuclei by the plasma CVD or any other techniques.
-
公开(公告)号：KR1020010102528A
公开(公告)日：2001-11-15
申请号：KR1020017011359
申请日：2000-03-16
Applicant: 파나소닉 주식회사
Abstract: 그리드전극에의 필요인가전압을 작게 하고, 또한 캐소드전극으로부터의 전자방출을 정확하고 또한 미세하게 제어할 수 있는 전자방출소자를 제공한다.
이 목적은, 그리드전극(3)과 애노드전극과의 사이에 존재하는 전계가 그리드전극(3)의 전자통과용 개구에서 캐소드전극(2)측으로 스며 나오고, 이 스며 나온 전계가 상기 캐소드전극(2)과 그리드전극(3)의 사이에 존재하는 전계와 상호작용을 하여 복합전계를 형성하도록 하고, 또한 상기 캐소드전극(2)과 상기 애노드전극과 상기 그리드전극(3)의 최소한 하나의 전극의 전위를 변화시킴으로써 상기 복합전계의 강도를 변화시키는 전자방출제어수단을 구비한 전계방출형 전자방출소자에 의해 달성할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010006238A
公开(公告)日：2001-01-26
申请号：KR1019997009320
申请日：1998-04-09
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J1/316 , H01J2329/00
Abstract: 본발명의전자방출소자의제1 기본구성에따르면, 적어도 2개이상의수평방향으로일정간격을두고배치된전극과, 이들전극간에분산하여배치된입자또는입자의응집체로이루어진복수의전자방출부가설치된다. 한편, 본발명의전자방출소자의제2 기본구성에따르면, 소정의간격을두고배치된적어도 2개이상의전극과, 이들전극에전기적으로접속하여전극간에배치된도전층과, 이들의전극간에상당하는도전층의표면에분산하여배치된입자또는입자의응집체로이루어진복수개의전자방출부가설치된다. 이러한구성에따르면, 수평방향으로소정의간격으로배치된전극간에발생하는횡방향전계, 또는상기의전극간에배치된도전층내를흐르는면내전류를이용하여, 전자의인출(방출)방향에따른외부에서바이어스전압(전계)이인가되지않은상태라도, 효율적이며, 또한균일하게전자를방출할수 있는안정성이높은전자방출소자가얻어진다.
-
公开(公告)号：KR1019990036370A
公开(公告)日：1999-05-25
申请号：KR1019980701038
申请日：1997-06-09
Applicant: 파나소닉 주식회사
Abstract: 본 발명의 다이아몬드막은 1평방 센티미터당 1×10
10 개 이상의 분포밀도를 가지는 기판상의 성장핵으로 형성된 것으로써, 치밀하고 표면 평탄성이 높으며 연속막의 막두께 자유도가 높다는 특징을 가진다. 성장핵은 예를들면, 산성 용액중에 평균 입자직경이 0.1μm 이하의 다이아몬드 입자를 분산시켜, 이 입자를 초음파진동, 전압인가등의 수단에 의해 용액중에 설치한 기판에 분포시킴으로써, 상기와 같은 높은 밀도로 분포시킬 수 있다. 이와같은 핵발생 방법은 간편하고 재현성도 우수하다. 다이아몬드막은 다이아몬드 입자등을 성장핵으로 하여, 플라즈마 CVD법등에 의해 기판상에 형성된다.-
公开(公告)号：KR100812873B1
公开(公告)日：2008-03-11
申请号：KR1020037000796
申请日：2001-07-16
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30426 , H01J2201/30469
Abstract: An object of the present invention is to provide electron emission devices having improved electron convergence. To this end, an electron emission device of the present invention is such that a cathode electrode, an insulating layer, and a gate electrode are layered on a substrate in an order; an electron emission layer is in a first hole on the substrate penetrating from the gate electrode through the cathode electrode; an upper surface of the electron emission layer is between an upper surface of the substrate and a boundary between the cathode electrode and the insulating layer; at least one of a side surface and a lower surface except for a central area of the electron emission layer contacts the cathode electrode. By such an electron emission device, electrons are emitted mainly from the peripheral area of the electron emission layer. Accordingly, the electron convergence is improved.
-
公开(公告)号：KR1020030029626A
公开(公告)日：2003-04-14
申请号：KR1020037000796
申请日：2001-07-16
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30426 , H01J2201/30469 , C01B32/05 , H01J9/02
Abstract: 본 발명은 방출되는 전자의 집속성을 종래에 비하여 향상하는 것이 가능한 전자방출소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이러한 목적을 달성하기 위하여, 기판상에 캐소드 전극, 절연층 및 게이트 전극이 순서대로 적층되고, 게이트 전극측으로부터 캐소드 전극까지 형성되는 홀의 바닥면에 상기 캐소드 전극과 접촉하는 전자방출층이 형성된 전자방출소자로서, 전자방출층은 그 표면이 캐소드 전극 및 절연층간의 계면보다도 기판측에 위치하도록 형성되어 있으며, 전자방출층과 캐소드 전극의 접촉 영역이 홀의 바닥면의 중심부를 제외한 주변 영역에 한정되어 있다. 이에 의하여, 전자방출층은 그 측면에 위치하는 캐소드 전극으로부터 전자가 공급되기 때문에 주로 전자방출층의 표면의 주변부로부터 전자가 방출되도록 되어 있어 전자의 집속성이 향상된다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是提供具有改进的电子会聚的电子发射装置。 为此，本发明的电子发射装置是这样的，即阴极电极，绝缘层和栅电极按顺序层叠在衬底上; 电子发射层位于从栅电极穿过阴极电极穿过的衬底上的第一孔中; 电子发射层的上表面位于基板的上表面与阴极和绝缘层之间的边界之间; 除电子发射层的中心区域之外的侧表面和下表面中的至少一个接触阴极电极。 通过这样的电子发射装置，电子主要从电子发射层的周边区域发射。 相应地，电子会聚得到改善。 ＆lt;图像＆GT;
-
公开(公告)号：KR1020000068845A
公开(公告)日：2000-11-25
申请号：KR1019997003671
申请日：1998-08-25
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J1/304 , H01J1/308 , H01J2329/00
Abstract: 전자를방출하는이미터부를구비한전자방출소자(100)에있어서, 상기이미터부가적어도제1 도전성전극(102)상에제1 반도체층(103), 제2 반도체층(104), 절연체층(105) 및제2 도전성전극(106)이순차적층된구조를갖으며, 상기제1 및제2 반도체층이탄소, 실리콘, 게르마늄중의적어도 1종류이상을주성분으로하며, 동시에제1 반도체층이탄소원자, 산소원자, 질소원자중의상기주성분과는다른 1종류이상을함유한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.025 seconds)
